Магнитный аналоговый элемент памяти Советский патент 1980 года по МПК G11C27/00 

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при построе нии аналоговых запоминающих устройств временных функций напряжения. Известен магнитный аналоговый элемент памяти, содержащий трансфлюксоры, прошитые обМотками записи, установки, строба записи и дифференциально включенными,выходными обмотками 1. В таком элементе памяти характе ристика записи информации нереверсивна, т.е. обеспечивается запись сигналов только одной полярности. Наиболее близким техническим решением к изобретению является магнит.ный аналоговый элемент памяти, содержащий два двухотверстных трансфлюксор прошитых обмотками записи, установки, строба записи, считывания и дифференциально включенными выходными обмотками, а также два стабилитро на, разноименные электроды которых соединены с одной входной клеммой устройства, а другие разноименные электроды подключены к другой входной клемме устройства через включенные встречно стабилитронам диоды и соответствующие обмотки записи 2, При записи методоминтегрирования напряжения в таком элементе памяти необходимо наличие двух многовитковых обмоток записи. Целью изобретения является упрощение магнитного аналогового элемента памяти. Поставленная цель достигается тем, что в магнитный аналоговый элемент памяти,сбйержащий сдвоенный трансфлюксор с четырьмяотверстиями, обмотку записи, обмотку установки, обмотку строба записи, прошивающие большие отверстия трансфлюксора, малые отверстия которого прошиты обмотками считы-, ваниЯ и дифференциально включенными выходными обмотками, введены обмотка управления, которая подключена к входу элемента памяти и пропущена через одно большое отверстие трансфлюксора; согласно, а через другое встречно с обмоткой строба записи, и включенные встречно диод и стабилитрон, одноименные электроды которых подключены к обмотка записи, охватывающей перемыггку -трансфлюксора между большими отверстиями. На чертеже представлена прин мпиальная схема магнитного аналогово го элёмёнта памяти, выполненная согласно изобретению. Маг.нитный аналоговый элемент памя тй содержит сдвоенный трансфлюксор 1, средняя перемычка которого охвачена обмотками установки 2, строба эап11си 3, записи 4, крайние перемычки охвачены обмоткой управления 5 так, что одно большое отверстие она прошивает согласно, а другое - встре цо с обмоткой(строба записи, а малые отверстия прошиты обмотками считывания 6 и дифференциально включенными выходными обмотками 7, Начало и конец обмотки управления 5 соединены с входными клеммами элемента памяти, а начало и конец обмотки записи 4 соединены между собой через встречно включенные диод 8 и стабилитрон 9 причём, если начало об1«ютки записи соединено с анодом диода, то конец - с анодом стабилитрона. . В процессе работы импульсами тока установки через обмотку 2 обе половины трансфлюксора устанавливаются в со стояние насыщения, соответствующее максимальному значению остаточно го потока - Фг . При подйчё в обмотк 3 импульса тока строба записи диод 8 открывается, стабилитрон 9 пробива ется и, если ток управления в обмотк 41 О, в обеих половинах трансфлюксора устанавливается значение магнит ного потока Ф -Ф -bik ° - iw где и,, - напряжение стабилизации стабилитрона; - длительность импульса ток строба записи; W - число витков обмотки записи 4. При этом г в этом случае при ГУ - О в обеих половинах трансфлюксора устанавливается значение магнитного потока, соответствующее -середине рабочего диапазона; Поскольку выходная обмотка 7 включена по дифференциальной схеме, средне значение выходного напряжения на осн йой частоте равно нулю. Если ток уп равления 1 О, то подача импульса тока строба записи в обмотку 3 ведет к неодинаковой разблокировке половин трансфлюксора и при считывании выхЬдное напряжение на выходной обмотке пропорционально величине тока Г„ . При изменении направления тока I, напряжение на выходе меняет полярность. Предлагаемый элемент памяти обладает реверсивной характеристикой запи,си,имеет одну обмотку записи 4 с числом витков,в два раза меньшим,чем в одной обмотке из двух имеющихся у известного элемента памяти,один диод и один стабилитрон. Обмотка управления 5 выполняется одновитковой. При построении аналогового запоминающего устройства на основе такого элемента памяти стабилитрон является общим дпя всего запоминающего устройства,а обмотка управления прошивает последовательно все элементы памяти. Так как число диодов и стабилитронов в данном элементе памяти меньше в два раза, а общее число витков меньд1е практически в три раза, чем у известного элемента памяти, то упрощается элемент памяти при той же точности записи. Формула изобретения Магнитный аналоговый элемент памяти, содержащий сдвоенный трансфлюксор с четырьмя отверстиями, обмотку записи, обмотку установки, обмотку строба записи, прошивающие большие отверстия трансфлюксора, малые отверстия которого прошиты обмотками считывания и дифференциально включенными выходными отмобками, отличающий с я тем, что, с целью упрощения элемента памяти, в него введены обмотка управленг я, которая подключена к входу элемента памяти я пропущена через одно большое отверстие трансфлюксора согласно, а через другое встречно с обмоткой строба записи, и включенные встречно диод и стабилитрон, одноименные электроды которых подключены к обмотке записи, охватывающей перемычку трансфлюксора между большими отверстиями . Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР 396720, кл.С 11 С 27/00, 1974. 2. Авторское свидетельство СССР № , кл.С 11 С 27/00, 1974.

ли,,.

Й6«Уй5ЙКЬ-.. « ; 5:..r/v,- :.: