Генератор импульсов Советский патент 1980 года по МПК H03K3/335 

1

Предлагаемый генератор импульсов па эквиваленте двухбазового диода может найти применение в радиотехнической аппаратуре, в частности в задающих устройствах.

Известен генератор импульсов, содержа- 5 щий транзисторный эквивалент двухбазсвого диода, резистор конденсатор 1J.

Однако таком генератор имеет недостаточный диапазон регулировки длительности импульсов.10

Целью изобретения является расширепг.с диапазона регулировки длительности пмпульсов.

Для этого в генератор импульсов, содержании транзисторный эквивалент двухба- 15 зового диода, эмиттер первого транзистора которого через резистор и конденсатор соединен с гиинами источника питания, введены переходной конденсатор, согласующая цеиочка из соединенных носледовательно 20 диода и резистора и ключевой каскад, вход которого через переходной конденсатор подключен к выходу эквивалента двухбазового диода, а выход через согласующую цепочку соединен с коллектором первого 25 транзистора эквивалента двухбазового диода.

На чертеже представлена приипнпиальная схема предлагаемого геператора.

Генератор импульсов содержнт эквива- 30

лепт двухбазового днода на транзисторах 1 и 2, резистор 3, коиденсатор 4 врёмязадающей цепи, ключевой каскад на транзисторе

5,резисторы 6-9, переходной конденсатор 10, согласующую цепочку из диода 11 и резистора 12.

Генератор работает следующим образом. В момент включения напряжения питания в средней точке делителя на резисторах

6,7 устанавливается ноложитсльное напря.жение. Так как конденсатор 4 не может зарядиться мгновенно, транзистор 1 оказывается заиертым, что прнводнт к заниранпю транз1 стора 2. В некоторый момент времени, когда напряжение на конденсаторе 4 превысит напряжение на делителе из резисторов 6, 7, транзнстор 1 открывается, коллекторный ток его резко возрастает и носле усиления транзистором .2 создает на базе тра 1зистора 1 перепад, еще больще открывающий транзистор 1 и вызывающий насыщение транзистора 2. После переключения транзисторов происходит разряд конденсатора 4 через нараллельное соединение распределенных сопротивлений базы транзисторов 1, 2, который длится до тех пор, пока обеспечивается насыщенное состояние транзистора 2. В ;.,1омеит выхода транзистора 2 из иасыи1,ения начинается запирание транзистора 1, которое пропсхо