Операционный усилитель Советский патент 1980 года по МПК G06G7/12 

Описание патента на изобретение SU736119A1

Изобретение относится к обдасти радиотехники,- вычислительной техники, средств автоматики, телемеханики и мож быть применено для построения регулируемых источников тока, в амплитудных модуляторах, аналоговых умноз«ителях, системах АРУ, компараторах, аналоговых вычислительных машинах, системах автоматического регулирования и т.п. Известен операционный усилитель, сог стоящий из двух дифференциальных каскадов, цепи смещения уровня, усилителя мощности и построенный с использованием пассивных резистивных нагрузок 1 j Наличие пассивных нагрузок обусловливает увеличение числа усилительных каскадов. увеличивает потребляемую мощ ность, снижает усиление и устойчивость работы вследствие увеличения числа фозо инверсных каскадов. Применение стабилитронов и резисторов в цепи смещения уровня приводит к ограничению функциональных возможностей, уменьшению -частотного диапазона и увеличению уровня шума всегчэ усилителя. Кроме этого, в известном операционном усилите -; имеется значительный температурный дрейф электрических параметров усилителя. Известен также операционный усилитель на транзисторах одного типа проводимости, содержащий входной и промежуточный каскадь, выполненные по дифференциальной схеме с генераторами тока, каскады смещения уровня с цепью темпера турной компенсации и мощный выходной каскад, имеющий диф(|юренциальный выход 2 . Усилитель выполнен с использовашем резистивных нагрузок, ограничивающих частотный диапазон и надежность усидите ля. Увеличение числа фазоинверсных каскадов снижает помехоустойчивость усилителя и увеличивает потоебляемую. мощность. Наиболее близким по технической сущности к предложенному является операционный усилитель, содержащий две пары транзисторов с противоположным типом проводимости, при этом база входного транзистора, каждой пары является входом onepaimoiffloro усилителя, эмиттер входного транзистора соединен с эмиттером выходного транзистора прры противоположного типа проводимости, базы выходных транзисторов подключень( к источнику тока и двухкаскадный уси,штель мощности, каждый каскад которого выполнен на двух дифференциально-включенных Транзисторах-инверторах противоположного типа проводимости, коллекторы которь Х являются выходом операционного усилителя, эмиттер каждого транзистораинвертора соединен с базой, а база - с коллектором транзисторов токовой защиты эмиттеры которых подключеш к соответствующе(иу полюсу источника питания, со диненному через соответствующие резисторы смещения с эмиттерами TpattsHCTOров-инвергоров каждого каскада усилител мощнрсти з} . К недостаткам этого операционного усилителя следует отнести низкую выходную мощность (не более 200 мвт), малое быстродействие и недостаточную точность из-за высокого температурного дрейфа (20-30 мкВ/°С ). Цель изобретения - увеличение выходной мощности повыщение точности и быстродействия. Поставленная цель достигается тем, что в оператдионный усилитель введены Транзисторы смещения уровня и нагрузочные термостабилизируклцие диоды, при этом коллектор входного транзистора ка дои пары соединен с первым выводом пе вого и второго нагрузочных терм(х;табилизирующ диодов соответственно с базой первого и второго транзистора смещения уровня противоположного типа про водимости, эмиттеры первого и второго Транзисторов смещения уровня подключены к источнику питания, а коллекторы- к базам транзисторов-инверторов противоположного типа провод11мости соответс венно первого и второго каскадов усилителя мощности, вторые и выводы первог и второго нагрузочных термостабилизирующих диодов соединены с источником питания через соответствующие резисторы смещения, коллекторы выходных тран зисторов каждой пары подключены соответственно к )ятьему и четвертому нагрузочным тep nx;тaбилизиpy oщим диодам и к базе соответственно третьего и чет794 вертого транзисторов смеще шя уровня противоположного типа проводимости, эмиттеры второго и третьего транзисторов смещения уровня соединены с источником питания, а коллекторы - с базами транзисторов - инверторов противоположного типа проводимости соответственно первого и второго каскадов усилителя мощности, вторые выводы третьего и четвертого нагрузочных термостабилизирующих диодов подключены к источнику питания. На чертеже показана принципиальная электрическая схема операционного усилителя. Операционный усилитель состоит из двух пар транзисторов 1, 2, 3 и 4 с противоположным типом проводимости, при этом транзисторы 1 и 2 являются входными транзисторами пары, а транзисторы 3 и 4 - выходными транзисторами пары нагрузочных термостабилизирующих диодов 5,6,7 и 8;транзисторов 9, 10, 11 и 12 смещения уровня, источника тока 13, дифференциально-включенных транзисторов-инверторов 14 и 15 противоположного типа проводимости, транзисторов 16 и 17 токовой защиты резисторов 18 и 19 смещения перво-го каскада усилителя 20 мощности, транзисторов-инверторов 21 и 22 противоположного типа проводимости, транзисторов 23 и 24 токовой защиты и резисторов 25 и 26 смещения второго каскада усилителя 27 мощности. Эмиттеры входных транзисторов 1 и 2 пары соединены соответственно с эмиттерами Выходных транзисторов 3 и 4 пары противоположного типа проводимости. объединенные между собой базы выход транзисторов 3 и 4 подключены к регулируемому термостабильному источнику тока 13; 28 - внещний задающий резистор источника тока 13. Коллекторы транзисторов 1 и 2 соединены с нагрузочными термостабилизирующими диодами 5 и 6 и базами транзисторов 9 и 10 смещения уровня противоположного типа проводимости. Вторые выводы диодов 5 и 6 через никзоомные резисторы 29 и 30 смещения подключены к положительному полюсу источника питания. Коллектор транзистора 9 соединен с базой транзистора-инвертора 15 первого каскада усилителя 2О мощности. Коллектор транзистора 10 соединен с базой транзистора-инвертора 22 второго каскада усилителя 27 мощности. Прк этом проводимость транзисторов-инверторов 15 и 22 аналогична проводимости входных транзисторов 1 и 2. Кол лекторы выходных транзисторов 3 и 4 соединены с нагрузочными термсстабилизирующими диодами 7 и 8 и базами транзисторов 11 и 12 смещения уровня с противоположным i типом проводимости Вторые выводы диодов 7 и 8 подключены к отрицательному полюсу источника питания. Коллектор транзистора 11 соединен с базой транзистора-инвертора 21 второго каскада усилителя 27 мощности а коллектор транзистора 12 соединен с базой транзистора-инвертора 14 первого каскада усилителя 20 мощности. При это проводимость транзисторов-инверторов 1 и 21 аналогична проводимости выходных транзисторов 3 4 пары. Коллекторы транзисторов-инверторов 14, 15 и 21, 22 попарно соединены ме |Ду собой и образуют дифференциальный выход усилителя. Резисторы 18, 19, 25 и 26 смещения и, соответственно, транзисторы 16 17, 23 и 24 образуют токовую защиту выходных каскадов операционного усилителя. Работа усилителя происходит следующим образом. При подаче на входы усилителя входн го сигнала он усиливается транзисторами 1,2 и 3, 4, включенными по дифференциа ной схеме , причем усиление сигнала про исходит как вверх (коллекторы транзисторов 1 и 2) так и вниз (коллекторы транзисторов 3 и 4). Усиленные по току входные сигналы с коллекторов транзисторов 1, 2 и 3, 4 подаются соответственно на базы транзисторов 9, 1 и 11, 12 смещения уровня инвертируются ими с их коллекторов подаются в фаза на базы транзисторов 15, 22 и 21, 14 фазоинверсных выходных каскадов. На соединенных коллекторах транзисторо 14, 15 и 21, 22 усиленные сигналы складываются в фазе, причем сигналы на выходах усилителя противофазны между собой. Поэтому мсщность, выделяющаяся в нагрузке, включенной между выходами усилителя, удваивается. Симметрия плеч выходных каскадов обеспечивает высокую линейность усилителя. Для. расщирения функциональных возможностей операционного усилителя его электрический режим задается внещним -резистором 28, что обуславливает работу в различных режимах и с различной выходной мощностью. При поступлении на входы усилителя сигналов помех общего вида, т.е. синфазных сигналов, возникающих при воздействии внешних электро-магнитных полей, колебаниях температуры окрущающей среды, помех в цепях источников питания и т.д. на базы транзисторов 1 и 2, 3 и 4, 9 и 10, 11 и 12 попадают соответственно сигналы, близкие по амплитуде и одинаковые по фазе. Затем синфазные сигналы с коллекторов транзисторов 9 и 12, 10 и 11 соответстветю поступают в противофазе на базы транзисторов 15 и 14, 21 и 22 и на их коллекторах компенс11руются. Кроме этого, малое усиление помех общего вида обуславливается включением баз транзисторов 3 и 4 в цепь источника тока 13, обладающего высоким выходным импедансом. Таким образом помехоустойчивость усилителя, а следовательно, и его точность значительно повышаются. Выходная мощность усилителя при использовании соответствующего теплоотвода составляет 100-200 Вт, а коэффициент подавления синфазного сигнала 100-140 дб. Введение диодной термостабилизации цепей смещения уровня (диоды 5,6,7 и 8) во входном дифференциальном каскаде обеспечивает высокую термостабильность усилителя, а компенсация нестабильности на его выходах вследствие предложенного построештя схемы значительно снижает общий температург ый дрейф усилителя. Так, температурный дрейф напряжения смещения нупя предложенного усилителя не превышает 1-3 мкВ/ С. Поскольку при построении схемы усилителя транзисторы используются как усилители тока, т.е. как усилители, обладающие низким входным и высоким выходным сопротивлениями, а также вследствие введения полной симметрии схемы относительно источников питания, помехоустойчивость усилителя по цепям питания высока и составляет 5-10 мкВ /В. Исключение высокоомных пассивных нагрузок и симметричное распределение рассеиваемой мощности в выходных каскадах усилителя (транзисторы 14, 21 и 15, 22) обусловливает оптимальный температурный режим усилителя, при котором исключается локальный перегрев отдельных компонентов и последующий их отказ, т.е. предложенное оптимальное построение схемы усилителя позволяет значительно повысить его надежность. 77 Формула изобретения Операционный усилитель, содерж,9щий две пары транзисторов с противоположным типом проводимости, при этом база вход- ного транзистора каждой пары является входом операционного усилителя, эмиттер входного транзистора соединен с эмиттером выходного транзистора пары противоположного типа проводимости, базы выходных транзисторов подключены к источнику тока, и двухкаскадный усилитель мощности, каждый каскад которог выполнен из двух дифференциально-включенных транзисторах-инверторах проти юположного типа проводимости,, коллектор которых являются выходом операционного у лителя, эмиттер каждого транзистора-инвертора соединен с базой, а база - с ко лектором транзисторов токовой згвдиты, эмиттеры которых подключены к соответствующему полюсу источника питания, со диненному через соответствующие резисторы смещения с эмиттерами транзисторов-инверторов каждого каскада усилителя мощности, отличающийся тем, что, с целью увеличения выходной мощности, повышения точности и быстродействия, в него введены транзисторы смещения уровня и нагрузочные термо- стабили.зируклцие диоды, при этом коллектор входного транзистора каждой пары соединен с первым выводом первого и второго нагрузочнь Х термостабилизирующих диодов соответственно с базой первого и второго транзистора смеще98кия уровня противоположного типа проводимости, эмиттеры первого и второго транзисторов смещения уровня подключены к источнику питания, а коллекторы к базам транзисторов-инверторов противоположного типа проводимости соответственно первого и второго каскадов усилителя мощности, вторые выводьт первого и второго нагрузочных термостабилизирующих диодов соединены с источником питания через соответствующие резисторы смещения, коллекторы выходных транзисторов каждой пары подключены соответственно к третьему и четвертому нагрузочным термостабилизируюшим диодам и к базе соответственно третьего и четвертого транзисторов смещения уровня противоположного типа проводимости, эмиттеры второго и третьего транзисторов смещения уровня соединены с источником питания, а коллекторы - с базами транзисторов-инверторов противоположного типа проводимости соответственно первого и второго каскадов усилителя мощности, вторые выводы третьего и четвертого нагрузочных термостабилизируюших диодов подключены к источнику питания. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Интегральный операционный усилитель 1УТ402, 2.Авторское свидетельство СССР №414705, кл. Н 03 F 3/34, 1971. 3.Половников Д. Е. Рещающие усипители М., Энергия, 1973, 3. 220-221, 232-233 (прототип).

бо/юие нумjf

Похожие патенты SU736119A1

название год авторы номер документа
ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ 1973
  • Л. П. Домнин, В. И. Никишин, Н. Н. Тонких А. П. Удовик
SU375754A1
Усилитель мощности 1980
  • Цукерман Валерий Лазаревич
  • Севкович Александр Иосифович
  • Олех Яков Аронович
SU987789A1
Интегральный усилитель для стереофонической аппаратуры магнитной записи 1979
  • Андрианов Виталий Васильевич
  • Павук Василий Иванович
  • Рыбалко Александр Иванович
  • Таргоня Олег Федорович
SU1003138A1
УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ 1990
  • Галамага Василий Николаевич
  • Соловьев Евгений Филиппович
RU1748611C
Операционный усилитель 1984
  • Грошев Владимир Яковлевич
SU1283946A1
Преобразователь постоянного напряжения 1979
  • Реморов Сергей Иванович
  • Данилов Владимир Александрович
SU773609A1
Операционный усилитель 1983
  • Грошев Владимир Яковлевич
SU1190467A1
Операционный усилитель 1972
  • Домнин Лев Петрович
  • Тонких Николай Никитович
  • Федоров Дмитрий Петрович
  • Хорошков Юрий Васильевич
SU468254A1
Регулятор напряжения для генератора переменного тока 1980
  • Домнин Лев Петрович
  • Федоров Юрий Тихонович
  • Гурин Анатолий Сергеевич
  • Волобуев Герман Борисович
  • Карпушин Михаил Иванович
SU1005261A1
Дифференциальный усилитель 1981
  • Грошев Владимир Яковлевич
SU1104648A1

Иллюстрации к изобретению SU 736 119 A1

Реферат патента 1980 года Операционный усилитель

Формула изобретения SU 736 119 A1

SU 736 119 A1

Авторы

Волобуев Герман Борисович

Домнин Лев Петрович

Заец Владимир Иванович

Сбоев Сергей Александрович

Даты

1980-05-25Публикация

1977-05-25Подача