1
Изобретение отиосится к области измерения свойств полупроводниковых материалов и может быть использовано в технолотии изготовления полупроводников.
Известен способ онределения концентра- 5 ции носителей тока, осиованны па эффекте Керра и заключаюпднйся в освещении полупроводника монохроматическим светом, помещении его в магнитное пиле и регистрации поворота поляризацнн излучення, JQ отрал енного от нолуироводника 1.
Известный способ требует сложной измерительной аппаратуры, что сннжает надежность контроля и удорожает исследования.15
Известен способ определения копцентрацин носителей тока в полупроводниках, заключающийся в нропусканнн переменного тока через диод и измерении значений тока и напряжения па нем 2. Данный снособ . не обеснечивает высокой точности измерений, что связано с влиянием нараз1Г1иых емкостей измерительной цепи.
Целью изобретения является нивышение точиости измерений.25
Поставленная цель достигается тем, что ко1ггроль тока и ианряження производят нрн двух частотах питающего тока, различающихся не менее, чем в трн раза.
Па фи1. 1 изображено устройство, pea- :;о
2
.шзующее оннсьшае.мый способ; на фиг. 2 зависимость величины обратной емкости от обратного напряжения.
VcTpoiicTBO содержит нагрузочное сопротииленне 1, сопротивление 2 тонкого слоя, диод 3. Нанряженне высокочастотного сигнала на выходе схемы (фиг. 1) пропорционально нстинной емкости диода 3
UaR
и
(1)
V
I
(Ri + /)
- напряжение высокочастотного сн
где
нала на выходе схемы; С - емкость диода; со - круговая частота; RI - носледовательное сопротивление
топкого слоя 2; R - нагрузочное сопротнвленне 1 в
схеме;
Lo - напряжение высокочастотного сигнала на входе схемы.
Однако это предположение приводит к больнгон но1решности прн определении коицентрацнн, так как имеется большое последопптельное сонроти15.1енне тонкого слоя . которое необходимо учесть.
Измеренне напряжения высокочастот 1ого сн1Ч1ала на двух частотах ноз1юляет иолучпть два у)ав11С1П я с диумя iKMi:ii;crTi:i iMi С и R,: и ; 1/ (A ; I ( -V Г Уч iC / (Ri -г -г ( i (Отсюда истинная емкость диода: 1 , -1 / V - J / uj Которая иоДсгавляется и (орму-У /иМи onpi.-деления концентра tin п: /V : - где Оз - обратное напряжение на дноде 3 8 - относительная диэлектрическая проннцаемость исследуемого матернала;Ко - диэлектрическая п)онпдасмост вакуума; S - нлощадь х1;гюда 3; q - заряд электрона. Знанне лстншюн емкости 11оз15о.1яс1 oiijHД1о1Н|-| p;i(:iipi;ic-/K4iHc KOiiiiciii paii.iiii iiocinc Л1ч| -„тряд; IK) 1 (i.iinriie TiiHixuio слоя ii шл JUiiJiy j(iHK(jiii i,iijH. Iarr I |)я liiic 1)1 Hi)iii-)xliDciii слом ;i(i 10ЧК11, I )i(j|i()ii онрсдг/глеггя ко11централ,11Я нис11Т(.:лсГ| заряда Л но (|)())муле (5) определяемся COOTJIOHICHHCM: Толщина тонкого слоя а определяется по перегибу на кривой (см. чертеж): -/(з). Ф о р м ) л а н 3 о б р е т е п и я Снособ определения концент1)адн1; носиTe.ieii тока в ло-туироводннках, зак,лк)чак)ш.нйся 3 иронусканнн переменного тока через днод. н H3;viepcHi;H значсннй тока н нанряження в нем, от л п ч а ю ui, ini с и тем, что, с целью нонын:е1: я точности ;змсрений, контроль 1ока л напряжения нронзвоДят нрн двух частотах питающего тока, pa:jлнчак)П1,нхся не менее, чем в три раза. Источьнкн ннформации, принятые во вннманнс при BKCHCJITHSC 1.Авторское свнлетсльстпо CCCf Л5 4-68198, кл. G 01R 31/26, 1975. 2.Батавпн В. В. Контроль нараметров полупроводниковых .матерна,1Г)в и я ннтакснальн1)1Х слоев, М., «Советское р;:Л1И). 1)7П, с. 38 (iipoTOTiin).
сриг.1
