Устройство температурной коррекции характеристик полевых транзисторов Советский патент 1980 года по МПК G01R31/26 

ляемого сопротивления (управляемого резистора на полевом эффекте) является фупкцией как напряжсм1ия Vas, так н напряжения VDS, т. е. т f(Vas) и т Ф(Уш)- В известном устройстве температурная коррекция произведена лишь с учетом функции т f(VDs), а зависимость т {VDS} пе учитывается. В связи с этим эффективная термокомпенсация с помощью известного устройства возможна лишь при неизменном напрялсенин сток-исток, например при VDS - О либо в области насыш,ения, где т ечитается независимым от температуры, что сужает диапазон коррекции, Целью изобретения является расширение диапазона температурной коррекции характеристик управляемых резисторов на полевом эффекте. Поставленная цель достигается тем,что в известном устройстве, содержаш,ем источник управляющего напряжения, резисторы, измерительный прибор, масштабный усилитель, в цепь обратной связи которого включен термозависимый элемент, источник напряжения компенсации, источник напряжения воестанов: оиия, при этом первый вход масштабного усилителя через резистор соединен с истоком полевого транзистора, второй вход масштабного усилителя соединен через второй и третий резисторы с источником управляющего напряжения и измерительным прибором и через четвертый резистор с источником напряжения компенсации, а выход масштабного усилителя соединен через резистор с затвором полевого транзистора и через другой резистор с источником напряжения восстановления, между затвором и стоком полевого транзистора включеи резистор. Такое устройство обеспечивает более широкий диапазон температурной коррекции. Действительно, если к затвору управляемого резистора на полевом эффекте приложить, например, половину напряжения стока, то выражение (2) преобразуется и будет иметь вид V,, -- - я т. е. значения температурного коэффициента перестают зависеть от напряжения Vo и, как результат, осуществляется температурная коррекция характеристик резистора на полевом эффекте во всем диапазоне из-. менений напряжений как Vos так и VDS На чертеже приведена принципиальная схема устройства температурной коррекции характеристик полевых транзисторов. Устройство содержит управляемый папряжением полевой транзистор 1, источник 2 управляющего напряжения, масштабный усилитель 3, термозависимый элемепт 4, постоянные резисторы 5, 6, 7, 8, источник 9 напряжения компенсации, резисторы 10, И, источник 12 напряжения восстановления, измерительный прнбор 13 и резистор 14. Устройство работает следующим образом. С помощью измерительиого прибора 13 и источника 2 управляющего папряжения на входе масщтабного усилителя устанавливается напряжение, соответствующее напряжению точки нулевого температурного дрейфа управляемого резистора на полевом эффекте (полевого транзистора 1) при малом напряжении сток-исток. Затем, с помощью источиика 9 напряжения компенсации производится компепсация выставленного напряжения и его восстановле ше па затворе управляемого резистора при помощи источника 12 восстановления. При такой настройке характеристики полевого транзистора 1 не будут зависеть от температуры в щироком диапазоне изменения напряжения Vas, но изменяются при изменении напряжения VDS- Если теперь, между затвором и стоком управляемого резистора на полевом эффекте 1 включить резистор 14, величина которого выбрана из условия R 14 / 11./ 10/(), то к затвору 1 ., оудет приложено напряжение sy-vos, а характсристики управляемого резистора будут термостабильпыми и в широком диапазоне изменения напряжения V/;.. Сравнительные испытания предлагаемого устройства с известным показали, что температурный коэффициент тока стока полевого транзистора практически не изменяется в щироком диапазоне изменения напряжений исток-сток, в то время, как з известном устройстве его изменения составляют около 0,3%/град в ишроком температурном диапазоне. Это позволяет использовать такое устройство для создания прецизионных приборов с использованием управляемых резисторов на полевом эффекте без сложных систем их термостатирования. Формула изобретения Устройство температурной коррекции характеристик полевых транзисторов по авт. св. № 560192, отличающееся тем, что, с целью расщирепия диапазона температурной коррекции характеристик управляемых резисторов на полевом эффекте, между затвором и стоком полевого транзистора включен резистор. 1-1сточник информации, принятый во внимание при экспертизе: 1. Авторское свидетельство СССР № 560192 G 01 R 31/26, 1977 (прототип).