Канал продвижения цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1980 года по МПК G11C11/14 

(54) КАНАЛ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

I

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известны каналы продвижения ЦМД, содержащие магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности, которой расположены магнитопленочные аппликации и/или токовые проводники управления.

Известен канал продвижения ЦМД, содержащий на поверхности магнитоодноосной пленки Т- и 1-образные магнитопленочные аппликации, образующие продвигающие структуры (ячейки) 1.

Однако на каждый период такой структуры приходятся две аппликации: Т-образная и 1-образная, а также два зазора между ними, причем от величины зазора зависит ширина области устойчивой работы. Величина зазора в такой структуре меньще щирины наиболее узкой части аппликации и составляет не более половины от номинального диаметра домена в доменосодержащем материале, что усложняет ее изготовление. Кроме того, для осуществления поворота направления продвижения ЦМД используются аппликации другой, отличной от Т и I кон

фигурации. Это приводит к увеличению номенклатуры аппликаций в схемах, к снижению структурной однородности схемы и, как следствие, к сужению области устойчивой работы схемы из-за различия областей ра, ботоспособности аппликаций с различной конфигурацией.

Наиболее близким техническим рещением к данному изобретению является канал продвижения ЦМД, который содержит на поверхности магнитоодноосной пленки

10 магнитопленочные аппликации, выполненные в фор.ме несимметричных полудисков 2 Принцип работы такой структуры продвижени.ч основан на создании вращающимся в плоскости аппликаций магнитным полем притягивающих полюсов одновременно в той

15 позиции, в которой находится ЦМД, и в соседней позиции, в которую ЦМД должен перейти. При этом геометрическое расположение аппликаций таково, что домен сначала захватывается обоими полюсами, а затем полюс со стороны противоположной направлению продвижения ЦМД нейтрализуется и до.мен переходит в-соседнюю позицию. Такая структура продвижения ЦМД допускает зазоры между аппликациями до одного диаметра ЦМД без существенного изменения области работоспособности. Однако такая структура продвижения ЦМД не позволяет получить повороты направления продвижения на ±9vO° в пределах одного-двух периодов без существенного сужения области работоспособности или без изменения конфигурации аппликаций. Такая структура продвижения из-за низкой структурной однородности сложна в изготовлении и, как следствие, ненадежна в работе. Цель изобретения - повыщение надежности канала продвижения ЦМД. Поставленная цель достигается тем, что в канале продвижения ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены магнитопленочные аппликации, последние выполнены в форме фигуры, ограниченной двумя подобными трапециями, имеющими общее основание и расположенными одна в другой, и имеющеи срез, проходящий через основание и боковую сторону параллельно другой боковой стороне, причем углы при основании трапеций составляют 40-75°. На фит. изображена принципиальная схема канала продвижения ЦМД; на фиг. 2- конфигурация магнитопленочных аппликаций; на фиг. 3 - динамика продвижения ЦМД вдоль аппликаций. Канал продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД, на поверхности которой расположены магнитопленочные аппликации 2, разделенные зазором 3. Магнитные поля, необходимые для функционирования канала продвижения ЦМД, создаются блоком 4 постоянного поля смещения и блоком 5 вращающегося магнитного поля, причем поле смещения Нс параллельно оси легкой намагпичепости материала,а поле управления Ну- перпендикулярно ему. Канал продвижения ЦМД подключен к блоку 6 ввода информации и блоку 7 вывода информации. Режим работы блоков магнитных полей 4 и 5, блока 6 ввода информации и блока 7 вывода информации определяется блоком 8 управления. Магнитопленочные аппликации 2 выполнены в форме фигуры, ограниченной двумя подобными трапециями 9 и 10, имеющими общее основание и расположенны.ми одна в другой, и имеющей срез 11, проходящий через основание и боковую сторону параллельно другой боковой стороне, причем углы при основании трапеций составляют 40-75°. Канал продвижения ЦМД (фиг. 2, б) может быть выполнен в виде ломаной линии, причем угол излома относительно направления продвижения может быть как положительным, так и отрицательным. Поворотные аппликации имеют ту же самую конфигурацию, как и аппликации линейных участков. только примыкают друг к другу (к предыдущей аппликации) другой своей стороной. Канал продвижения ЦМД работает следу ющи.м образом. Магнитное поле смещения ,, создаваемое блоко.м 4 постоянного поля смещения, направленное параллельно оси легкого намагничивания доменосодержащего материала, создает условия, необходимые для существования ЦМД в магнитоодноосной пленке 1. Вращаюц ееся магнитное поле Hi, создаваемое бдаком 5 и направленное перпендикулярно HCJ и параллельно плоскости магнитопленочных аппликаций 2, перемагничивает аппликации 2, создавая притягивающие полюса для ЦМД. При вращении Ну притягивающие полюса перемещаются по аппликации, вызывая пере.мещение ЦМД. Перемещение инфор.мации по каналу продвижения посредством намагничивания магнитопленочных аппликаций 2 позволяет производить определенные операции над информацией, например подвод ее к блоку 7 вывода информации. Конкретный режим работы устройства обработки информации: ввод, вывод, перемещение и другие - определяется состоянием блока 8 управления. Работа магнитопленочных аппликаций 2 по продвижению ЦМД в треке 3 поясняется на примере аппликаций с конфигурацией (фиг. 3), полученной описанным способом (фиг. 2). Если при положении вектора Ну, показанном на фиг. За, магнитные домены находятся в областях 12 и 13 на соседних аппликациях, то притягивающие полюса аппликаций определяются направлением Ну и нaxoдяJCя, для определенности, на конце вектора Ну. Тогда области 12 и 13 (фиг. За) на.ходятся у основания аппликаций. При повороте вектора Цу против часовой стрелки на 90° (фиг. 36) притягивающие полюса переместятся, а вслед за ними переместятся области 12 и 13, в которых находятся магнитные домены. При последующем повороте вектора Ну до направления, параллельного соседствующим сторонам аппликаций (фиг. Зв), притягивающий полюс образуется на обоих примыкающих сторонах и область местонахождения магнитного домена охватывает обе стороны. При этом области 12 и 13 находятся на смежных аппликациях. При положении вектора Ну, показанном на фиг. 3 г., притягивающий полюс на массивной части аппликации становится больше и области нахождения магнитных доменов перемещаются, соответственно, на смежные аппликации вправо. При последующем повороте вектора Н-у области 12 и 13 переместятся вслед за перемещением притягивающего полюса в соответствующую часть аппликации (фиг. Зд). При возвращении вектора Ну в исходное положение магнитные домены занимают положение, аналогичное показанному на фиг. За, но при этом области 12 и 13 находятся на соседних аппликациях. Таки.м образом, произошло продвижение магнитных доментов на один период за один оборот вектора Ну, а, следовательно, и перемещение представленной ими информации. При дальнейшем вращении вектора Ну магнитные домены движутся аналогично. Предлагаемый канал продвижения магнитных доменов может име.ть меньшее число различных конфигураций, например для кольцевого трека лишь одну, так как повороты канала продвижения доменов получают поворотом аппликации той же конфигурации, что и для линейного продвижения таким образом, чтобы соседствующие грани многоугольников соседних аппликаций были параллельны. Использование аппликаций одинаковой конфигурации для линейного продвижения и поворота канала продвижения магнитных доменов приводит к повышению структурной однородности устройства, его технологичности и надежности. Формула изобретения Канал продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на поверхности которой расположены магнитопленочные аппликаци-. отличающийся тем, что, с целью повышения надежности канала продвижения цилиндрических магнитных доменов, магнитопленочные аппликации выполнены в форме фигуры, ограниченной двумя подобными трапециями, имеющими общее основание и расположенными одна в другой, и имеющей срез проходящий через основание и боковую сторону параллельно другой боковой стороне, причем углы при основании трапеций составляют 40-75°. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Боярченков М. А. и др. Доменные логические и запоминающее устройства. «Энергия, 1974. 2. Патент США № 40140090, кл. 340-174, 1977.

4(4

I J

---90

5)

CPU2.2

Hv

12 -fS a)

H.

H

2 г)

HVJ