Фотоэлетрический способ контроля параметров полупроводников Советский патент 1980 года по МПК H01L21/66 

O(Z) может быть аппроксимирована функцией .-. §Г()-ёГо при всех 1 gCz; o остальных i, где Z -координата в направлени градиента ширины запрет зоны варизонного полупр ника; OQ - постоянная величина; SmcK зксимальное значение запрещенной зоны. Подставляя в общее выражение фототока дЛ4- 1 -) 2о . ( xg(z,h)dr4ej(2,h))al2., (.() ., S.L- -D С . где ZQ - расстояние на освещаем верхности для слоя объ заряда; S - скорость поверхностной комбинации ; Т) - коэффициент диффузии; W - ширина слоя объемного Учитывая, что ZQ , полу |1ажение, описывающее спад фото вительности в коротковолновой спектра (ь ; еТЛГЕ0т %fh)), где A,j const(w) поток фотонов на осве щаемой поверхности. Из этой зависимости по наклону представляющей ее в полулогарифмическом масштабе прямой линии определяют величину LplvEgl. На основании гний Lp, полученных независимо значений up определяют величину градиента ширины запретной зоны варизонного полупровод ника vEg. Пример, Определение градиент ширины запретной зоны варизонного поупроводника п - AS с х 0,37. Варизонные слои изготавливаются методом жидкофазной эпитаксии на подожках п-6аР. На этих слоях вначале создается омический контакт вплавлением Jn в подложку, а затем барьерный- химическим осаждением Аи на узкозонную поверхность полупроводника. Для освещения полупроводника используется монохроматор ДМР-4 с. лампой СИ-10 -300. Энергия фотонов выбирается в интервале 1,5+1,7 эВ в зависимости от значения минимальной ширины запретной зоны . Измеряется экспоненциальная зависимость фототока короткого замыкания OfOThV Их этой зависимости, по наклону представляющей ее в полулогарифмическом масштабе прямой линии, определяется величина ) Л Eg I, которая равна 0,01 эВ, Независимым способом определяется значение , равное 1,7 мкм. Значение равно 60 эВ/см,. что с хорошей точностью совпадает со значением определенным для это.го образца на рентгеновском микроанализаторе. Таким образом, в результате использования предлагаемого способа можно с высокой точностью и-быстро определять градиент ширины запретной зоны варизонного полупроводника без применения дорогостоящего и сложного оборудования и без нарушения целостности образца Формула изобретения Фотоэлектрический способ контроля параметров полупроводников, основанный на создании барьерного контакта на поверхности полупроводиика, освещении полупроводника и измерении тока короткого замыкания, отличающийся тем, что, с целью определения градиента ширины запрещенной зоны варизонных полупроводников, барьерный контакт создают на узкозонной поверхности полупроводника, освещение производят со стороны широкозонной поверхности полупроводника, измеряют зависимость тока короткого замыкания от .энергии квантов света и по углу наклона этой зависимости построенной в полулогарифмическом

5 790040 6

масштабе, и по известной длине сме-. Авторскоесвидетельство СССР

щения неравновесных носителей заряда№ 494063, кл. G 01 R 31/26, 1974. вычисляют градиент ширины запрещенной

зоны.2. Авторскоесвидетельство СССР

Источники информации,s № 591974, кл. НOIL 21/66, 1976

принятые во внимание при экспертизе (прототип)..