Формирователь задержанных импульсов Советский патент 1980 года по МПК H03K5/13 

1

Изобретение относится к радио электронике и может быть использовано для формирования мощного импульса, задержанного относительно заднего фронта входного импульса.

Известно устройство задержки .импульсов, выполненное на резисторах, конденсаторах и динисторе 1.

Недостатком известного устройства является низкая стабильность формируемого интервала времени задержки.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является формирователь задержанных импульсов, содержаш|йй полохитедь ый.: конденсатор и последовательно соединен ные зарядный резистор и динистор 2.

Недостаток такого устройства также заключается в нестабильности времени задержки, обусловленной большим разбросом напряжения включения динисторов.,

Цель изобретения - повышение стабильности задержки.

Поставленная цель достигается « . тем, что в устройство введены транзистор, эмиттер и коллектор которого через диоды подключены к катоду диодного тиристора (динистора), дополнительный источник напряжения пи

тания, подключенный через резисторы к коллектору и базе транзистора, источник опорного напряжения, подключенный через диод к базе транзистора и диод, подключенный между нагрузкой и точкой соединения зарядного резистора и анода диодного тиристора, причем накопительный конденсатор подключен между эмиттером тран10зистора и общей шиной.

На фиг. 1 изображена принципиальная электрическая схема формирователя задержанных импульсов; на фиг. 2 - эпюры входного и выходного

15 сигналов.

Устройство содержит транзистор 1 в коллекторной и эмиттерной цепях которого включены диоды 2 и 3, а в базовую цепь через диод 4 включен

20 источник 5 опорного напряжения. Между эмиттером транзистора 1 и общей шиной 6 подключен накопительный конденсатор 7. Зарядный резистор 8 подключен /одним выводом к источнику

25 9 входных импульсов, а другим выводом через диодный тиристОр 10 - к объединенным анодам диодов 2 и 3. Коллектор и база транзистора 1 подключены соответственно через редис30 торы 11 и 12 к источнику 13 напряжения питания. Нагрузка, подключаемая к клеммам 14, связана через диод 15 с диодного тиристора 10, в качестве которого можно использовать- любой прибор, включаемый по приложенному к нему напряжению, например динистор, либо маломочный тиристор, у которого управляющий электрод через стабилитрон соединен с анодом.

Устройство работает следующим образом.

При поступлении на вход устройства импульса напряжения положительной полярности открывается диодный тиристор 10. Конденсатор 7 заряжается через резистор 8, диодный тиристор 10 и диод 3 до величины,.определяемой резисторами -8, 11, 12 и величинами напряжения источника 13 питания и- источника 9 входного сигнала.

По мере заряда конденсатора 7 напряжение на эмиттере транзистора 1 возрастает. Транзистор 1 насыщен за счет тока, протекающего через резистор 12 от источника 13 напряжения питания.

Если теперь в некоторый момент fc понизится уровень напряжения источника 9, то, вследствие того, что напряжение на конденсаторе 7 не может быстро уменьшиться, диод 3 оказывается под обратным напряжением, и ток через него и диодный тиристор 10 становится близок к нулю, вследствие чего диодный тиристор 10 переходит в состояние малой проводимости. Конденсатор 7 начинает разряжаться током эмиттера насыщенного транзистора 1. Процесс перезаряда конденсатора 7 будет происходить до тех пор, пока напряжение на верхней его обкладке, а, следовательно, и на базе транзистора 1, не изменит своего знака с положительного на отрицательный и не достигнет величины опорного напряжения источника 5. Транзистор 1 начнет подзапираться, и напряжение на его коллекторе и, следовательно, на катоде диодного i тиристора, начнет резко падать (возрастать по модулю), что приведет (при достижении этим напряжением величины напряжения включения диодного тиристора) к включению диодног тиристора 10, обеспечивающего подключение к выходным клеммам 14 (через диод 15) отрицательного потенциала верхней обкладки конденсатора 7.

Конденсатор 7 разряжается через сопротивление нагрузки, формируя выходной импульс (tj).

После очередного увеличения уровня входного напряжения источника 9 конденсатор 7 вновь зарядится через резистор 8, диодный тиристор 10, диод 3 до уровня напряжения источника 9 .

Транзистор 1 находится все время в режиме насыщения, за исключением небольшого времени, когда напряжение его эмиттера достигает уровня источника 5 опорного напряжения. При этом максимальное напряжение коллектор-эмиттер составит разность между напряжением включения диодного тиристора 10 и опорного напряжения источника 5. В связи с этим транзистор

S 1 работает при любой величине напряжения источника 9 входных импульсов и напряжения источника 13 питания. Это одно из достоинств данной схемы формирователя задержанных.импульсов

0 большой амплитуды, выполненного на основе диодного тиристора, характеризующегося высокой стабильностью формируемого: време ли задержки, которое в данном случае не зависит от

5 параметров диодного тиристора.

Время задержки можно регулировать, изменяя величину напряжения ист очника 5.

Таким образом, данное устройство

обеспечивает формирование стабильного и легко регулируемого времени задержки Т.

Формула изобретения

Формирователь задержанных импульсов, содержащий накопительный конденсатор и последовательно соединенные зарядный резистор и диодный тиристор, отличающийся

0 тем, что, с целью повышения стабильности задержки, в него введены транзистор, эмиттер и коллектор которого через диоды подключены к катоду диодного тиристора, дополнительный

5 источник напрях ения питания, подключенный через резисторы к коллектору и базе тр-а«зистора, источник опорного напряжения, подключенный через диод к базе транзистора, и диод,

0 подк; юченный между нагрузкой и точкой соединения зарядного резистора и анода диодного тиристора, причем накопительный конденсатор подключен между эмиттером транзистора, и общей шиной.

Источники информации, принятые во при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР 231605, кл. Н 03 К 5/13, 1966.

2.Авторское свидетельство СССР 0 308497, кл. Н 03 К 3/335, 1970

(прототип) .

(

Si

фщ

«.

ewx