Накопитель информации Советский патент 1981 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислитель ной технике в может быть испсшьаованс. при построении устройств хравения дискретной ннформациа на ципивдрических магнитных доменах (ЦМД). ,,. ., FfsBecreH накопитель Для доиенного вапоминающего (ДЭУ), conepi жащий кольцевые регистры сдвига (КРС) подключенные переключателями к регистру ввоаа-вывсаа, к которому подключены генератор ШЛД и датчик считываввя ЦМД В таком накопителе скорость ввсва-выво определяется тактовеЛ частотой f и расстоянием Р между соседними переключателями в регистре ввоца-вывсоа V где К - информационная емкость, которую несет один ЦМД Щ . Однако конструкция известных переключателей не позволяет получить Р, 2, Поэтому скорость ввоаа-вывооа меньше- тактовой частоты. Наиболее близок по техническому решению к предлагаемому накопитель для ДЗУ, содержащий магнитоодноосную пленку, на поверхности расположены КРС, подключенные переелючателямн ввода к регистру ввода, на входе которого расположен генератор ЦМД, и переключателями вывода к регистру вывода, на выходе которого расположен датчик считывания ЦМД. ЦМД подключен к записи накопителя, а датчик считывания к усилителш блока считывания. Для повышения скорости ввода-вывода, в таком накопителе все КРС разделены на две группы, разделены, соответственно, регистр ввода,регистра; вьюода, генератс ы и датчик считывания, причем расстояния в битах от генератс а до первого пе- . реключателя ввода и от последнего переключателя вывода до датчика считывания оДгной группы отлнчаютсз1 от соответствующих расстояний в другой группе ifa 1 бит. При включенных последовательно генератсрах обеих групп н датчиках скорость ввсаа-т-выБода ,. при этом Р7/2С Зоднако известные накопители имеют малое быстродействие по скорости ввода-вывода. Цель изобретения - повышение быстродействия накопителя информации ДЗУ, Поставленная цель достигается тем, что накопитель содержит дополнительные генератфы и датчики считывания ЦМД, дсяхоянительные генераторы подключены к соответствующим регистрам ввода информации параллельно основнся у генератору ЦМД на расстоянии X (), где % - периоа продвиженяя регистра ввода информации, пс ядковый номер дополнительного генератора НМД, Н - количество групп регистров хранения информации (КРС), N , от вого регистра хранения информации в группе, а дополнительные датчики считывания 11МД включены последовательно с основным датчиком считывания НМД в расположены на расстоянии HQ- от послеянего регистра хранения информации в группе, где п, - порядковый номер дополнительного датчика считывания ЦМД На чертеже показан пример схемы накопителя ДЗУ для случая разделения КРС на четыре труппы. Предлагаемый накопитель для ДЗУ совержит расположенные на поверхности магкитоодноосной пленки 1 кольцевые сдвиговые регистры 2 (регистры хранения информации), разделенные на четыре группы: А, Б, В и Г. КаждьгйКРС подсо единен переключателе 3 ввода к. регис-р ру 4 ввода и переключателем 3 вывода к регистру 6 выводе. Переключатели 3 ввода управляются шиной 7 ввода, включенной последовательно для всех переклю чателей по електрическому сигналу, а пе реключатели 5 вывоца - шиной 8 выво да, включенной аналогично. Каждому разряду регистров ввода, вывода в храневвя информация соответствует повиция 9 уотойчивого цоложения ЦМД. Между соседними переключателями в регистрах 6 и 4 расположено три позипив 9. На вхозе регистра 4, являющимся входом накопн еля, расположены генераторы ICX-l, 10-11 lO-iy и 1О-1У. Расстояние по количеству позиций от любсго КРС до генератора 10-J.y на одну ПО8Ш1ИЮ больше, чем до генератора 10-111, на позиции бол е, чем до генератора 10-П и на три позиции больше, чем до генератора 1CX-I. енератор 10-Г управляется шиной 11-Г, енератор 1СХ.П - шиной 11-JI, генератор 10-Щ - шиной 11-Ш, генератор 10-1Ушинсй 11-1У. На выходе регистра 6 вы-. вода расположены регистраторы ЦМД -, . атчики 12-1, 12-П, 12-Ш и 12-1У. В каждой групперасстояние от любого КРС до датчика 12-1У на один равряа больше, чем до 12-П1, на две больше, чем до 12-11 и на три больше, чем до 12-1. Датчик 12-1 управляется шинсй 13-1, датчик 12-П - шиной 13-П да-пчик 12-F - шиной , датчик 12-1Ушиной 13-1У. Все шины в каждой группе (А, Б, В и Г) выходят на контакты, расположенные на противоположных сторонах границы 14 между соседними группами, причем один контакт любой шины находится на левой границе, а другой - на правой. Шина 11-1У на контакты 15-л и 15-п, .шина 11-UU 16л и 16п, шина 11-И - 17л и 17п, шина 11-1 - 18л и 18п, шина 7-19л и 19п, шйна 8 - 2Ол и 20п, шина 13-1 21л и 21п, шина 13-П-22л и 22п, шина 13-Ш - 23л и 23п, шина 13-1У 24л и 24п. На границах между группами контакты расположены следующим образом: 15п на уровне 1вл, 16п - 17л, 17п - 1вл, 19п- 19л, 2Оп - 20л, 21п - 22л,22п - 23л, 23п - 24i. Поэт(иу шина И-1У группы А соединена последовательно с шинами 11-Ш группы Б, 11-1 группы В и 11-1 группы Г, шкна 7 группы А соединена последовательно с шинами -8 группы Б, В и Г, шии на 8 группы А соединена последовательно с шинами 8 групп Б, В к Г, шина 13-1 группы А соединена последовательно с шинами 13-.П группы Б, 13-UI группы В и 13-1У группы Г. Шина 11 управления генерагс ов от контактов 15л и 18п подключена к выходу блока 25 заПИОН, вход которого подключен ко входу 26 накопителя. Шина 13 .управления датчиков .от контакта 21л и 24п подключена ко входу блска 27 считывания, выход ,28 которого является выхсасм накопигейя. Вход 26 накопителя подключен к блоку 29 управления, синхронизирукмцего работу блоков 25 и 27 и блок магнит ной с.истемы 30, состоящего из ортогональных катушек i31 и 32, создающих вращающееся магнитное поле1 в плоскости кристалла, В кахздой группе регистр 4 вывсйа (жанчивается аннигилятором 33 доменов. Аннигиляторы 33 раоСоставЕЕтель Ю. Розентйль Редактор М. Дылын Техред С.Мигунова Корректор С. Шекмар

Заказ 9779/7ОТираж 656Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам иэо етёний и открытий 113О35, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

fr 52,, 22n23n /4n 12-1 fOn //

JJ