Накопитель для доменного запоминающего устройства Советский патент 1987 года по МПК G11C11/14 

на Поверхности которой расположены регистры хранения информации 3, соединенные через соответствующие репликаторы-переключатели ЦМ,Ц первой 4 и второй 5 групп и соответствующие регистры вывода.информации первой 6 и второй 7 групп соответственно с первым 8 и вторым-9 элементами считывания ЦМД, первую группу генераторов 10 ЦМД, взаимосвязанных проводниковой шиной генерации 11 и соединенных че- ,рез регистры ввода информации первой

1

Изобретение относится к вычислительной технике,и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является повышение быстродействия накопителя.

На чертеже изображена блок-схема предлагаемого накопителя.

Накопитель для доменного запоминающего устройства содер7 аит магнито- одноосную пленку 1 с ЩЩ 2, на поверхности которой расположены регистры 3 хранения информации, соединенные через соответствующие репликаторы- переключатели ЦМД первой 4 и второй 5 групп и соответствующие регистры вывода информации первой 6 и второй 7 групп соответственно с первым 8 и вторым 9 элементами считывания ЦМД первую группу генераторов 10 ЦМД, бзаимосвязанных проводниковой щиной 11 генерации и соединенные через регистры 12 ввода информации первой группы с одноименными регистрами 3 хранения информации, регистры ввода информации второй группы 13, переключатели ЦМД первой 14 и второй 15 групп, вторую 16, третью 17 и четвер- тую 18 группы генераторов ЦМД, репликаторы-переключатели 4 и 5 ЦМД магнитосвязаны шиной 19 вывода, а переключатели 14 и 15 ЦМД взаимосвязаны шиной 20 ввода. Цифрами 21 и 22 обоз- начены позиции, занимаемые ЦМД во время работы накопителя.

Накопитель работает следующим образом.

группы 12 с одноименными регистрами хранения информации 3, регистры ввода информации второй группы 13, переключатели ЦМД первой 14 и второй 15 групп, вторую 16, третью 17 и четвертую 18 группы генераторов ЦМД. Репликаторы-переключатели ЦМД групп 4 и 5 магнитосвязаны ишной вывода 19, а переключатели ЩЦ групп 14 и 15 взаимосвязаны шиной ввода 20. Цифрами 21 и 22 обозначены позиции, занимаемые ЦМД во время работы накопителя, 1 ил,

В режиме записи в проводниковую шину 11 генерагщи подаются импульсы тока записи с частотой, равной удвоенной частоте поля управления Е, При нахождении вектора поля управления Н в положении I ЦМД записываемого блока информации фиксируются на магнитомягкой аппликации генераторов 10 ЦМД, При дальнейшем вращении поля Н, записанные биты параллельно сдвигаются в регистрах 12 ввода информации. Во вторую половину каждого периода изменения поля управления (вектор Н в положении III) подает.ся следующий импульс тока записи, осущест- ВЛЯЮ1ЦИЙ параллешьньй ввод ЦМД от генераторов 16 ЦМД в регистры 13 ввода. Следует отметить, что в момент зарождения ЦМД в генераторах 10 и 16 ЦМД аналогичная информация генерируется генераторами 18 и 17 ЦМД. Однако, если информация от генераторов.10 и 16 иКД поступает соответственно в регистры 12 и 13 ввода, информация от генераторов 18 и 17 ЦМД выводится через регистры 7 и 6 вывода соответственно на элементы 9 и 8 считывания ЦМД. Таким образом, в течение каждого такта поля управления осуществляется параллельный ввод в регистры ввода информации обеих групп двух очередных битов записываемых информационных блоков. Аналогично вводятся остальные разряды записываемых блоков информации с одновременным сдвигом ранее записанных битов в регистрах ввода через переключатели 14 и 15 ввода в регистры 7 и 6 вьшода информации. При этом за счет того, что разрядность каждого i-ro регистра ввода больше разрядности соответствующего i-1 регистра ввода на один разряд через К тактов с начала генерации информации (К.- число регистров хранения в накопителе) на переключатели первой группы поступают 1, 2,...,К разряды первого информационного блока, а во второй половине того же такта на входы переключателей второй группы поступают 1,2,...,К разряды второго информационного блока. Для ввода в регистры хранения первого информационного блока в шину 20 ввода информации подается импульс тока ввода при нахождении вектора ЬЦ в положении I. При этом первый информационный блок из позиций 21 переключателей первой группы параллельно вводится в 1,2,...,К регистры хранеНИН информации. Во втором полутакте К-го такта (вектор Н, находится в положении III) аналогичным образом че

рез переключатели 15 ЦМД в К, К-

-,..., регистры хранения вводятся 1,2,..,,К разряды второго информационного блока..Все оставшиеся в регистрах ввода информации домены через переключатели ЦМД первой и второй групп поступают в регистры вьгео- да второй и первой групп и далее через элементы считывания ЦМД выводятся за пределы рабочей зоны накопителя,

В режиме разрушающего считывания выводимые первый и второй информационные блоки поступают на вход репликаторов-переключателей в позиции 22. В этот момент времени в шину 19 вывода подается импульс тока вывода, в результате чего первый информационный блок параллельно поступает в первый регистр вывода и далее к первому элементу 8 считывания ЦМД. Через половину такта (вектор Н находится в положении III) разряды второго считываемого блока поступают в позиции 22 переключателей-репликаторов второй группы. Подача импульса тока вывода в шину 19 вызывает параллельный вывод разрядов блока в регистры вывода второй группы и далее к второму элементу считывания ЦМД. В связи с тем, что разрядность каждого i-ro регистра вывода на разряд меньше разрядности соответствующих (i-l)-x регистров выводов, биты считываемых блоков последовательно поступают на первьш и второй элемент считывания со сдвигом в половину такта поля управления Ну, т.е. в течение каждого такта выводятся одноименные биты первого и второго считываемых блоков информации.

( Вывод информации в режиме неразрушающего считывания аналогичен расQ смотренному режиму разрушаемого считывания и отличается наличием операции копирования выводимых битов первого и второго информационных блоков в моменты нахождения вектора Н в

5 положениях II и IV соответственно. Для этого в соответствующие моменты времени в шину 19 подаются импульсы- репликации. Таким образом в каждом такте работы устройства могут быть

0 осуществлены операции ввода или вывода двух битов информации, что позволяет удвоить скорость обмена информацией в накопителе.

5 Формула изобретения

Накопитель для доменного запоминающего устройства, содержащий маг- нитоодноосную пленку, на поверхности

0 которой расположены регистры хранений информации, соединенные через соответствующие репликаторы-переключатели цилиндрических магнитных доменов первой и второй групп и соответg ствующие регистры вывода информации первой и второй групп соответственно с первым и вторым элементами считывания цилиндрических магнитных доме- нов, первзпо группу генераторов ци0 линдрических магнитных доменов, соединенных через регистры ввода информации первой группы с одноименными регистрами хранения информации, отличающийся тем, что, с

5 целью повьш1ения быстродействия накопителя, он содержит вторую группу регистров ввода информации, группы переключателей цилиндрических магнитных доменов, вторую, третью и четверg тую грзпппы генераторов цилиндрических магнитных доменов, выходы генераторов цилиндрических магнитных доменов второй группы соединены с входами регистров ввода информации второй груп

g пы, каждый из которых через соответ- ствуюш51е переключатели цилиндрических магнитных доменов второй группы взаимосвязан с соответствующими регистром хранения информации и регист5 13255606

ром вывода информации первой группы,каждый переключатель цилиндрических выходы генераторов цилиндрических.магнитных доменов первой группы маг- магнитных доменов третьей и четвер-1ттосвязан с одноименным регистром той групп соединены соответственно сввода информации первой группы, ре- входами одноименных регистров вывода гистром хранения информации и регист- ниформации первой и второй групп,ром вывода информации второй группы.

Изобретение относится к вьгчисли- тельной технике и может быть использовано при построении запоминанщих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение быстродействия накопителя. Накопитель для доменного запоминающего устройства содержит магнитоодноосную пленку 1 с.ЦМД 2, (Л со ю ел сл о