Ячейка памяти для полупостоянногозАпОМиНАющЕгО уСТРОйСТВА Советский патент 1981 года по МПК G11C17/00 

1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении полупостоянных запоминающих устройств (ППЗУ.

Известна ячейка памяти для ППЗУ, содержащая магнитопровод, выполненный из двух различных материалов магнитомягкого и магнитотвердого 1Г1 .

Такие ячейки памяти очень устойчивы к вибрациям и воздействию сильных магнитных полей, что обуславливает целесообразность использования их в особо трудных условиях эксплуатации, но имеют весьма существенный недостаток - сложность изготовления.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является ячейка памяти для ППЗУ, содержащая магнитопровод, выполненный из термомагнйтного материала р .

Запоминающие устройства на основе подобных носителей характеризуются, высокой надежностью, но при использовании эффекта Керра или Фарадея имеют сложную технологию изготовления.

Цель изобретения - упрощение и повышение надежности ячейки памяти для ППЗУ.

Поставленная цель достригается тем, что ячейка памяти для ППЗУ, содержащая магнитопроводы с расположенным между ними магнитомодуляционным элементом , прошитые шинами записи/ считывания и числовой шиной, и замыкаиощее ярмо, содержит токопроводящую термомагнитную ленту из магнитотвердого материала, расположенную между магнито0проводами и замыкающим ярмом.

На фиг.1 приведена конструкция ячейки памяти для ППЗУ; на фиг.2 характеристика тёрмомагнитной ленты.

5

Ячейка ПШ4ЯТИ для ППЗУ содержит магнитопроводы 1 и 2, между которыми расположен магнитомодуляционный элемент, состоящий из перемычек 3-5, токопроводящую термо0 магнитную ленту б из магнитотвердого материала, замыкгиоцее ярмо 7 и шины записи 8, считывания 9 и числовую 10.

До тех пор, пока температура ленты

5 меньше критической Тц , коэрцитивная сила HQ ленты равна Н , а при некотором превьЕйении Т коэрцити вная скла равна Hj,, причем

30

н,

H.