Способ измерения тепловой постояннойВРЕМЕНи пЕРЕХОд-КОРпуС пОлупРОВОд-НиКОВыХ пРибОРОВ Советский патент 1981 года по МПК G01B5/18 

1

Изобретение относится к технике измерения параметров полупровод шковьи приборов и может быть использовано для оценки качества и предельных возможностей приборов в различных режимах эксплуатации.

Известен способ измерения тепловых постоянных времени полупроводниковых приборов по кривой остывания. В этом способе {сривая остывания снимается с Экрана осциллографа, строится в полулогарифмическом масштабе и аппроксимируется отрезками прямых линий, точки пересечения которых определяют набор тепловых постоянных времени прибораИЛ

Недостатками известного способа являются низкая точность, большое врем измерения, отсутствие непосредственного отсчета измеряемой величины.

Наиболее близким к предлагаемому является способ измерения тепловой поСТОЯ1ШОЙ времени переход-корпус мощных полупроводниковых приборов, заключающийся в измерении с помощью

интегрального ИК-радиометра потока ИК-излучения с поверхности полупроводникового прибора при подаче на Него .разогревающей мощности f2j.

К недостаткам этого способа относятся низкая точность измерения и отсутствие непосредственного отсчета измеряемой величины.

Цель изобретения - повышение точности измерения тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводниковых приборов.

Указанная цель достигается тем, что в способе измерения тепловой постоянной времени переход- 1корпус полупроводниковых приборов путем измерения с помощью интегрального ИК-радиометра потока ИК-излучения с поверхности полупроводникового прибора при подаче на него разогревающей мощности , подаваемую разогревающую мощность, изменяют по

X 7

гармоническому закону с частотой, близкой к величине обратной тепловой постоянной времени переход-корпус, и по отнсшеияю сигналов с ИК-радиометра, измеренных при двух различных частотах изменения разогревающей мощности, определяют тепловую постоянную времени переход-конус.

На чертеже представлена функциональная схема устройства, реализующего предлагаемый способ для мощных транн зисторов.

Устройство содержит блок 1 питания, исследуемый транзистор с коллектором 2, базой 3 и эмиттером 4-, включeнныЙJ например, по схеме с общим эмиттером без нагрузки в коллекторной и эмиттерной цепи и генератор низкой частоты 5, подключенный к базе исследуемого транзистора интегральный ИК-радиометр 6,; подключенный ко входу селективного вольтметра 7,

Способ обеспечивает возможность непосредственного контроля- исследуемых характеристик полупроводниковых приборов.

Формула изобретения

Способ измерения тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводниковых приборюв путем измерения с помощью интегрального ИК-радиометра потока ИК-излучения с поверхности полупроводникового прибора при подаче на него разогревающей мощности, отличающийся тем, что, с целью повыщения точности измерения, подаваемую разогревающую мощность изменяют по гармоническому закону с частотой, близкой к величине обратной тепловой постоянной времени пepexoд-кo|5пycJ по отнощению сигналов с ЙК-радиометра измеренных при двух различных частотах изменения разогревающей мощности, определяют тепловую постоянную времени переход-корпус.

Источники информации, прирштые во внимание при экспертизе

1.Николаевский И. Ф., Игумнов Д. В. Параметры и предельные режимы работы транзисторов М., Советское радио 197 с. 154-159.

2.Конструкции корпусов и тепловые свойства полупроводниковых приборов. Под ред. Н. И. Горюнова М., Энергия , 1972, с. 34.

А А 41

У///////////////////А