Устройство для контроля толщиныКРиСТАлличЕСКиХ плАСТиН ВпРОцЕССЕ дОВОдКи Советский патент 1981 года по МПК G01B11/06 

Описание патента на изобретение SU813133A1

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ

КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН В ПРОЦЕССЕ ДОВОДКИ

нераторы опорных напряжений, .выходами связанные соответственно с первыми входами фазометра и синхронного детектора, вторые входы которых подключены к выходам соответствующих селективных усилителей.

На фиг. 1 изображена схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 положение интерференционных максимумов при различных толщинах кристаллической пластины (т - порядок интерференции, A-(j- рабочая длина волны света); окружностями, эллипсами и прямыми линиями обозначены соответственно круговая, эллиптическая и линейная поляризация света после компенсатора для длины волны Ар ; на фиг. 3 - форма и относительная амплитуда электрического сигнала на выходе фотоприемника в зависимости от азимута вращающейся четвертьволновой фазовой пластины для различных состояний поляризации света после компенсатора.

Устройство содержит источник 1 света, монохроматор, роль Которого может выполнить, например, светофильтр 2, линзу 3, поляризатор 4, кo 1пeнcaтop 5, помещенный в термостат б с защитными окнами 7 и 8, чевертьволновую Фазовую пластину 9, вращающуюся с круговой частотой (i) от электродвигателя 10, неподвижный анализатор 11, линзу 12 и фотоприемник 13. Электрическ.ий сигнал с Лотоприемника 13 разделяется на два. Один из них через селективный усилитель 14, настроенный на частоту 2 ой, поступает наодин из входов фазометра 15, Генератор опорного напря/хения, подаваемого на второй вхо гЪазометра 15, состоит из диска 16 с двумя отверстиями 17, расположенными по окружности через 180, лампы 18 накаливания и фтороприемника 19. Другой электрический сигнал через селективный усилитель 20, настроенный на частоту 4оу, поступает на оди .из входов синхронного детектора 21. Генератор опорного напряжения, подаваемого на второй вход синхронного детектора, состоит из того же диска 16, но с четырьмя отверстиями 22, расположенными по окружности через 90° и смещенными по радиусу относительно отверстий 17, лампы 23 . и фотоприемника 24.

Компенсатор 5 представляет собой две плоскопараллельные пластины из кристаллического кварца одинаковой толщины, заключенные в оправу (на фиг.Л не показана), наклоняющуюся вокруг горизонтальной оси. Пластины вырезаны параллельно оптической оси, ориентированы друг относительно друга так, что их главные сечения взаимно перпендикулярны и закреплены в оправе так, ч.то главное сеч ние одной из пластин паргшлельно

оси вращения оправы, т.е. горизон- тально. В .этом случае увеличение угла наклона компенсатора соответствует увеличению вводимой им ра.зности фаз.

Плоскости поляризации поляризатора 4 и анализатора 11 должны быть взаимно параллельны и составляют, углы главными сечениями контролируемой кристаллической пластины 25 и пластин компенсатора 5. Устройство работает следующим образом.

Интенсивность светового потока, падающего на фотоприемник 13, определяется следующей формулой: 5 I |O(A--B sin + C COS 4u)t) , (1)

где -,

0 6 - Sin6 ;

C - cosS-. 4Здесь Др - максимальная интенсивность светового потока, - суммарная разность фаз контролируемой пластины и компенсатора на длине волны Х.

Контролируемую фазовую пластину 25 помещают в термостат 6. Первоначально компенсатором 5 дополняют

0 дробную часть порядка интерференции контролируемой пластины 25 до значения 0,25 или 0,75, при которых свет, выходящий из компенсатора 5 поляризован по кругу. Критерием этого является отсутствие составляющей сигнала с частотой , наблюдаемой на синхронном детекторе 21. При этом показание компенсатора 5, предварительно отградуированного, дает

Q возможность определить дробную часть порядка интерференции кристаллической пластины 25.

Дробная часть порядка интерференции кристаллической пластины 25, а значит и избыток ее толщины, однозначно определяется, из одного показания компенсатора 5, соответств.ующего отсутствию составляющей электрического сигнала с частотой 4aj, одновременно регистрируя фазу составляющей электрического сигнала с частотой 2си.

Таким образом, введение четвертьволновой фазовой пластины, вращаемой JJ с постоянной частотой, и выполнение электронно-регистрирующего блока двухканальным позволяет значительно упростить процесс контроля и повысить его точность. i

Формула изобретения

Устройство для контроля толщины кристаллических пластин в процессе доводки, содержащее последовательно устаустановленные и оптически связанные источник света, монохроматор, поляризатор, компенсатор, анализатор и фотоприемник, электронный регистрирующий блок, отличающеес тем, что, с целью повышения точност измерений, оно снабжено четвертьволновой фазовой пластиной, установленной перед анализатором с возможностью вращения с постоянной частотой вокруг оптической оси, а регистрирующий блок выполнен в виде двухканальной cxei«3, один из каналов которой содержит селективный усилитель, настроенный на удвоенную частоту вршаения пластины, и фазометр, а другой - селективный усилитель, настроенный на учетверенную частоту вращения пластины, и синхронный детектор, и оба канала содержат генераторы опорных напря жений, выходами связанные соответственно с первыми входами фазометра и синхронного детектора, вторые входы которых подключены к выходам соответствую1дих селективных усилителей.

Источники информации,

0 принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР № 344265, кл. G 01 В 11/06, 1972.

2.Авторское свидетельство СССР 121240, кл. G 01 В 11/06, 1959 (прототип).

S

m-Jтm- 1

ЛЛЛ

Лд

О

ЛАА

Л

/У7-/ IQ /Пffj.)

ЛАЛ

ЛАл

Т-/m/rr- /

I Vt А A

ff

Jl/Tt Ha 9олнь1 фиг.2

ь

Азимдт фазово и п/ ае/пиил

.3

Похожие патенты SU813133A1

название год авторы номер документа
Устройство для контроля толщины кристаллических пластин в процессе доводки 1985
  • Кузнецов Борис Васильевич
SU1330459A1
Устройство для контроля толщины кристаллических пластин в процессе доводки 1987
  • Кузнецов Борис Васильевич
SU1479823A2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДВУЛУЧЕПРЕЛОМЛЕНИЯ 1985
  • Гамарц Е.М.
  • Добромыслов П.А.
  • Крылов В.А.
SU1365898A1
Устройство для контроля полупроводниковых материалов 1990
  • Гамарц Емельян Михайлович
  • Дернятин Александр Игоревич
  • Добромыслов Петр Апполонович
  • Крылов Владимир Аркадьевич
  • Курняев Дмитрий Борисович
  • Трошин Олег Филиппович
SU1746264A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПОЛНОЙ РАЗНОСТИ ФАЗ СВЕТА 1991
  • Старостенко Б.В.
  • Никитин В.В.
  • Ерохин С.А.
RU2014576C1
Устройство для определения углов наклона подвижного объекта 1988
  • Терехов Сергей Петрович
  • Пономарев Андрей Владимирович
  • Герасимов Игорь Михайлович
SU1569544A1
РЕФРАКТОМЕТР 1972
SU335585A1
Поляриметр 1971
  • Пеньковский Анатолий Иванович
  • Адагамова Римма Тауфиковна
  • Куликов Николай Николаевич
SU488121A1
Способ измерения величины двойного лучепреломления полимерных материалов 1983
  • Айрапетьянц Гайк Минасович
  • Старовойтов Анатолий Григорьевич
SU1141315A1
Оптикоэлектронный трансформатор тока 1979
  • Брызгалов Виктор Алексеевич
  • Крастина Антонина Дмитриевна
  • Зубков Владимир Павлович
SU917098A1

Иллюстрации к изобретению SU 813 133 A1

Реферат патента 1981 года Устройство для контроля толщиныКРиСТАлличЕСКиХ плАСТиН ВпРОцЕССЕ дОВОдКи

Формула изобретения SU 813 133 A1

SU 813 133 A1

Авторы

Иоффе Симон Борисович

Кузнецов Борис Васильевич

Родионов Евгений Петрович

Даты

1981-03-15Публикация

1978-12-18Подача