Мостовой транзисторный конвертор Советский патент 1981 года по МПК H02M3/335 

транзисторов 7 и 8 соединены с катодами диодов 10 и 11 и с концами вторичной обмотки 3 трансформатора 1, Базы транзисторов 5 и 6 соединены с катодами диодов 12 и 13 и с концами вторичной обмотки 4 трансформатора 1. Аноды диодов 10 - 13 образуют общую точку, к которой подсоединен конец нагрузки 14. Другой конец нагрузки 14 подсоединен к плюсу источника 9 питания. Схема работает следующим образом.. Если -открыты транзисторы 5 и 7, т напряжение источника 9 питания, прикл дывается к первичной обмотке 2 транс форматора 1 и уравновешивается ЭДС этой обмотки. Полярность ЭДС вторичных обмоток 3 и 4 такова, что трансформаторы 5 и 7 поддерживаются в открытом, а транзисторы б и 8 в закрытом состоянии. Ток базы транзистора протекает но следующему контуру: плю источника 9, нагрузка 14, диод 13, вторичная обмотка 4 трансформатора переход база-эмиттер транзистора 5, минус источника 9. К диоду 12 прикла дывается напряжение, равное ЭДС, нав денной во вторичной обмотке 4. Ток базы транзистора 7 протекает по контуру: переход база-эмиттер т)анзистора 7, первичная обмотка 2 трансформатора 1, переход коллекторэмиттер транзистора 5, источник 9, нагрузка 14 диод 10, вторичная обмотка 3 трансформатора 1. Диод 11 запирается напряжением, равным ЭДС, наведенной во вторичной обмотке 3 трансформатора 1. . Рассмотрев пути замыкания базовых .токов, можно сдел-ать вывод, чтр ток нагрузки является суммой базовых токов транзисторов 5 и 7. Под действием напряжения, приложенного к первичной обмотке 2 транс Форматора 1, перемагничивается его сердечник. В момент насыщения сердечника резко возрастает намагничивающий ток трансформатора 1. Вследствие роста коллекторного тока транзисторы 5 и 7 выходят из состояния насыщения. Падение напряжения на них растет, вследствие чего уменьшается ЭДС обмотки трансформатора 1, а следовательно, и токи базы транзисторов 5 и 7. Коллекторные токи транзисторов 5 и 7 уменьшаются, ЭДС обмоток трансформатора меняют знак, транзисторы 5 и 7 закрываются, открываются транзисторы б и 8. Далее процессы в схеме повторяются. Из анализа работы схемы видно, что на нагрузке 14 получается постоянное напряжение, по величине равное сумме напряжения источника питания и напряжения, наведенного во вторичной обмотке. При использовании транзисторов р-п-р типа полярность включения источника питания и диодов 1013 изменяется на обратную. Формула изобретения Мостовой транзисторный конвертор с токовой обратной связью, содержащий трансформатор с первичной обмоткой, включенный в диагональ моста из четырех транзисторов и с двумя вторичными обмотками, каждая из которых зашунтирована .цепочкой из двух встречно-последовательно соединенных диодов, общие точки диодов цепочек объединены и подключены к минусовому выходному зажиму конвертора, о т л ич а ю щ и и с я . тем, что, с целью улучшения массогабаритных показателей и повышения КПД конвертора, каждая из вторичных обмоток трансформатора, соответственно подключена к базам одной из пар транзисторов, общая точка которых соединена с одним из входных.зажимов для подключения источника питания. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США 3149291, кл, Н 02 М 3/335, 1972. 2.Авторское свидетельство СССР 377945, кл. Н 02 М 3/335, 1970.