Устройство для моделирования температурныхРЕжиМОВ гибРидНыХ МиКРОСХЕМ Советский патент 1981 года по МПК G06G7/56 

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРНЫХ РЕЖИМОВ ГИБРИДНЫХ МИКРОСХЕМ

Количество транзисторов на подложке равно количеству тепловыделяющих источников и может меняться в зависимости от исследуемой схемы. Измерение температуры может производиться в условиях герметично закрытого корпуса микросхемы.

Принципиальная электрическая схема устройства-предусматривает подключение к эмиттеру каждого транзистора отдельного генератора разогревающего тока и не зависит от электрической схемы моделируемого устройства.

Изобретение значительно повыщает точность моделирования, так как моделируется тепловой режим внутри герметичного корпуса.

Формула изобретения

Устройство для моделирования температурных режимов гибридных микросхем, содержащее герметичный корпус с выводами и транзисторы, отличающееся тем, что, с целью повышения точности устройства, в нем базы транзисторов соединены с шиной нулевого потенциала, коллекторы транзисторов подключены к одному из выводов корпуса эмиттер каждого транзистора соединен с соответствующим выводом корпуса.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Guntlow V. Т. Thermal design and packaging of hybrid integrated circuits «Electronic Components 1969, №9, p. 1046.

2.Авторское свидетельство СССР

№ 432541, кл. G 06 G 7/56, 1974 (прототип).