Способ изготовления преобразователей телевизионных изображений Советский патент 1986 года по МПК H04N5/74 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕЛЕВИЗИОННЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ, включающий нанесение на подложку прозрачного проводящего и диэлектрического слоев, формирование фоточувствительного слоя контакта, данного слоя с электрооптической средой, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и улучшения качества преобразователей, для формирования фоточувствительного слоя на диэлектрический слой приклеивают полированную и протравленную с приклеиваемой стороны пластину полупроводника и полируют ее до толщины 10-100 мкм.±(Л

IS X-44 4 S. J Изобретение относится к оптоэлек ронике, в частности к технологии изготовления преобразователей телевизионных изображений и может быть использовано для создания устройств ввода, преобразования и пространственной модуляции света. Известен способ изготовления преобразователей телевизионных изо ражений на основе структур, содержа 1ЦИХ фоточувствитёльный и электрооптический слои, заключенные между прозрачными электродами. В данном способе монокристалличе кая пластина полупроводника полируется с обеи- сторон до толщины 150200 мкм. Поверхность кристалла подвергается протравливанию, что необходимо для снятия дефектного поверх ностного слоя толщиной примерно 1 мк Затем на обеих сторонах полупроводниковой пластины образуются тонкие (0,2 мкм) слои диэлектрика, например, термическим окислением в сухом и влажном кислороде или осаждением из газовой фазы твердых слоев диэлектриков. Поверх одного из диэлектриков наносится проводящий пол прозрачный слой, например никелевый К другому диэлектрику примыкает электрооптический слой, например электролюминофор, который осаждают химическим способом из раствора. Та КИМ образом формируется преобразова тель изображения. Такой способ создания преобразов телей изображений обладает следующи недостатком. Укaзaннa технология не позволяет изготовить полупроводниковый слой для преобразователей толщиной менее 150 мкм, поскольку уже при этих толщинах поверхность полупроводниковой пластины обладает . значительной кривизной, а при меньших толщинах кристалл не обладает необходимой механической прочностью Преобразователи изображений, создан ные по указанной технологии, обладают малой разрешающей способностью низким оптическим качеством. Наиболее близким техническим реш нием к данному изобретению является способ, при котором на две стеклянные подложки наносят прозрачный эле тропроводящий слой SnOj толщиной около 0,04 мкм и поверхностны сопротивлением около 30 Ом/квадрат, затем на одну из подложек на токопроводящий слой наносят методом термического напыления в вакууме слой сульфида кадмия толщиной 16 мкм. Режим нанесения слоя сульфида кадмия (температура подложки, скорость напыления) выбраны так, что при напылении поверх слоя сульфида кадмия последующего слоя теллурида кадмия, образуется плавная варизонная структура с фоточувствительностью в области 500-520 нм. Поверх токопроводящего слоя на второй подложке наносят вакуумным напылением слой двуокиси кремния, который является ориентирующим покрытием для жидкого кристалла, который заливается в промежуток, образованный с помощью прокладок между первой и второй подложкой. Недостатками такого способа изготовления преобразователей изображений являются: большая сложность создания фоточувствительного тонкопленочного гетероперехода с варизонной структурой; технология не обеспечивает повторяемости результатов в серии образцов и однородности свойства по площади для единичного образца; узкий спектральный диапазон чувствительности преобразователей изображения . Целью изобретения является упрощение технологии и улучшение качества преобразователей. Цель достигается тем, что для формирования фоточувствительного СЛОЯ на диэлектрический слой приклеивают полированную и протравленную с приклеиваемой стороны пластину полупроводника и полируют ее до толщины 10-100 мкм. Последовательность выполнения предлагаемого способа поясняется чертежом. На чертеже изображены подложка 1 (стекло, плавленный кварц), прозрачное проводящее покрытие 2, диэлектрический слой 3 (двуокись кремния, двуокись титана), пластина 4 полупроводникового монокристалла, жидкий кристалл 5, подложка 6 с проводяпщм покрытием. Фоточувствительный слой выполняется следующим образом. На подложку. 1 из плавленного кварца толщиной 10 мМ и диаметром 40 мм наносят проводящее прозрачное покрытие 2 из + 9% SnOg методом

электронно-лучевого испарения в вакууме. Это покрытие имело толщину О,1 мкм и поверхностное сопротивление 65 Ом/квадрат. Поверх проводящего слоя наносят методом химического осаждения 4-х слойное композиционное покрытие 3 из двуокиси титана двуокиси кремния общей толщиной 0,35 мкм. Пластину 4 кремния толщиной 2 мм и диаметром 2 см полируют с одной стороны по оптическому классу точности (шероховатость поверхности менее 0,04 мкм, отклонение от плоскости менее 1 мкм). Обработкой кремния в полирующем травителе СР-4А снимают поверхностный поврежденный слой и этой поверхностью клеят полупровод никовый кристалл к диэлектрическому слою. Затем полупроводниковый кристалл полируется до толщины 20 мкм и травится. Этот фоточувствительный слой используется совместно со слоем жидкого кристалла 5 толщиной 2 мкм. В качестве последнего применяют смесь азоксисоединений с эфиронитрилом.

Настоящее изобретение позволяет преобразовать телевизионные изображения в реальном времени с высокой оптической однородностью.