Полупроводниковое времязадающееуСТРОйСТВО Советский патент 1981 года по МПК H03K5/153 

{54)ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ВРЕМЯЗАДАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО 38 Поставленная цель достигается тем, что в полупроводниковое времязад ающее устройство, состоящее из покрытой диэлектриком полупроводниковой подложки одного типа проводимости, инжектора и коллектора другого типа проводимости, расположенных на диэлектрике резистивного электрода и выводов от инжектора, коллектора и резистивного электрода, введена дополнительная резистивная область с увеличивающейся по линейному закону шириной, которая соединена по кромке с резистивным электродом и расположена на диэлектрике. При этом толщина диэлектрика под дополнительной резистивной (эбластью в 3-7 раз больше толщины диэлектрика под резистивным электродом, На фиг. 1 представлена конструкция времязадающего устройства; на-фиг. 2 разрез А-А на фиг. I, Устройство содержит вывод 1 инжектора,инжектор Область) резне-тивный электрод 3, дополнительную резистивную 1область 4, П область заземляемый вывод 6 резистивного электрода и подложки выводы 7 для неразрушающего считывания инфор;мации о задержанном сигнале, потенциальный вьшод 8 резис1 1вного электрода, коллектор. 9 (,Р область) , вывод 10 коллектора, кромку 1I резистивного элект рода, диэлектрик 12, подложку 13 (птипа, обедненный носителями заряда канал 14, резистор 15 на толстом диэлектрике, введенный для уменьшения количества источников питания. Дополнительная резистивная область 4 соединена с резистивным электродом 3 по кромке 11. Выводы 1,6,7,8 и 10 дополнительная резистивная область 4 резистор 15 расположены на толстом диэлектрике, а под резистивным элетг родом 3 толщина диэлектрика умень- шена в 3-7 раз. Работает устройство следующим образом. При приложении к выводу 1 относительно вывода 6 достаточного постоянного и переменного или импульсного напряжения инжектор 2 инжектирует в под ложку носители заряда.К выводу 8 электР9Да прикладывается напряжение такой ве личины, чтобы в подложке 13 под резистивным электродом 3 создался обедненный носителями заряда канал 1А. Инжек тированные инжектором в подложку носители заряда захватываются обедненным каналом и распространяются вдоль него по направлению к коллектору 9 под действием тянущего электрическогЬ поля, созданного напряжением. К выводу 10 коллектора прикладывается напряжение,смещагацее коллектор в обратном направлении. Его обедненная область смыкается с обедненным каналом и вьюодит носители заряда. На сопротивлении коллекторной нагрузки создается выходной сигнал. Использование нового элемента дополнительной резистивной области .4 позволяет создать в обедненном канале уменьшающуюся по мере приближения к коллектору напряженность поля. Захваченные обедненным каналом носители заряда, продвигаясь вдоль него, притормаживаются,, так как их скорость пропорциональна напряжен-. ности поля. Это вер.ет к увеличению амплитуды поверхностной концентрации носителей заряда по мере приближения к коллектору и, как следствие, к уменьшению затухания сигнала. В предлагаемом устройстве уменьшение амплитуды поверхностной плотности заряда за счет влияния диффузии и наведенного поля компенсируется увеличением поверхностной плотности заряда за счет притормаживания передвигакщихся вдоль канала носителей заряда нелинейным продольным полем в канале.. Формула изобретения 1. Полупроводниковое времязадаю-. щее устройство, состоящее из пoкJ ытой диэлектриком полупроводниковой . подложки одного тип, проводимости, инжектора и коллектора другого типа проводимости.расположенных на диэлектрике резистивного электрода и вьтодов от инжектора, коллектора и резистйвног.6 электрода, о т л и ч а ю- щ е е с я тем, что, с целью уменьшения затухани-я сигнала, в. нег.о введена дополнительная резистивная область с увеличивающейся по линейному закону шириной, которая соединена по кромке с резистивным электродом и расположена на диэлектрике; 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что толщина диэлектрика под дополнительной резистивной областью в 3-7 раз больше