йнешней поверхности пластины А и В имеют углубления - ячейки 3. Вся внешняя поверхность пластины, включая и поверхность ячеек, покрыта электродом 2. Пластины А и В отполяризованы по толщине (направление вектора поляризации в них показано стрелками).
Ячейки на пьезокерамические пластины можно наносить методом фотолитографического травления. Перед травлением пластины покрывают слоем фоторезиста, на который с помощью фотошаблона наносят изображения ячеек. Глубина, диаметр и плотность ячеек выбираются в зависимости от заданной механической прочности и чувствительности к изгибу. Электроды наносят на поверхности пластин, например, методом вжигания серебряной пасты.
Предлагаемый пьезокерамический датчик перемещений обеспечивает более высокую чувствительность при повышенной механической прочности.
Формула изобретения
Пьезокерамический датчик перемещений, содержащий две пьезокерамические пластины, поляризованные по толщине, с нанесенными на их поверхности электродами, жестко соединенные по общей плоскости в единый биморф, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности к изгибу и увеличения механической прочности, на пьезокерамических пластинах со стороны внещних электродов сформированы ячейки, при этом внешние электроды покрывают поверхность пластины и ячеек. Источники информации,
принятые во внимание при экспертизе
1.С. В. Sawyer. Puoc IRE, v. 19, XI, 1931, p. 2019-2020.
2.Глозман И. Н. Пьезокерамика. М., 1967, с. 141-142 (прототип).
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления пьезокерамических преобразователей | 1980 |
|
SU942242A1 |
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2011 |
|
RU2472253C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНЫХ СТРУКТУР ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ И МИКРОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО, СОДЕРЖАЩЕЕ АКТИВНЫЕ СТРУКТУРЫ | 2020 |
|
RU2749070C1 |
БОЛОМЕТР ПОВЫШЕННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ | 2020 |
|
RU2753158C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИЗОБРАЖЕНИЯ | 2014 |
|
RU2559302C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА | 2012 |
|
RU2522714C2 |
Способ определения прочности клеевого соединения пьезокерамических материалов | 1987 |
|
SU1460681A1 |
ВСТРАИВАЕМАЯ С СБИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНИ ПАМЯТЬ "MRAM" И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) | 2012 |
|
RU2532589C2 |
ПОЛУПАССИВНОЕ БИМОРФНОЕ МНОГОСЛОЙНОЕ ГИБКОЕ ЗЕРКАЛО | 2005 |
|
RU2313810C2 |
ЯЧЕЙКА ЕМКОСТНОГО МИКРООБРАБОТАННОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНО ПРИЖАТОГО ТИПА С ЗАГЛУШКОЙ | 2012 |
|
RU2595800C2 |
Авторы
Даты
1981-05-07—Публикация
1979-06-14—Подача