Датчик магнитного поля Советский патент 1981 года по МПК G01R33/02 

(51) ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Изобретение прелнаэначено для из мерения пространственной неоднородности магнитного поля н, в частности,-для считывания информации с маг нитной ленты, как индикатор дефектов в ферромагнетиках по их полям рассеивания. ilBBecTHO устройство для измерени магнитного поля, представляющее собой электронную лампу. Под действием магнитного поля, направленного паргшлельно оси катода, часть электронов закручивается вокруг катода и не долетает до анода. По величине анодного тока лампы судят о напряженности поля (1. Недостатком устройства является диапазон измерений, так как оно работает в п(элях, превышающих кpитJИ le кое поле..Кроме того, на результат измерений оказывает влияние поле, перпендикулярное оси катода. Известен датчик магнитного поля, содержащий вакуумный баллон с размещенными в нем плоским катодом и двумя составными анодами, каждый из которых содержит четыре секции, рас положенные таким образом, что две с ции каждого из анодов размещены по одну сторону от катода, а две другие - по другую сторону. Секции каждого из анодов крестообразно соединены между собой. Устройство размещается внутри катушки, с током с Двумя секциями. Поля секций либо параллельны, либо антипаралЛет ьны. Электронные потоки в различных частях датчика отклоняются под воздействием противоположного или одинаково направленных магнитных полей. В результате этого происходит перераспределение анодных токов-и разбаланс схемы измерительного моста 2. Однако возможность попадания на баллон датчика прошедших между секциями электронных потоков приводит к накоплению зарядов на балЛдне и, следовательно, к искажению электрических полей внутри лампы, что, в свою очередь, влияет на рас ределение Электронных потоков. Это происходит при любом направлении магнитного поля, как вдоль оси катода, так ив перпендикулярномнаправлении. В конечном счете защищенность и точность измерения снижается. . Цель изобретения - повышение точ иости. Цель достигается тем, что в .дат- чике магнитного поля, содержащем вакуумный баллон с аксиально размещенными в нем изолированными цилиндрическими анодными секциям и катодом, две анодные секции выполнены идентичными и расположены с зазором друг относительно друга .и между третьей анодной секцией и катодом, симметрично Относительно него, при этом третья анодная секция расположена симметрично относительно зазора между первой и второй анодными Секциями. На чертеже показано устройство, осевое сечение. Датчик магнитного поля содержит вакуумный баллон (на чертеже не пок зан) с размеченными в нем изолирова ными анодными секциями , имеющим цилиндрическую конструкцию и расположенными аксиально, и катодом 4. Идентичные анодные секции 1 и 2 рас полагаются симметрично относительно катода 4 с образованием зазора между ними, а третья анодная секция 3 имеет больший .диаметр и расположена симметрично относительно зазора меж ду анодными секциями 1 и 2. Устройство работает следующим образом. На анодные секции 1 и 2 подается одинаковый положительный потенциал, на секцию 3 подается более высокий положительный потенциал относительно катода 4. Благодаря симметрии устройства величина токов в анодных секциях 1 и 2 одинакова в отсутств магнитного поля. Однородное магнитное поле, независимо от его направл ния относительно оси катода 4 также че вызовет изменения распределения электронных потоков относительно анодных секций d и 2. Неоднородное магнитное поле, направленное перпендикулярно оси катода 4, приводит к перераспределению электронных потоков между анодными секциями 1 и 2, так как благодаря разной величине отклонения электронных потоков с противоположных сторон от катода произойдет изменение величины потоков, падающих на анодные секции 1 и 2.Перераспределение электронных потоков может быть зафиксировано с помощью индикатора, включенного между анодными секциями 1 и 2. Формула изобретения Датчик.магнитного поля, содержащий вакуумный баллон с аксиально размещенными в нем изолированными цилиндрическими анодными секциями и катодом, отличающийся тем; что, с целью повышения точности, две анодные секции выполнены идентичными и расположены с зазором друг относительно друга и между третьей анодной секцией и катодом, симметрично относительно него, при этом третья анодная секция расположена симм трично относительно зазора между первой и второй анодными секциями. Источники .информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР 154674, кл. G 01 R 33/02, 1961. 2.Авторское свидетельство СССР 612193, кл. G 01 R 33/02, 1976.