Магниторезисторный датчик для считыванияцилиНдРичЕСКиХ МАгНиТНыХдОМЕНОВ Советский патент 1981 года по МПК G11C7/00 G11C11/14 G11C11/155 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Известен магниторезисторный датчик для считывания ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположена пластина из магниторезистивного материала, и токопроводящие шины 1. Такие датчики изготавливаются из материала, отличного от материала аппликаций : .(обычно Ni - СО, а аппликации Fe - Ni), выполняются в от дельном технологическом цикле, и поэтому применение их усложняет конструкцию ЦМД-устройств и удорожает производство. Наиболее близким техническим решением к изобретению является магниторезисторный датчик для считывания ЦМД, содержащий магнитоодноосную , на которой расположена группа последовательно соединенных ферромагнитных аппликаций, например шевронной формы, и токопроводящие шины, соединенные с крайними ферромагнитными аппликациями группы. Такой датчик изготавливается в одт ном технологическом цикле с другими аппликациями и находится в одной плоскости с токовводами 2. Однако движение растянутого ЦМД через такой датчик ограничено по магнитному смещению снизу из-за того, что растянутый ЦМД взаимодействует с токопроводящими шинами из магнитного материала, доменная граница цепляется за их края. Это существенно сужает область устойчивой работы такого датчика по магнитному полю смещения. Цель изобретения - повышение надежности магниторёзисторного датчика для считывания ЦМД. Поставленная цель достигается тем, что устройство содержит изолирующий слой,расположенный между магнитоодноосной пленкой и токопроводящими шинами.. На фиг. 1 показан магниторезисторный датчик, вид сверху (топология датчика) ; на фиг. 2 - разрс з А-А на фиг. 1. Магниторезисторный датчик длясчитывания ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1 с разделительным слоем 2, на которой расположена группд 3 последовательно соединенных