Запоминающее устройство Советский патент 1982 года по МПК G11C11/14 

t

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке накопителя ин формации на цилиндрических магнитных дсУменах (ЩД) для внешней памяти ЭВМ.

Известно запоминающее устройство (ЗУ), содержащее магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации, образующие основные замкнутые и два дополнительных канала про движения ЦМД, канал ввода-вывода ЦМД,магниторезисторные датчики, подключенные к дополнительным каналам продвижения ЦМД, переключатели ЦМД и токопроводящая шина.-Это ЗУ является помехоустойчивым, так как в нем осуществлдется вывод информации в парафазном коде по двум выходным каналам, подключенным к двум магниторезистивным датчикам ill.

Недостатком такого ЗУ с парафазным считыванием информации является

невысокая надежность из-за недостаточно надежной работы узла перераспределения ЦМД-информации в па зафазную ЦМД-информацию. Кроме того,построение такого ЗУ осложняется дополнительной токопроводящей шиной и дополнительной электроникой.

Наиболее близким к изобретению является ЗУ, содержащее магнитоод10ноосную пленку с ЦМД, на которой расположены основные замкнутее и два дополнительных канала продвижения ЦМД из ферромагнитных аппликаций, канал ввода-вывода ЦМД, магниторе 5зистивные датчики, подключенные к дополнительным каналам продвижения ЦМД, переключатели ЦМД, связанные с каналом ввода-вывода ЦМД, и токо.проводящая шина, магнитосвязанная

20 с каналом ввода-вывода ЦМД. Операция парафазного перераспределения инфорг мации в этом ЗУ совмещена с операциями считывания информации и для

391

их обеспечения необходима одна токопроводящая шина Г2.

Недостатком известного ЗУ является его относительная сложность из-за наличия дополнительных устройств стирания ЦМД в основных замкнутых каналах продвижения ЦМД и вспомогательной электроники.

Цель изобретения - упрощение ЗУ.

Поставленная цель достигается путем того, что в ЗУ переключатели ЦМД магнитосвязаны с дополнительны|ми каналами продвижения ЦМД посредством токопроводящей шины, расположенной под переключателями ЦМД и соответствующими аппликациями первого дополнительного канала продвижения ЦНД..

Первый дополнительный канал продвижения ЦМД выполнен из К-образных ферромагнитных аппликаций, а второйиз, серпообразных ферромагнитных аппликаций , причем К-образные ферромагнитные аппликации магнитосвязаны друг с другом концами двух наклонных перемычек, а каждая из серпообразных ферромагнитных аппликаций магнитосвязана одним концом с двумя смежными К-образными ферромагнитными аппликациями первого дополнительного канала продвижения ЦМД, а другим концом - с внешней стороной смежной серпообразной аппликации.

На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого ЗУ.

ЗУ содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации 3 шевронной, С-образной и У-об-. разной формы, образующие основные замкнутые каналы k продвижения ЦМД, имеющие переключатели 5 ЦМД с выступами 6-8, первый дополнительный канал 9 продвижения ЦМД с аппликациями 10 К-образной формы, имеющими наклонную перемычку 11 с концом 12, наклонную перемычку 13 с концом It, сторону 15 с концами 1б и 17..второй дополнительный канал 18 продвижения ЦМД с аппликациями 19 серпообразной формы, имеющими первые 20 и вторые 21 концы и внешние 22 стороны аппликаций, образующие узел 23 магнитной связи, канал ввода-вывода ЦМД с аппликациями 25, аппликации 26 и 27 связывающие канал 2k с каналами k, магнйторезистивные датчики 28 и 29, подключенные к каналам 9 и 18, токопроводящая шина 30, расположенная

6184

областями 31 под перемычками 11 и 13 К-образных аппликаций 10, областями 32 и 331 соответственно, под выступами 6 и 8 переключателей 5 каналов

5 4 и имеющая выводы Устройство содержит генератор 35 записи информации, генератор 36 записи единиц и ограждение 37, выполненное из аппликаций 3

10 В основе работы предлагаемого ЗУ лежат известные методы управления перемещением ЦМД с помощью ферромагнитных аппликаций и вращающегося в плоскости магнитоодноосной пленки управляющего магнитного поля, .а также с помощью магнитных полей,создаваемых токопроводящими шинами при пропускании по ним импульсов тока. Управляющее поле наводит в аппликациях магнитные полюса А, Б, В, Г, . взаимодействие которых с ЦМД обеспечивает движение последних.

Работа двух групп основных замкнутых каналов, двух групп выходных

25 каналов, двух групп датчиков, генераторов и т.д. отличается друг от друга только тем, что все операции и режимы происходят со сдвигов по времени друг относительно друга на

30 180. Поэтому рассмотрим pa6oty только одних из этих групп.

ЗУ на ЦМД работает следующим образом.

Перед началом работы ЗУ из генератора Зб записи единицпоступают ЦМД 2 в канал 9- Рассмотрим основные режимы работы ЗУ на ЦМД с парафазным считыванием информации.

При осуществлении режима записи ЦМД-информации (в каналы 4) от генератора 35 в канал 2 поступает информация в виде наличия (единица) или отсутствия ЦМД (нуль). При положении В вектора управляющего поля

ЦМД оказываются в позициях 12 и 14 аппликаций 10. В этот момент по шине 30 с областями и выводами 34 подают импульс тока длительностью, равной половине периода поля Ну. В положении А вектора Н в позициях 12 и 14 оказываются отталкивающие полюса и ЦМД переходят вдоль участков шины 30 в позиции 7 аппликаций 5 каналов 4, т.е. осуществляется аапись ЦМД-информации в каналы 4,

Режим стирания информации из ка-. 1алов 4 осуществляется одновременно с режимом записи информации в моменты: В-А вектора поля Ну. В момент В вектора Н ЦМД находятся под концами аппликаций 5- При положении Г вектора Н ЦМД каналов 4 находятся в позициях 6. При положении А вектора Н ЦМД переходят из позиций 6 каналов вдоль участков шины 30 под аппликации 26 и далее, продвигаясь под аппликациями 26 и 27, поступают в канал 2k, вызывая тем самым стирание информации в каналах Ц, При осуществлении режима считывания информации, находящейся в каналах k, в момент положения вектора HVJ между векторами А и В подают импульс тока длительностью, равной три четверти периода. В случае если считывается единица,.то в этот момент ЦМД находятся в позициях 8 аппликаций 5- При подаче импульса тока В каждой из аппликаций 5 происходит деление ЦНД на два домена, а при положении В вектора HN, в позициях 7 аппликаций 5. возникают отталкивающие полюса,-и одни из разделенных ЦМД переходят вдоль участков шины 30 в позиции 12 и I, а другие остаются в каналах 4; В этот же момент за сче протекания тока по участкам 31 шины 30 происходит растяжение ЦМД в позициях 12 и It канала 2 и осуществляется взаимодействие с ЦНД канала 9В результате этого взаимодействия ЦМД канала 9 из-под концов 20 перёхо дят вдоль аппликаций 19 под их средние части 22 и далее, продвигаясь по каналу 18, считываются датчиком 29В случае, если считываются нули, то описанных деления и переключения ЦМД не происходит и ЦМД канала 9 беспрепятственно проходят узел 23 магнитной связи и считываются датчиком 28, вызывая на выходе устройства сигналы-активных нулей противоположных по отношению к сигналам единиц полярности. Предлагаемое ЗУ на ЦМД с пара.фазным считыванием информации обладает следующими преимуществами: упрощается построение ЗУ с парафазным считы- ванием информации путем исключения дополнительных устройств стирания ЦМД, уменьшения количества выводов и появления удобств, связанных с односторонним обращением к основным замкнутым каналам. Формула изобретения 1. Запоминающее устройство, содержащее магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на которой расположены основные замкнутые и два дополнительных канала продвижения цилиндрических магнитных доменов из ферромагнитных аппликаций, канал ввода-вывода цилиндрических магнитных доменов, магниторезистивные датчики, подключенные к дополнительным каналам продвижения цилиндрических магнитных доменов,переключатели цилиндрических магнитных доменов, связанные с каналом вводавывода цилиндрических магнитных доменов, и токопроводящая шина, магнитосвязанная с каналом ввода-вывода цилиндрических магнитных доменов, о тличающ-ееся тем, что, с целью упрощения устройства, переключатели цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с дополнительными каналами продвижения цилиндрических магнитных доменов посредством ,токопроврдящей шины, расположенной под переключателями цилиндрических магнитных доменов и соответствующими аппликациями первого дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов. 2. Устройство по п. 1, о т л и чающееся тем, что первый дополнительный канал продвижения цилиндрических магнитных доменов выпол нен из К-образных ферромагнитных аппликаций, а второй - из серпообразных ферромагнитных аппликаций, причем К-образные ферромагнитные аппликации магнитосвязаны друг с другом концами двух наклонных перемычек, а каждая из серпообразных ферромагнитных аппликаций магнитосвязана одним концом с двумя смежными К-образными ферромагнитными аппликациями первого дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов, а другим концом - с внешней стороной смежной серпообразной аппликации. Источники информации, принятые во внимани е при экспертизе 1,. Авторское свидетельство СССР tf 526017, кл. G.11 С n/li, 1976. 2. Авторское свидетельство СССР № 69192, кл. G 11 С 11/1, 1977 (прототип).