Генератор линейно-изменяющегосяНАпРяжЕНия Советский патент 1981 года по МПК H03K4/08 

I

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах автоматики и вычислительной техники.

Известен генератор фантастронного тийа, содержащий задающий генератор на составном транзисторе, дополнительный третий транзистор, конденсаторы и резисторы (1.

Недостатком устройства является его существенная нелинейность.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является генератор линейно изменяющегося напряжения, содержащий первый транзистор, эмиттер которого подключен к общей шине устройства, база через первый резистор, а коллектор через последовательно соединенные второй и третий резисторы подключены к щине первого источника питания, второй транзистор, коллектор которого через четвертый резистор подключен к шине первого источника питания, а через последовательно соединенные первый конденсатор и пятый резистор - к базе первого транзистора, треftm TffeH3HCTOp, коллекторно-базовый переход которого подключен параллельно второму кс«денсатору, одна из обкладок которого подключена к общей шине устройства, эмиттер третьего транзистора через шестой резистор подключен к шине второго источника .тгитания, а коллектор соединен с эмиттером второго транзистора, первый и второй диоды 2.

Недостаток известного устройства - невозможность получения больших значений амплитуды формируемого напряжения.

Цель изобретения - повышение амплитуды выходного напряжотия.

Поставлегшая цель достигается тем, что геиератор линейно изменяющегося напряжения, содержащий первый транзистор, змиттер которого подключен к общей шине устройства, база через первый резистор, а коллектор через последовательно соединенные второй и третий резисторы подключены к шине первого источника питания, второй транзистор, коллектор кот(Ч)ого через четвертый резистор {юдключен к шине первого источника питания, а через последовательно соединенные первый кондассатор и пятый резистор - к базе первого транзистора, третий транзистор. 3 коллекторно-базовый переход которого подключен параллельно второму конденсатору, одна из обкладок которого подключена к общей шине устройства, эмиттер третьего транзистора через шестой резистор подключен к шине второго источника питания, а .коллектор соединен с эмиттером второго, транзистора, первый и второй диоды, введен Ьграничительный элемен, подключенньш парал лельно переходу база-эмиттер второго транзйстора, база которого через первый диод . подключена к точке соединения, второго и третьего транзисторов, а второй диод подкдют чен параллельно переходу база-эмиттер первого транзистора. ;, На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства. Устройство содержит транзистор 1, пер&Ь1Й: 2, второй 3 и третий 4 резисторы, второй транзистор 5, четвертый резистор 6, первый конденсатор 7, пятый резистор 8, третий тран зистор 9, второй конденсатор Ю, шестой резистор И, ограничительный элемент 12 и дио ды 13 и 14. Устройство работает следующим образом. При подаче питающего напряжения происходит заряд второго конденсатора 10 (обратный ход пилообразного напряжения) через резистор 6 и транзистор 5. Транзистор 5 находится в насьоценном состоянии, а транзистор 1 - в закрытом. При заряде конденсатора 10 до напряжения, по величине близкого напряжению питания, происходит лавинообразное запирание транзистора 5 и отпирание транзистора 1 и начинается разряд второго кондшсатора 10 через токостабилйзирзнщий транзистор 9. Когда .напряжение на переходе эмиттербаза транзистора 5 становится приблизителшо равным нулю, последний приоткрывается, что приводят к уменьшению тока транзисто.ра 1. Происходит лавинообразное запирание транзистора 1 и насыщение транзистора 5. образом, процесс формирования линейно изменяющегося напряжения на ксязденсаторе. 10 пбЬторяется. Обратное напряжение на переходе эмиттербаза транзистора 5 имеет значителшо меньшую величину, чем в известном, что позволяет по.выешь амплитуду выходного напряжения. Для защиты от пробоя приме;{ены диод 13 и ограничительный элемент 12. Величина сопротивления диода, находящегося под обратным напряжением, имеет большую величину. В то же время щюд не препятствует прохождению базового тока открытого транзистора 5. Таким образом, обратное напряжение на переходе эмиттер база транзистора 1 равно прямому падению напряжения на диоде 14, а на пер ходе эмиттер-база транзистора 5 равно падению напряжз1ия на ограничительном злементе 12... Формула изобретения линейно изменяющегося напряжения, содержащий первый транзистор, эмиттер которого подключен к общей щине устройства база через первый резистор, а коллектор через последовательно сое191ненные второй и третий резисторы подключены к шине первого источника питания, второй транзистор, коллектор которого через четвертый резистор подключен к 1шше первого источника питания, а через последоватетно соединенные первый конденсатор и пятый резлсюр - к базе первого транзистора, третий транзистор, коллекторно-базовый пе{)еход подключен параллельно вт(фому конденсатору, одна из обкладок которого подключ а к общей шине устройства, эмиттер третьего транзистора через шестой резистор подключен к шине второго источни-: .ка питания, а коллектор соединен с эмиттером второго транзистора, первый и второй диоды, о т л и ч а.ю щ и и с я тем, что, с целью повышения амплитуды выходного напряжения, в него введен ограничэтельный элемент, подключ енный парадле11ьн6 переходу база -эмиттер второго транзистора, база которого через Первый д;иод подклнмета к точке соединения второго и третьего резисторов, а второй диод подключен параллельно переходу база-эмиттер первого транзистора. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское сввдетельство СССР N 441650, кл. Н 03 К 4/S8, 09.10.75. 2.С|фавочник по импульсной технике. Под ред. В. Н. Яковлева, Киев, Техника, 1973, с. 435, рис. 13.6.

О 4о -