Изобретешие относится к температурным измерениям и может быть испол зовано для определения температуры среды с помощью сегнетоэлектрика. Известен способ измерения температуры среды, основанный на пироэлектрическом эффекте в сегнетоэлектриках. Температуру среды определяют по изменению спонтанной поляризации размещенного в ней сегнетозлектрического кристалла fl J. Недостатком способа является зависимость результатов измерения от геометрии образца сегнетоэлектрйка, его диэлектрических свойств. При нагревании сегнетоэлектрйка выше точки Кюри он деполяризуется, в результате чего возникает необходимость в порторион поляризации, что приводит к плохой воспроизводительности градуировочной характеристики от образца к образцу и недостаточной точности измерения. Наиболее близким к предлагаемому является способ измерения температуры среды, основанный на тепловом эф фекте Баркгаузена, заключающийся в том, что определяют количество импульсов в виде электрических сигналов, соответствующих скачкам переполяризации в единицу времени, обусловленным изменением доменной структуры сегнетоэлектрического кристалла под действием температуры, и затем по градуировочной характеристике определяют температуру .среды Г21. Недостатком способа является низкая точность измерения. Цель изобретения - повышение точности измерения. Поставленная цель достигается тем, что на еегнетоэлектрик воздействуют постоянным электричским полем, величину напряженности которого выбирают в пределах, о-р 0,3 кВ/см до значения, соответствующего электрическому пробою сегнетоэлектрйка. Пример. Сегнетоэлектрическую керамику толщиной О, мм и диаметром 38 1 см на основе ЦТС помещают в воздуш ную среду, температура которой изменяе тся со скоростью 0,5 град/с в интервале от 50 С до 310 С. После приложения к кристаллу постоянного электрическо го поля с помощью пересчетного устро ства измеряют электрические импульсы соответствующие скачкам переполяризации сегнетозлектрика в единицу вре мени и- затем по полученной ранее гра дуировочной зависимости определяют температ уру среды. В таблице приведены результаты из мерения , Приложение, .к сегнетоэлектрику постоянного электрического поля суще4ственно повышает точность измерения, увеличивай на порядок число скачков переполяр1 зации кристалла, Чувств1 тельность способа составляет 1- 10| имп/с- град. Применение предлагаемого способа позволяет I улучшить воспроизводимость градуировбчных температурных характеристик сегнетоэл.ектрика от образца к образцу Iнезависимо от их формы и состояния jполяризации. Формула изобретения Способ |измереНия температуры среды, заключающийся в определнии количества имцульсов, соответствующих скачкам пе1реполяризации в единицу времени, {размещенного в среде сегнетоэлектри еского кристалла с последующим опр;еделением температуры по градуирово:чной характеристике, отличающийся тем, что, с целью повьш1ения |точности измерения, на сегнетоэлектр1€К воздействуют постоянным электрическим полем, величину напряженности которого выбирают в пределах от 0,3| кВ/см до значения, соответствующего электрическому пробою сегнетоэлектрика. Ис гочники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Най Дж. Физические свойства кристаллов1 Мир, 1967, с.99-102. 2.Константинова В.П. и др. Исследование теплового эффекта Баркгаузена в монокристаллах триглицинсульфата и триЫицинселената. - Кристаллография , I т, 20, 1975, вып.6, с. 1296I299 (прототип).
