Устройство для осаждения слоев изгАзОВОй фАзы Советский патент 1981 года по МПК H01L21/00 

Описание патента на изобретение SU843028A1

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

Похожие патенты SU843028A1

название год авторы номер документа
Устройство для осаждения слоев из газовой фазы 1974
  • Иванов Вадим Иванович
SU567491A1
Устройство для осаждения слоев из газовой фазы 1982
  • Абдурахманов Борис Маликович
  • Кустов Иван Федорович
  • Николайкин Николай Иванович
  • Рогачев Борис Вениаминович
  • Сигалов Эдуард Борисович
  • Харченко Валерий Владимирович
SU1089181A1
УСТРОЙСТВО ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ 1991
  • Баранов В.Н.
  • Волков Н.С.
  • Сигалов Э.Б.
  • Коротков М.Л.
  • Любушкин А.И.
  • Марков Е.В.
  • Фрыгин Г.Л.
  • Верещака А.П.
  • Овечкин А.А.
  • Савин И.И.
RU2014670C1
CVD-РЕАКТОР СИНТЕЗА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ 2021
  • Сурнин Олег Леонидович
  • Чепурнов Виктор Иванович
RU2767098C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ 1991
  • Конончук И.И.
RU2010043C1
Устройство для осаждения слоев из газовой фазы 1979
  • Иванов Вадим Иванович
  • Сигалов Эдуард Борисович
  • Капустин Николай Михайлович
  • Николайкин Николай Иванович
SU905342A1
CVD-РЕАКТОР И СПОСОБ СИНТЕЗА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ 2008
  • Синельников Борис Михайлович
  • Тарала Виталий Алексеевич
  • Митченко Иван Сергеевич
RU2394117C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ПОДЛОЖКАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ 1990
  • Захаров А.А.
  • Нестерова М.Г.
  • Пащенко Е.Б.
  • Шубин А.Е.
SU1800856A1
РЕАКТОР С ПОДЛОЖКОДЕРЖАТЕЛЕМ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ 2010
  • Манжа Николай Михайлович
  • Титов Александр Игоревич
  • Стеблин Сергей Александрович
RU2448205C1
Устройство для осаждения слоев 1978
  • Мытарев Николай Михайлович
  • Фомин Глеб Афанасьевич
  • Иванов Вадим Иванович
  • Гуров Виктор Степанович
  • Корзинкин Вячеслав Степанович
  • Насонов Виктор Семенович
  • Воробьев Вячеслав Лаврентьевич
  • Помозов Вячеслав Иванович
SU796246A1

Иллюстрации к изобретению SU 843 028 A1

Реферат патента 1981 года Устройство для осаждения слоев изгАзОВОй фАзы

Формула изобретения SU 843 028 A1

1

Изобретение относится к изготовлению установок для осаждения слоев из парогазовой фазы с лучистым нагревом и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем для проведения процессов эпитаксиального наращивания кремния,, нитрида кремния низкотемпературного осаждения легированных слоев SiO,j и т.д.

Известна установка осаждения слоер из парогазовой фазы с лучистым нагревом 1.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является устройство для осаждения слоев из газовой фазы, содержащее реактор, выполненный в виде двух коаксиально установленных кварцевых оболочек, с размещенным в нем подложкодержателем, водоохлаждаемые отражатели с излучателями, расположенные с его внешней стороны, и систему подачи и отвода газовой смеси 2.

Недостатками известных устройствявляются неравномерность нагрева подложек и низкая надежность.

Цель изобретения - повышение равномерности нагрева подложек и повышение надежности.

Указанная цель достигается тем, что в устройстве для осаждения елоев из газовой фазы, содержащем реактор, выполненный в виде двух коаксиально установленных кварцевых оболочек, с размещенным в нем подложкЬдержателем, водоохлаждаемые отражатели с излучателями, расположенные с его внешней стороны, и систему

0 подачи и отвода газовой смеси, наружная кварцевая оболочка реактора выполнена в виде набора цилиндрических стержней, плотно прилегающих друг к другу по образующим.

5

На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.

Устройство для осаждения слоев из газовой фазы включает -в себя че0тыре водоохлаждаемых отражателя 1, вн-утри которых установлены .в ша хматном порядке по высоте излучатели 2 типа галогенных,или газоразрядных ламп. С отражателями 1 состыкованы

5 фланцы 3 с коллекторами подачи 4 и отвода 5 воздуха, охлаждающего уплотненный в них кварцевый реактор 6. В фланцах 3 закреплена кварцевая оболочка 7, являющаяся внешней стенкой реактора 6. Кварцевая оболочка 7

выполнена в виде набора цилиндривеских стержней 8, плотно прилегающих друг к другу по обраэукш.им. Кварцевый реактор 6 уплотнен крышкой 9 и имеет устройства подачи 10 и отвода 11 газовой смеси. В крышке 9 установлен вращаемый подложкодержатель 12 в виде тонкосте.нной усеченной пирамиды, на гранях которой размещены полупроводниковые подложки 13.

Отражатели 1 с установленными на них элементами закреплены в герметичном каркасе 14, в который нагнетается охлаждающий колбу излучателей 2 воздух.

Устройство работает следующим образом.

Оболочка 7 обеспечивает светорассеивание лучистых потоков, так как каждый цилиндрический стержень 8 является линзой с минимальным фокусным расстоянием. В результате наличия большого числа- линз обеспечивается перераспределение и выравнивание лучистых потоков по поверхности пирамиды, что уменьшает влияние явления полосатости нагрева Воздушное охлаждение реактора б и излучателей 2 осуществляется двумя параллельными потоками воздуха, один из которых поступает из коллектора 4, другой - из каркаса 14 через отверстия 15 для установки излучателей 2. Потоки воздуха объединяются в коллекторе 5, причем воздух от излучателей 2 поступает через неплотности между стержнями 8 за счет избыточного статического давления в каркасе 14. При взрыве реактора б куски кварца ударяются в цилиндрические стержни 8 и их кинематическая энергия гасится, в то время

как взрывная волна может беспрепятственно пройти через неплотности между ними и погаситься в большом объеме. f

Таким образом, кварцевая оболочка 7 выполняет несколько функций: рассеивает лучистые потоки, падающие на подложкодержатель, выравнивает температурные поля, организует воздушные потоки в щелевом зазоре у поверхности реактора б, гасит взрывную волну и защищает излучатели и отражатели от механических повреждений. При этом конструкция устройства упрощается.

Формула изобретения

Устройство для осаждения слоев из газовой фазы, содержащее реактор, выполненный в виде двух коаксиально установленных кварцевых оболочек, с размещенным в нем подложкодержателем, водоохлаждаемые отражатели с излучателями, расположенные с его внешней стороны, н систему подачи и отвода газовой смеси, отличающееся тем, что, с целью повышения равномерности нагрева подложек и повышения надежности, наружная Кварцевая оболочка реактора выполнена в виде набора цилиндрических стержней, плотно прилегающих друг к ДРУГУ по образующим.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Обзоры по электронной технике.

Полупроводниковые приборы

Сер.

вып. П, Ч.1, ПМ., 1975.

2. Авторское свидетельство СССР 180271, кл. 21 h S/02, 1964 (прототип).

SU 843 028 A1

Авторы

Баранов Валентин Николаевич

Иванов Вадим Иванович

Даты

1981-06-30Публикация

1979-06-18Подача