Датчик проходящей сверхвысокочастотнойМОщНОСТи Советский патент 1981 года по МПК G01R21/04 

Изобретение относится к радионзмери- тельной технике. Известен датчик проходящей сверхвы- сокочастотной мощности, содержащий установленный и корпусе полупроводни ковый термопа|эный элемент цилиндрической формы и объемную поглощающую наса ку 1. Однако известный датчик не обеспечивает, высокой точности. Цель изобретения - повышение точности путем обеспечения контроля характеристик термопарного элемента в процес се эксплуатации . Для этого : в датчике прохояяшей свер высокочастотной мощности, содержащем установленный в корпусе полупроводниковый гермопарный элемент цилиндрической формы и объемную поглощающую насадку, между торцом полупроводникового термо- парного элемента и объемной поглощазсйдей ндсадкой размещен плоский резистор, имеющий тепловой контакт с полупроводниковым гермопарным элементом к изолированный ог него по постоянному току. На чертеже приведена конструкция датчика. Датчик проходящей сверхвысокочастот ной мощности содержит установленный в корпусе 1 полупроводниковый тер мопарный элемент 2 цилиндрической формы и объемную поглощающую насадку 3, причем между торцом элемента 2 и насадкой 3 .размещен плоский резистор 4, имеющий тепловой контакт с элементом 2 и изолированный от него по п рстоян-. ному току. Датчик работает следующим образом. Его устанавливают в отверстие небольшого диаметра в стенке волновода. Мощность СВЧ ответвляется из передающего тракта через отверстие и за счет потерь в обь- емной поглощающей насадка 3 нагревает горец полупроводникового элемента 2. к которому щэипаян гщовод 5. Другой конец элемента 2 через корпус 1 соерннен С волноводом и имеет с нам одвнаковую

температуру. Возникающая разность температуры создает на концах элемента 2 гермо-ЭДС. которая является мерой мощности СВЧ. Для проверки характеристики элемеига 2 без источника мощности СВЧ на резистор 4 подают мощность постоякког тока, которая нагревает резистор и измеряет термо ЭДС с датчика.

Таким образом, в датчике по сравнению с прототипом обеспечивается контроль харгистеристикполупроводникового термо- парного элемента в процессе эксплуатации, что повьииает точность.

Формула изобретения

Датчик прокодящей сверхвысокочастот- ной jviotuHocTH , содержащий установленный

в корпусе полупроводниковый термопарный элемент цилиндрической формы к объемную поглощающую насадку, о т л и ч а ющ и и с я тем, что, с целью повышения точности путем обеспечения контроля характеристик термопопарного элемента в процессе эксплуатации, между торцом полупроводникового термопарного элемента и объемной поглощающей насадкой размещен шюс;л1 резистор, имеющий тепловой контакт с полупроводниковым термопарным элементом и изолированный от него по постоянному току.

Источники информации,

принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 187847, кп. Q 01 R 21/О4, 1964

(прототип). 20