Шихтованный многорамный магнитопро-ВОд иНдуКциОННОгО АппАРАТА Советский патент 1981 года по МПК H01F27/24 

1

Изобретение относится к электротехнической промы.шленности, в частности к трансформатороотроению.

Известен шихтованный многорамный магнитопровод, в котором пластина центрального стержня пересекает пластины ярма внутренних и внешней рам 1. Это приводит к дополнительным потерям в узловой зоне магнитопровода.

Известен также магнитопровод, содержащий внешнюю и внутренние рамы, состояшие из стержней и ярем, набранных из отдельных слоев пластин электротехнической стали, смешенных относительно друг друга 2.

Данное устройство является наиболее близким к изобретению по технической суш,ности и достигаемому результату.

Недостатком такой конструкции является наличие вставки в узловой зоне, что приводит к дополнительным потерям в узловой зоне.

Целью изобретения является уменьшение потерь в стали магнитопровода.

Это достигается тем, что в шихтованном многорамном магнитопроводе, содержашем внешнюю и внутренние рамы, состоящие из стержней и ярем, набранных из отдельных слоев пластин электротехнической стали, смещенных относительно друг друга, стыкуются между собой по длинной стороне пластины ярем внешней и внутренних рам, а также пластины стержней различных рам.

На фиг. 1 и 2 показаны варианты выполнения магнитопровода.

Магнитопровод содержит внешнюю раму fO 1 и внутренние рамы 2 с воздушным зазором 3 между ними. Стержни 4 и ярма 5 рам набраны из отдельных слоев 6 электротехнической стали, смещенных относительно друг друга на величину Л, причем в магнитопроводе по фиг. 1 пластины ярем внешней и внутренних рам соприкасаются между собой по длинной стороне, а в магнитопроводе по фиг. 2 и пластины стержней также соприкасаются по длинной стороне.

Смещение А для магнитопровода на фиг. 1 равно Д 2-3мм. Смещения.же Л( и А 5 для магнитопровода на фиг. 2 различны и составляют примерно Л| 5-6мм, Л2 2-3 мм.