Детектор заряженных частиц и излучений Советский патент 1982 года по МПК G01T5/02 

вторичной электронной эмиссни 1000), например из MgO, и помещают его в сильное электрическое поле (для 100 мкм MgO - Ю В/см), направленное от поверхности МКП в глубь слоя. Это ноле образуется разностью потенциалов, приложенных к подложке эмиттера и входной поверхности МКП.

На чертеже изображен общий вид устройства.

Оно состоит из микроканальной нластины 1, на переднюю поверхность которой нанесен слой MgO 2 (толщиной 100 мкм и плотностью I-2% от нормальной). Верхняя (по чертежу) поверхность MgO покрыо

та -1000 А слоем А1 3, создающим электрический контакт слоя на MgO с проводящим кольцом 4, впрессованным в 5, выполненную из изоляционного материала (например тефлона). Между изоляционными щайбами 6 и 7 зажаты плотно прилегающая к нижней (по чертежу) поверхности МКП щайба 8 из медной фольги и диэлектрическая шайба 9, лежащая на поверхности коллектора 10. К верхней (по чертежу) поверхности МКП приклеен проводящим клеем контакт П, соединяющий верхнюю поверхность МКП с делителем напряжения 12. Проводящее кольцо 4 и щайба 8 также подключены к делителю напряжения 12 подпаянными выводами 13 и 14 соответственно. Для равномерной стяжки устройства, обеспечивающей параллельность зазора между МКП 1 и коллектором 10 (порядка одного миллиметра), все устройство стянуто тремя винтами 15, подпружиненными пружинами 16. Выходной сигнал снимается через разделительную высоковольтную емкость 17; сопротивление нагрузки обозначено позицией Г8.

Устройство работает следующим образом.

При прохолхдении регистрируемой частицы через слой MgO 2, в последнем возникают локализованные в месте прохождения частицы лавины вторичных электронов, которые вытягиваются электрическим полем, приложенным к слою MgO 2, на поверхность МКП 1 и после усиления в ней

собираются на коллекторе 10. Формируемый имоульс снимается известным способом.

Применение предлагаемого устройства, кроме малости вещества (-10 г/см2) д

пути регистрируемой частищы, позволяет сильно уменьщить поглощение вторичных электронов в слое эмиттера, обеспечить полный их сбор на поверхность МКП, а добиться увеличения их числа за

счет размножения в порах эмиттера, находящегося в электрическом поле. При расположении такого детектора под небольщим углом (порядка нескольких градусов) к регистрируемой частице можно добиться

100%-ной эффективности регистрации.

Формула изобретения

Детектор заряженных частиц и излучеНИИ, содерл а1щий коллектор, делитель напряжения, микроканальную пластину и расположенный на одной из ее торцовых поверхностей высокоэффективный эмиттер с высоким коэффициентом вторичной электронной эмиссии, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективности регистрации, эмиттер выполнен в виде диэлектрического пористого слоя с проводящим покрытием, электрически соединенным с делителем напряжения.

Р1сточники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.Люк К. Л. Юон, Ац Цзянь Сюн. Принципы и методы регистрации элементарных частиц. М., Изд-во «Иностр. лит., 1963, с. 111, 136, 314, 333.

2.Горн Л. С., Казанов Б. И. Спеострометрия ионизирующих излучений на космических аппаратах. М., Атомиздат, 1979, с. 208, (прототип).