Интегральная схема Советский патент 1988 года по МПК H01L27/06 

г

/I

/Т

7 В

f Фиг.1 Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, в частности к микросхемам предварительных усилителей низкочастотных сигналов от высокоомных источников, которые могут применяться в качестве предусилителей электретных микро фонов . Известна микросхема предваритель. кого усилителя низкой частоты, реалнзова шая на полевом транзисторе и диоде для отвода постоянного тока утечки затвора транзистора. Недостатком такого устройства является относительная сложность изготовления за счет того, что элементы схемы формируют в отдельных изолиро ванных р-п переходом областях онокристаллической подложки. Наиболее бтшзкой по технической сущности к устройству по изобретению является интегральная схема предварительного усилителя, содержащая полупроводниковую подложку с омическими контактом первого типа проводимости включающим область второго типа проводимости, в которой образован полевой транзистор с управ ляющим р-п переходом и областями сто ка, истока, а также верхнего затво сопротивление последовательно включенное с областью истока и диод. Недостатком такой интегральной схемы является высокий уровень шумо за счет наличия на входе диодной структуры с большой площадью перехо да, значительно превышающей площадь затворного перехода полевого транзистора, что снижает также входное сопротивление микросхемы. Кроме того, источником шумов являются и р-п перех-оды, разделяющие элементы микросхемы. Целью изобретения является сниже ние собственньпс шумов и повышение входного сопротивления. Поставленная цель достигается тем, что в известной интегральной схеме предварительного усилителя, содержащей полупроводниковую подлож ку с омическими контактом первого типа проводимости, включающей облас второго типа проводимости, в котор образован полевой транзистор с управляк. им р-п переходом,, а также с областями стока , истока и верхнего затвора, сопротивление, последовательно включенное с областью истока и диод, сопротивление сформировано в области второго типа проводимости, один из контактов которого расположен между контактами к подложке и области истока, а другой является общим с контактом к области истока. На фиг. 1 дан вид сверху на фиг.2разрез А-А на фиг. 1. Интегральная схема содержит полупроводниковую подложку 1, омический контакт 2, область второго типа проводимости 3, омический контакт к области стока 4, . омический контакт к области истока 5, верхний затвор 6, контакт сопротивления 7, сопротивление 8. Снижение собственных шумов в предварительном усилителе, а также повышение его входного сопротивлелия возможно в связи с тем, что все элементы интегральной схемы,- содержащей полевой транзистор, управляемый р-п переходом, диод во входной цепи и сопротивление в цепи истока, формируются на единой полупроводниковой подложке без изолирующих областей между ними, а сопротивление в цепи истока транзистора формируется как неотделимая от канала транзистора область с проводимостью, противоположной проводимости подложки, удаленный от канала конец этой области соединяется с положительным полюсом источника питания в случае р-канального транзистора. При этом в качестве диода для отвода тока утечки затвора транзистора используется р-п переход, образованный между подложкой и областью сопротивления. Входной омический контакт выполняется на поверхности подложки. Устройство по изобретению может быть использовано, например в миниатюрном электретном микрофоне, для миниатюрного слухового аппарата, а также для усиления слабых электрических сигналов от высокоомных датчиков информации, в качестве высокоомного входа измерительных усилителей и преобразователей переменных электрических сигналов в постоянный ток, в сенсорных системах управления.

АА

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА предварительного усилителя, содержащая полупроводниковую подложку с омическими контактом первого типа проводимое ти, включающим область второго типа проводимости, в которой образован полевой транзистор с управляющим р-п переходом, а также с областями стока, истока и верхнего затвора, сопротивление последовательно BKjra4eHное с областью истока и диод, о т .личающаяся тем, что, с целью снижения собственных шумов и повышения входного сопротивления, сопротивление сформировано в области второго типа щ)ов9димости, один из контактов которого расположен между контактами к подложке и области истока, а другой является общим с контактом к области истока. i (Л

Z 7

Фиг.1