Логический элемент и-или Советский патент 1981 года по МПК H03K19/168 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств переработки дискретной информации на ци линдрических магнитных доменах (ЦМД) Известно устройство, содержащее магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены входные и выходные каналы продвижения ЦМД, выполненные из Т- и ---образных аппликаций l. Недостатком этого устройства является малая область устойчивой работы. Наиболее близким техническим решением к изобретению является устройство, содержащее магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены входные и выходные канаоы продвижения ЦМД из С-образных ферромагнитных аппликаций.Работа известного устройства осуществляется в результате взаимодействия домена, поступившего на вход устройствау и токопроводящей аппликации с током, расположенной в месте соединения входных и выходных канализ продвижения ЦМД 2 Недостатком изв.естного устройства является его сложность, поскольку .оно содержит токопроводящую аппликацию. Цель изобретения - упрощение логического элемента И-ИЛИ. Поставленная цель достигается тем, что логический элемент И-ИЛИ, содержащий магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на поверхности которой расположены входные и выходные каналы продвижения магнитных доменов из С-образных ферромагнитных аппликаций, содержит в каждом из входных каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов Г-образные ферромагнитные аппликации, находящиеся в месте соединения входных и выходных каналов продвижения цилиндрических-магнитных доменов и магнитосвязанные с первыми С-образными ферромагнитными аппликациями выходных каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов, причем вертикальные перемычки Г-образных аппликаций расположены относительно друг друга под прямым углом. На чертеже изображена принципиальная схема устройства. Схема содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой размещены ферромагнитные аппликации 3 С-образной формы, образующие вертикальный 4 и горизонтальный 5 входные каналы продвижения ЦМД, соединяющиеся с вертикальным 6 и горизонтальным 7 выходными каналами прод вижения ЦМД. Входные каналы продвижения ЦМД содержит Г-образные ферромагнитные аппликации 8 и 9, находящиеся в месте соединения входных и вы ходных каналов продвижения ЦМД. В основе работы предложенного уст ройства лежит известный принцип упра ления перемещением ЦМД с помощью фер ромагнитных аппликаций и вращающегося в плоскости магнитоодноосной плен ки управляющего магнитного поля. Управляющее поле наводит в аппликациях магнитные полюса(позиции А, Б, В, г), взаимодействие которых с Щ1Д обеспечивает движение последних. Устройство работает следующим образом. ЦМД 2, поступающие на вход вертих кального входного канала 4, в соответствии с направлением вращения век тора управляющего поля через позиции Б, В, Г поступают в позицию АГ-образованой аппликации 8 и далее через позиции в,Б/В,Г,А горизонтальноговы ходного канала 7 проходят на его выход. ЦМД 2, поступающие на вход гори зонтального канала 5, в соответствии с направлением вращения вектора упра лякадего поля через позиции А, Б, В поступают в позицию ГГ-образной аппл кации 9, вертикальная перемычка кото рой расположена под прямым углом к вертикальной перемычке Г-образной ап пликации 8 вертикального входного ка нала 4. Если в момент поступления ЦМД 2 в позицию ГГ-образной аппликации 9 канала 5 в позицию ГГ-образной апплика ции 8 канала 4 не поступает ЦМД 2 при разновременной подаче ЦМД 2 на BKOffii каналов 4 и 5, то ЦМД вертикального выходного канала 6 беспрепятственно проходит в позицию А горизонтального выходного канала 7 и далее по позициям А, Б, В горизонтального выходного канала 7 поступает на его . Если же в момент поступления ЦМД 2 в позицию ГГ-образной аппликации 9 горизонтального входного канала 5 в позицию ГГ-образной аппликации 8 вертикального входного .канала 4 такж поступает ЦМД 2 (при одно йременной подаче ЦМД 2 на входы элемента), то в результате магнитостатического отталкивания ЦМД 2 горизонтального вхо ного канала 5 попадает в позицию Б вертикального выходного канала б и далее по позициям В, Г, А поступает на его выход.При этом ЦМД 2 вертикального входного канала 4 из позиции Гпроходит в позицию АГ-образной аппли кации 8 и далее по позициям А,Б,В и Г, А горизонтального выходного канала 7 поступает на его выход. Таким образом, на выходе вертикального выходного канала б реализуется логическая функция И, а на выходе горизонтального выходного канала 7 реализуется функция ИЛИ. Из этого следует, что ЦМД 2 в рассматриваемой схеме имеет критическую позицию, определяющую правильную работу устройства, позицию Г горизонтального 5 вводного канала. При правильной работе устройства при одновременном нахождении доменов в позициях Г обоих входных каналов 4 и 5 в результате магнитостатического отталкивания доменов, ЦМД 2 горизонтального входного канала 5 переходит в вертикальный выходной канал 6. Поскольку сила взаимодействия ЦМД 2 обратно пропорциональна четвертой степени расстояния между ними, то расстояние между позициями взаимодействия ЦМД 2 следует выбирать возможно меньше. С этой целью описанный логический элемент И-ИЛИ содержит в каждом из входных каналов 4 и 5 продвижения ЦМД-2 Г-образные ферромагнитные аппликации 8 и 9, находящиеся в месте соединения входных и выходных каналов продвижения ЦМД 2 и магнитосвязанные с первыми С-образными ферромагнитными аппликациями 3, выходных каналов продвижения ЦМД 2, причем вертикальные перемычки Г-образных аппликаций 8 и 9 расположены отно.сительно друг друга по под прямым углом. Использование указанных Г-образных аппликаций позволяет минимизировать расстояние взаимо- , действия доменов и,следовательно,увеличить силу их взаимодействия. / Таким образом, в данном устройстве устраняется необходимость использования токопроводящей аппликации, что упрощает устройство. Упрощение устройства7 приводящее к однослойной схеме управления, сокращает число необходимых технологических этапов при его изготовлении. Отпадает необходимость в следующих технологических этапах, сопутствующих изготовлению известной двухслойной схемы управления: изготовление фотошаблона рисунка токопроводящей аппликации, напыление проводникового слоя, совмещение рисунка токопроводящей аппликации с рисунп , ком ферромагнитной схемы продвижения, и травление проводникового слоя. Устранение необходимости использования токопроводящай аппликации приводит также к сокращению объема сопутствугацего электронного оборудования. Формула изобретения Логический элемент И-ИЛИ, содержащий магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на поверхности которой расположены входные и выходные каналы.продвижения магнитных доменов из С-образных ферромагнитных аппликаций, отличающийс я тем, что, с целью упрощения логического элемента И-ИЛИ, он содержит в каждом из входных каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов с Г-абразные ферромагнитные аппликации, раходящиеся в месте соединения BXO Iных и выходных каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов и магнитосвязанные с первыми С-образя |« ными ферромагнитными аппликБЩИЯми

выходных каналов продвижения цилиндрических магнитных .доменов, причем вер-, тикальные перемычки Г-образных аппли каций расположены относительно друг друга под прямым углом.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. I EEETransactIons on Magnetics, V. MAG 7. 1971, № 8, p.338,

2.IEEE TransactionSjOn Magnetics, V. MAG -12, 1976, 6 p.614.