Устройство для определения типа проводимости полупроводниковых минералов Советский патент 1981 года по МПК G01N25/32 

Описание патента на изобретение SU868512A1

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕТЕНИЯ ТИПА ПРОВОДИМОСТИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИНЕРА лее

Похожие патенты SU868512A1

название год авторы номер документа
Способ определения типа проводимости полупроводниковых минералов 1977
  • Лапушков Вячеслав Михайлович
  • Романов Валерий Григорьевич
  • Гурьевич Александр Самойлович
SU621997A1
Устройство для измерения термо-ЭДС минералов 1983
  • Гурьевич Александр Самойлович
  • Зезюлина Эльвира Давыдовна
SU1229690A1
Способ измерения температурной зависимости термо-ЭДС минералов 1982
  • Романов Валерий Григорьевич
SU1133526A1
Устройство для измерения термо-ЭДС минералов 1986
  • Романов Валерий Григорьевич
SU1376023A1
Способ определения коэффициента термо-ЭДС минералов 1980
  • Хопунов Эдуард Афанасьевич
  • Вишняков Сергей Владимирович
SU996948A1
Способ определения коэффициента термоэдс минералов 1979
  • Гурьевич Александр Самойлович
SU857830A1
Устройство для измерения коэффициента термоЭДС минералов 1979
  • Лапушков Вячеслав Михайлович
SU859894A1
Способ исследования природных полупроводниковых минералов и устройство для его осуществления 1975
  • Красников Виктор Иванович
  • Гурьевич Александр Самойлович
  • Сычугов Виталий Семенович
  • Фаворов Виталий Алексеевич
SU567153A1
Способ прогноза залежей углеводородов 2021
  • Нургалиев Данис Карлович
  • Хасанов Дамир Ирекович
  • Кузина Диляра Мтыгулловна
  • Зиганшин Эдуард Рашидович
RU2781752C1
Устройство для измерения коэффициента термоЭДС минералов 1987
  • Эстерле Отто Вильгельмович
  • Бочаров Виктор Ефимович
  • Лоскутов Геннадий Иванович
  • Гройсер Анатолий Фроимович
SU1603272A1

Иллюстрации к изобретению SU 868 512 A1

Реферат патента 1981 года Устройство для определения типа проводимости полупроводниковых минералов

Формула изобретения SU 868 512 A1

Изобретение относится к разведочной и поисковой геологии, а именно к оиен ке и прогнозированию продуктивного оруд нения путем исследования физических свойств рудных минералов. Известно устрсЛство для определения типа проводимости полупроводников по знаку термо«ЭДС, содержащее термозоад с нагревательным элементом и холодную подставку, которое подключены к входным зажимам гальванометра Г13 Однако нагрев термозонда до 373° К требует энергоемкого источника питания, что исключает использование этого устройства в полевых условиях. Наиболее близким к предлагаемому яв ляется устройство для определения типа проводимости полупроводниковых минералов по знаку термо-ЭДС, содержащее два зонда, один из которых снабжен нагревательным элементом, и регистрирующее устройство Г2. Однако нагрев зонда также требует энергоемкого источника питания. Цель изобретения - определение типа проводимости минералов в естественн :яс залегании. Поставленная цель достигается тем, что JB устройстве для определения типа проводимости минералов по знаку тврмо-, ЭДС, содержащем два зонда, подключенных к регистрирующему устройству, один . из зондов снабжен ударно-спусковым MOi ханизмом. При ударе зонда о минерал частгь энергии удара переходит в тепловую и разогревает приконтактную область минерала. Градиент температур, в свою очередь, вызывает появление термо-ЭДС, знак кoтqpoй определяется типом проводомостя. Таким образом, ударно-отусксшой механизм заменяет энергоемкий нагревапгель, обеспечивая г радиент температур в минерале только в момент удара. На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство для 1ределеиня типа проводимости минерал ю по знаку ермо-ЭДС. 38 Устройство включает в себя зонды 1 и 2, выполненные из стали и заостренные на конце, ударно-спусковой механизм 3, регистрирующее устройство 4. Рабочая пружина ударно-спускового механизма одним торцом упирается в неподвижное осно вание 5, а второй ее торец связан с выступающей частью подвижного зонда 2 и сообщает ему поступательное движение. Устройство работает следующим обрааом. При ударе зонда 2 о минерал 6 часть кинетической энергии движущегося зонда переходит в тепловую и разогревает область минерала, прилегающую к зонцу.. , Градиент температур в минерале вызывает появление термо-ЭДС, знак которой оп ределяется типом проводимости. ТермоЭДС поступает на вход регистрирующего устройства, которое включает импульсный усилитель и запоминающее устройство на Т риггере с тремя устойчивыми состояниями. Знак термо-ЭДС индицируется светодиодами, включенными на выходе запоминающего устройства. Использование предлагаемого устройст ва в полевой геологической практике поз2воляет исследовать изменчивость физических свойств рудных минералов в естественном залегании непосредственно в шахтах, разрезах, что сокращает объемы и сроки работ. Формула изобретения Устройство для определения типа проводимости полупроводниковых минералов по знаку термо-ЭДС, содержащее два зонда, подключенные к регистрирующему устройству, отличающееся тем, что, с целью определения типа проводимости минералов в естественном залегании, один из зондов снабжен ударно-спусковым механизмом. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Лысов В. Ф. Практикум по физике полупроводников. М., 1976, с. 194. 2.Князев Г, И. Термоэлектрические свойства галенитов и пиритов -Береговского месторождения в Закарпатье.-Сб. Вопросы геологии и минералогии; рудных месторождений, М., Недра, 1964, с. 37 (прототип).

SU 868 512 A1

Авторы

Лапушков Вячеслав Михайлович

Романов Валерий Григорьевич

Даты

1981-09-30Публикация

1980-01-07Подача