Измеритель т-фактора и тока насыщения р-п переходов Советский патент 1981 года по МПК G01R31/26 

Изобретение относится к измерению параметров полупроводниковых приборов и предназначено для измерения т-факто ра и тока насыщения р-п-переходой. Известно устройство для измерения тока насыщения р-п-переходов, содержащее источники тока, амперметры и вольтметр ij. Недостатком этого устройства также является большая погрешность измерений, обусловленная влиянием температуры окружающей среды. Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является измеритель т-фактора и тока насыщения р-п-переходов, содержащий амперметр, операционный усилитель, цепь обратной связи которого содержит клеммы для последовательного включения испытуеигого прибора, причем, инвертирующий вход усилителя соединен с источником тока, второй вывод которого соединен с неинвертирующим входом усилителяру Недостатком данного устройства является высокая погрешность измерений, обусловленная влиянием температуры окружающей среды, вследствие чего данное устройство может быть использовано только совместно с термостатированной камерой. Цель изобретения - уменьшение погрешности измерений, обусловленной влиянием температуры окружающей среды на результат измерений. Указанная цель достигается тем, что в устройство, содержащее амперметр, операционный усилитель, цепь обратной связи которого содержит клеммл для последовательного включения испытуемого прибора, инвертирующий вход усилителя соединен с источником тока, второй вывод которого соединен с неинвертирующим входом усилителя, введен транзистор, эмиттер которого соединен с выходом операционного усилителя, база - с его неинвертирующим входом, а коллектор соединен с амперметром, второй вывод которого соединен с базой транзистора. Введение в устройство транзистора позволяет снизить погрешность измерений, обусловленную влиянием температуры окружающей среды за счет взаимной компенсации температурных зависимостей тока насыщения и теплового потенциала р-п-переходов измеряемого прибора и транзистора.