Способ записи скрытого электростатического изображения на заряженном селеновом электрофотографическом носителе Советский патент 1981 года по МПК G03G13/04 

TIsoGpeTeHHe относится к электрофотографии, в частности к способам экспонирования в электрофотографических; аппаратах. Наиболее близким по технической сущ ности к предлагаемому является способ записи скрытого электростатического изображения на заряженном селеновом электрофотографическом носителе, содержащий поверхностный аморфный слой и внутренний кристаллический подслой, вклю чающий проецирование на носительоптического изображения с максимумом спек рального распределения, расположенным в области 400-550 нм U. Недостаток известного способа заклю чается в том, что использование указанного диапазона длин волн для создания изображения на селеновом носителе не полностью реализует возможности селенового фоторецептора. Действительно, при освещении оригинала люминисцентными лампами в электрофотографическом тфоцессе участвует только поверхноствадй аморфный слой селена, в то Время как кристаллический подслой, область погло-шения которого лежит в диапазоне длин волн от ТОО до 75О нм, слабо участвует в процессе, ввиду отсутствия участка спектра в источниках освещения. Цель изобретения - повышение качества и скорости записи скрытого электро- . статического изображения. Указанная цель достигается тем, что осуществляют дополнительное проецирование изображения с максимумом спектрального распределения, расположенным в области длин волн от ТОО до 750 нм. Дополнительное проецирование в красной области спектра может проводиться как одновременно с основным, так и не одновременно. Практически осуществить способ можно путем введения в систему экспонирования электрофотографического аппарата дополнительных источников света, максимум излучения которых находится в области прозрачности аморфного селенового слоя и сильного поглощения селенового кристаллического подслоя Применение указанной комб1гаа1ши источников света дает возможность проецировать изображение оригинала одновременно на два слоя - на свободную поверхность аморфного Селена и. на поверхност селенового кристаллического подслоя. В качестве источников красного света могут использоваться лампы накаливания. Возможно также применение различшлх фильтров для приведения в соответствие спектра дополнительного излучения со спектром фотопроводимости селенового носителя в красной области.

Одновременная двойная генерация но С11телей тока в фоторецепторе дает возмояшость увеличить фототок и устранить на1сопление объемгалх зарядов в нем, в частности в транспортном амор({)ном слое что, в свою очередЪ, дает возможность увеличить скорость записи и повысить ее качество.

Формула изобре те н и я

Способ записи скрытого электростатического изображения на заряженном селеновом электрофотографическом носителе, содержащем поверхностный аморф 1ый слой и внутренний кристаллический подслой, включающий проецирование на него оптического изображения, с максимумом спектрального распределения, расположенным в области 400-550 нм, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и скс(рост,и записи осуществляют дополнительное проецирование изображения с максимумом спектрального распределения, расположенным в области длин волн от 700 до 750 нм. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Повышение технического уровня и качества эг ектрофотографических аппара тов и материалов. Вильнюс, 1978, с. 12