Резистивный датчик заданной температуры Советский патент 1981 года по МПК G01K7/22 

(54) РИЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК ЗАДАННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ

Изобретение относится к термомет .рии и может быть применено в устройствах для терностабилизации, сигнализации ирегулирования температуры. Известен резистивный датчик температуры, изготовленный из анизотропного материала. В известном датчике используется зависимость от температуры анизотропии электропроводности, т.е. различие сопротивления материала датчика в различных направлениях fl Известньй датчик обладает недостаточной точностью при фиксировании заданной температуры. Неиболле близким к предлагаемому является резистивный .датчик температуры, содержащий чувствительный элемент, выполненньш в виде пластины из материала с анизотропной электропроводностью, токовые и потенциальные выводы Г21. Недостаток известного резистивного датчика температуры - недостаточная точность при его использовании в качестве датчика фиксированной температуры, что обусловлейо тем, что сигнал датчика при заданной фиксированной температуре отличается от сигнала датчика при температурах, не равных заданной фиксированной температуре, лишь величиной сигнала. Цель изобретения - повышение точности измерений. Указанная цель достигается тем, что плоскость пластины чувствчтельного элемента совмещена с плоскостью изотропии электропроводности материала чувствительного элемента при заданной температуре, при этом контакты токовых вьшодов расположены на оси симметрии пластины, а потеч циальных - на прямой, перпендикулярной оси симметрии и на одинаковом от нее расстоянии. На фиг. 1 изображен датчик, общий вид; на фиг. 2 - электрическая схема включения датчика. 3 Резистивный датчик заданной темпе ратуры содержит чувствительный элемент 1, выполненный в виде плоской пластины имеющей форму симметричной фигуры, обладающей осью симметрии OO Пластина вырезана из анизотропного материала таким образом, что при заданной температуре ее плоскость совпадает с плоскостью изотропии электр проводности материала чувствительного элемента. На плоскости пластины выполнены четыре.контакта, причем конта1 ты 2 и 3 расположены на оси симметрии, а контакты 4 и 5 распо°|ложены на прямой ММ , перпендикулярной оси симметрии, на одинаковом от нее расстоянии. Через контакты 2 и 3 датчик подключается к источнику питания 6, с контактов 4 и 5 снимается сигнал датчика, Датчик работает следующим образом. При пропускании через чувствитель ный элемент электрического тока, вследствие симметричной формы пласти ны, линии тока и эквшютенциальные поверхности также являются синметрич .ными .относительнооси 00 , В этом случае контакты 4 и 5 находятся на одной Э1|:випо тенциаль ной поверхности и разность потенциалов между контактами 4 и 5 (сигнал датчика) равна ну лю. Отклонение температуры от заданной приводит к смещению плоскости изотропии элктропроводности материала чувствительного элемента относительно плоскости пластины, вследстви чего исчезает с метрия линий тока относительно оси 00 и изменяется фо1.1а эквипотенциальных поверхностей При этом контакты 4 и 5 оказываются на разных Эквипотенциальных поверхностях, что обусловливает возникнове ние между этими контактами разности потенциалов, которая служит мерой отклонения температуры от заданной. Отклонение температуры от заданной вверх и. ВНИЗ по температурной шкале приводит к разные по знаку сигналам датчика, Использование резистивного датчика заданной температуры, выполненного из анизотропных материалов, таких как рений, графит, сурьмянистый кадмий, теллур, висмут в устройствах повышает точность те ячостатирования в 5-8 раз по сравнению с известными резистивны4и датчиками. Формула изобретения Резис.тсивный датчик заданной температуры, содержащий чувствительный элемент, выполненный в виде пластины. из материала с анизотропной электропроводностью, токовые и потенциальные выводы, отличающийс Я тем, ЧТО, с целью повышения точности измерений, в нем плоскость пластины чувствительного элемента совмещена с плоскостью изотропии электропроводности материала чувствитыльного элемента при заданной температура f при этом контакты токовых вьш9дов расположены на оси сим- метрии пластины, а потенциальных на прямой, перпендикулярной оси симметрии и иа одинаковом от нее расЯтояиии, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 254156, дел, G 01 К 7/00, J96J, 2. Авторское свидетельство СССР № 347593, кл. G 01 К 7/22, 1969 (прототип) .

(рц(.1

(put. i