Изобретение относится к области термометрии и может найти применение в устройствах для измерения, контроля и регулирования температуры. Датчик температуры представляет собой резистивный датчик с рабочим интервалом температур 4,2-30° К.
Известны низкотемпературные резистивные датчики температуры - угольные и полупроводниковые термометры сопротивления. Угольные сопротивления отличаются высокой чувствительностью при достаточно низких температурах. Однако, если их нагреть до комнатной температуры и затем вновь охладить, они обнаруживают гнстерезисные эффекты и поэтому требуют повторной регулировки при каждом новом низкотемпературном измерении.
Цель изобретения -обеспечение термической стабильности и воспроизводимости показаний датчика и повышение точности измерения.
Это достигается тем, что датчик изготовлен из монокристалла CdSb с анизотропной электропроводностью в виде плоского круглого диска, вырезанного в крисгаллографическон плоскости (100), с четырьмя контактами, расположенными на концах двух взаимно перпендикулярных диаметров диска, составляющих угол 45° с главными кристаллографическими
осями, а в качестве термометрического свойства выбирается анизотропия электропроводности.
На фиг. 1 показана схема датчика; на фиг. 2 - температурные зависимости парамег(кривая /) и электрора анизотропии а
проводности кристалла а /оззст2 (кривые 2, 3, 4).
Предлагаемый датчик (фиг. 1) представляет собой монокристаллическую пластину круглой формы, вырезанную из кристалла CdSb в кристаллографической плоскости (100). В этой кристаллографической плоскости вдоль оси 001 электропроводность озз в несколько раз превышает электропроводность 022 в перпендикулярном направлении, т. е. вдоль оси 010.
Четыре электрических контакта, используемых для пропускания тока и измерения напряжения, расположены на концах двух взаимно перпендикулярных диаметров диска, составляюш,их угол 45° с направлениями осей 010 и 001. Такая ориентация системы контактов обеспечивает наиболее высокую точность определения анизотропии электропроводности, т. е.
Параметр анизотропии а- находится в
22
функциональной зависимости от температуры (фиг. 2, кривая 1), что иозволяет использовать его в качестве термометрического свойства, т. е. определять температуру по величине анизотропии электропроводности датчика.
Параметр анизотропии обладает высокой воспроизводимостью при нагревании датчика до комнатной температуры и последующем охлаждении. Несмотря иа то, что при таких циклических изменениях температуры электропроводность датчика характеризуется невоспроизводимостью (кривая 2 измерена после первого цикла нагрева и о.хлаждепия, кривая 3 - после второго цикла, кривая - после третьего) температурная зависимость
параметра анизотропии неизменно следует одной и той кривой /.
Предмет изобретения
Низкотемпературный резистивный датчик температуры, содержащий анизотропный чувствительный элеме1гг и выводы, отличающийся тем, что, с целью повышення восироизводимости показаний датчика и точности измерения, в нем чувствительный элемент выполнен из материала с анизотропной электропроводностью, например из сурьмянистого кадмия, и виде плоского диска, вырезанного в кристаллографической плоскости (100), причем токовые и потенциальные выводы расположены на концах двух взаи.мно .перпендикулярных диаметров, составляющих угол 45° с главными кристаллографическими осями.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Измеритель мощности излучения | 1977 |
|
SU693782A1 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ТЕРМОУПРУГИХ НАПРЯЖЕНИЙ | 2011 |
|
RU2497643C2 |
ВСЕСОЮЗНАЯ IШ.-уул -•'УУк''ГГ<(.?>&'?3! tHihl^it-Abfr:'.- EUi.'tiБ^'-|€:ЛИО^ТКА (ТЕРЛ10 | 1967 |
|
SU197708A1 |
Способ ориентирования кристаллов вольфрамата кадмия | 2022 |
|
RU2797674C1 |
Термоэлемент (варианты) | 2018 |
|
RU2723229C2 |
Способ определения исходной магнитной текстуры образцов холоднокатаной анизотропной электротехнической стали и многоосных ферромагнитных кристаллов | 1982 |
|
SU1064258A1 |
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ | 1991 |
|
RU2013815C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПЕРЕХОДА ДЖОЗЕФСОНА | 1996 |
|
RU2105390C1 |
Резистивный датчик заданной температуры | 1980 |
|
SU877353A1 |
ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ДЕТЕКТОР ТЕРАГЕРЦЕВОГО ДИАПАЗОНА | 2017 |
|
RU2678710C1 |
риг.1
О до ногреба после нагре1а
Q после Smopo o HOipeSa
2
Даты
1972-01-01—Публикация