Изобретение относится к измерител ной технике и может быть использовано для проведения испытаний различны технических систем, где требуется измерение и регистрация амплитуды одиночного импульса тока значительно величины, например наведенного импул са или импульса перенапряжений при коммутационных операциях. Известен способ измерения амплиту импульсного тока или напряжения, основанный на использовании конденсатора, включаемого в контролируемую цепь, в котором амплитуду импульса тока или напряжения определяют по на копленной величине заряда на конденсаторе Cl . Недостатком данного способа является невозможность длительного хранения измеренной величины из-за постепенного разряда конденсатора. Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ измерения и регистрации пиков тока. согласно которому об амплитуде тока судят по величине остаточного ма|- нитного потока ферромагнитного сердечника, намагничиваемого измеряемым током 2. Цель изобретения - увеличение длительности сохранения информации, повышение точности и расширение диапазона измерений. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, основанному на измерении измененного под влиянием прошедшего импульса тока параметра чувствительного элемента,, регистрируемый импульс тока пропускают через полупроводниковый элемент, вызывая его тепловой или лавиннотепловой пробой, измеряют остаточное сопротивление пробитого полупроводникового элемента и по заранее полученной экспериментальной зависимости между амплитудами импульсов тока и остаточными сопротивлениями полу38проводникового элемента определяют регистрируемый импульс тока. Кроме того, полупроводниковый элемент предварительно необратимо пробивают импульсом тока, амплитуда которого заведомо меньше амплитуды регист рируемого импульса. Действие предлагаемого способа основано на экспериментально установленном свойстве полупроводниковых элементов, которое состоит в том, что между остаточным сопротивлением необратимо пробитых полупроводниковых элементов и амплитудой тока, протекаю щей через полупроводниковый элемент при пробое (при длительности импульс |более единиц миллисекунд), существует стабильная однозначная зависимость. На фиг. 1 приведена экспериментал ная зависимость величины остаточного сопротивления пробитых транзисторов МП15А (ROCT) от амплитуд и импульсов тока (I с( ) протекающих через эти при боры при пробое (для каждой экспериментальной точки зависимости испытывалось 10 приборов), пунктирной линией показан доверительный интервал величины ROCTс надежностью 0,9; на фиг. 2 - статистически усредненная зависимость (-f f(la) для транзисторов МП15А, построенная в координатах (Qfy) t/d Аналогичные зависимости (с другими диапазонами величин Iq и RQJ, получены при испытаниях диодов Д220, 1Д507А, 2Д10, Д503 и др.,а также транзисторов П210, МП16, 1Т80б,А,Б,В 1Ti+03 и др. Способ осуществляют следующим образом. Через полупроводниковый элемент пропускают импульс тока, вызывающий его необратимый тепловой или лавиннотепловой Пробой, измеряют остаточное сопротивление полупроводникового элемента и по величине данного сопротивления по экспериментально полученной зависимости между амплитудами импуль.рв тока и остаточными сопротивления ми данного полупроводникового элемент определяют регистрируемый импульс тока. Уменьшение доверительного интервала (или повышение надежности результата испытаний) и соответствующее повышение точности способа может быть достигнуто при использовании для снятия зависимости полупроводниковых приборов с малым разбросом 4 толщин базовой области, отбор которых может быть произведен известными методами неразрушающего контроля. Исследования влияния амплитуд импульсов тока на величину остаточного сопротивления пробитых полупроводниковых приборов показали, что для большого числа групп и типоразмеров приборов зависимость Roc.r 0c) чорошо апроксимируется функцией Rgcf jT , где А - постоянная величина, которая может быть определена теоретически или экспериментально. Данный факт позволяет упростить процедуру предварительной градуировки и уменьшить число приборов, используемых для построения зависимости есг f( Использование предлагаемого способа регистрации уровня амплитуды одиночного импульса тока позволяет значительно упростить измерительную аппаратуру и повысить надежность измерений. Формула изобретения 1.Способ регистрации уровня амппитуды одиночного импульса тока, основанный на измерении измененного под влиянием прошедшего импульса тока параметра чувствительного элемента, отличающийся тем, что, с целью увеличения длительности сохра нения информации, регистрируемый импульс тока пропускают через полупроводниковый элемент, вызывая его необратимый тепловой или лавинно-теплоаой пробой, измеряют остаточное сопротивление пробитого полупроводникового элемента и по заранее полученной экспериментальной зависимости между амплитудами импульсов тока и остаточными сопротивлениями данного полупроводникового элемента определяют регистрируемый импульс тока. 2.Способ по п.1, отличающий с я тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона измерений, полупроводниковый элемент предварительно необратимо пробивают импульсом тока, агмплитуда которого заведомо меньше амплитуды регистрируемого импульса. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР ff 1499, кл. G 01 R 19/0, 30.0.30. 2.Авторское свидетельство СССР № 93801, кл. G 01 R 19/30, 31.01.51 (прототип).
