Способ измерения характеристик управления магниточувствительностью полевых магнитотранзисторов Советский патент 1981 года по МПК H01L21/66 G01R31/26 

(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК УПРАВЛЕНИЯ МАПШТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ ПОЛЕВЫХ МАГНИТОТРАНЗИСТОРОВ

I

у-

Изобретение отнасится к электрон-ной промышленности и может найти применение при исследовании характеристик магннтотранзисторов, а также для контроля их качества в процессе изготовления.

Известен способ измерения электрофизических характеристик полупроводника, заключаххцийся в том, что полупроводниковый образец помещают в скрещенные электрическое и магнитное поля измеряют их величину и регистрируют сигнал на поверхности полупроводника l.

Однако известный способ не обеспечивает возможности измерения характеристик управления магниточувствительностью магнитотранзисторов.

Наиболее близким к предлагаемому является способ, заключающийся в воздействии на испытуемый прибор постоянным магнитным полем, пропускании через его токовые электроды по- стоянного тока питйния, подаче на его

полевые электроды управляющего напряжения и в регистрации амплитуды его выходного напряжения С21.

Недостатками указанного способа являются трудоемкость процесса измерения и узкие функциональные возможности, так как измеряется только одна характеристика управления магниточувствительностью прибора.

При технологическом контроле или

10 при исследовании магнитотранзисторов со структурой металл-диэлекТрикполупроводник-диэлектрик-металл(МДПДМ) необходимо одновременно измерять три характеристики управления

15 магниточувствительностью при управлении на первый, второй и на оба полевых, электрода.

Цель изобретения - уменьшение времени измерений и расширение функцио20нальных возможностей.

Поставленная цель достигается тем, что в способе измерения характеристик управления магниточувствительностью полевых магнитотранзисторов, заключающемся в воздействии на испытуеный прибор постоянным магнитным полем, пропускании через его токовые электро ды постоянного тока питания, подача на его полевые электроды управляюп йх напряжений и в регистрации амплитуды его выходного напряжения, в качестве одного управляющего напряжения используется периодическая последовательность прямоугольных видеоимпульг сов, а в качестве второго - сдвинутая последовательность противоположной полярности с амплитудой, изменяющейся по линейному закону, длительность импульсов которых устанавливают больше удвоенной длительности переходной характеристики магнитотранзистора, а временной сдвиг устанавливают больше длительности переходной характеристики магнитотранзистора, причем параметры характеристики управления при модуляции на пер вый полевой электрод определяют по . амплитуде первой ступени выходного ступенчатого импульса напряжения магнитотранзистора, параметры характеристики управления при модуляции на оба полевых электрода определяют по амплитуде второй ступени, а параметры характеристики управления при модуляции на второй полевой электрод определяют по амплитуде третьей ступени. На фиг. 1 изображены временные диаграммы управляющих напряжений . Щ (t) и UaCt), представлянхцие собой сдвинутые во времени последовательности видеоимпульсов противоположной полярности с амплитудой, нарастающей по линейному закону, и диаграмма выходного напряжения магнитотранзистор Uib,;{t), представляняцая собой импульсы ступенчатой формы на фиг. 2 - функциональная схема устройства для осуществления способа измерения характе ристик управления магниточувствитель ностью магнитотранзистора. Устройство содержит магнитотранзистор 1 с токовыми электродами 2 и 3, подключенными к источнику 4 постоянного тока:, и полевыми электродами 5 и 6, соединенными с выходами импульсного генератора 6. Испытуемый npiJ6op помещен в постоянное магнитное поле, создаваемое электромагнито 8. Токовый электрод 2 магнитотранзистора 1 через переключатель 9 соединен со входами :преобразователей 10-12 амплитуда видеоимпульса-цифра. ВЫХОДЫ которых подключены через переключатель 13 ко входу вертикальной развертки цифрового графопостроителя 14. Вход горизонтальной развертки цифрового графопостроителя 14, а также входы управления преобразователей 10, II и 12, импульсного генератора 7 и переключателей 9 и13 соединены с блоком 15 управления. Способ осуществляется следующим образом. В момент времени tv импульсом, поступающим с блока 15 управления, запускается импульсный генератор 7, на выходе которого формируется видеот импульс положительной полярности. Длительность этого импульса с устанавливают больше удвоенной длительности переходной характеристики магнитотранзистора. Одновременно импульсами, поступакицими с блока управления, запускается, горизонтальная развертка цифрового графопостроения 14, переключат ь 9 приводится в положение, при котором выход преобразователя 10 соединен со входом цифрового графопостроителя 14, на котором при ЭТСН4 фиксируется первая точка характеристики управления при модуляции на первый полевой электрод 5 магнитотранзистора 1. Вмомент времени t с блока i 5 управления поступает следующий импульс, в результате чего на выходе импульсного генератора формируется импульс отрицательной полярности, поступающий на полевой электрод 6 магнитотранзистора 1. Временной сдвиг tg- ti мезцду импyльca &i устанавливают больше длительности переходной характеристики магнитотранзистора. Одновременно переключатель 9 отключает от выхода магнитотранзистора преобразователь 10 и подключает преобразователь 11, а переключатель 13 отключает выход преобразователя 10 от входа цифрового графопостроителя 14 и подключает к нему выход преобразователя 11. При этом .на цифровом графопостроителе фиксируется первая точка характеристики управления при модуляции на q6a полевых электрода. В момент времени t& импульсами, поступающими с блока управления, первый выход импульсного генератора закрывается, переключатель 9 приводится в положение, при котором к выходу магнитотранэистора 1 подключен вход преобразователя 12, выход

которого через переключатель 13 соединяется с цифровым графопостроителем 14, на котором при этом фиксируется первая точка характеристики управления при модуляции на второй полевой электрод 6 магнитотранзистора 1,

После записи в момент времени.t импульсами, поступакяцими с блока уп равдения, осуществляется сброс и подготовка преобразователей к следующему такту. Работа устройства во втором и последукяцих тактах аналогична работе в первом с той разницей, что амплитуда импульсов, поступакицих на полевые электроды, увеличивается от такта к такту по линейному закону.

Таким образом, предлагаемый способ измерения характеристик управления магниточувствительноСтью магнитотранзисторов обеспечивает возможность одновременного измерения сразу трех характеристик управления, что увеличивает функциональные возможности, производительность , а также позволяет автоматизировать процесс измерения.

Формула изобретения Способ измерения характеристик управления магниточувствительностьюпЪлевых магнитотранзисторов, заключакпщйся в воздействии на испытуемый прибор постоянным магнитным полем, пропускании через его токовые электроды постоянного тока питания, подаче на его полевые электроды управлякхцих напряжений и в регистрации амплитуды его выходного напряжения.

{Отличающийся тем, что, с целью уменьшения времени измерений и расширения функциональных возможностей, в качестве одного управляющего напряжения используется периодическая последовательность прямоугольф1х видеоимпульсов, а в качестве второго - сдвинутая последо:вательность противоположной полярности с амшштудой, изменяющейся по линейному закону, длительность импульсов которых устанавливают больше удвоенной длительности переходной характеристики магнитотранзистора, а временной сдвиг устанавливают больше длительности переходной характеристики магнитотранзистора, причем параметры характеристики управления при модуляции на первый по левой электрод определяют по ампли туде первой ступени выходного ступенчатого импульса напряжения магнитотранзистора, параметры характеристики управления при модуляции на оба полевых электрода определяют по амплитуде второй ступени, а параметры характеристики управления при модуляции на второй полевой электрод определяют по амплитуде третьей ступени.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Chpvet А. Study of recombination processes from the magnetoconcentration effects, - Physica status Solidi (a), 1975, Vol. 28, , p. 633.

2.Авторское свидетельство СССР 661437, кл. G 01 R 31/26, 1979 (прототип).