Одновибратор Советский патент 1982 года по МПК H03K3/284 

(54) ОДНОВИБРАТОР Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах для формирования временных задержек и импульсов различной длительности. Известен одновибратор с коллектор но-6азовыми связями на двух транзисторах, в котором времязадающим элементом является конденсатор, включен ный между коллектором нормально закрытого и базой-нормапьно открытого транзисторов flj Однако этот одновибратор не позъ ляет использовать кремниевые транзисторы на полное коллекторное напр жение, так как у них сравнительно невелико допустимое обратное напряжение перехода эмитуер-базау Наиболее близким к предлагаемому является одновибратор на кремниевых п-р-п транзисторах, содержащий конденсатор в цепи обратной связи коллектора нормально закрытого с ба ЗОЙ нормально открытого транзистоОднако в таком однонибраторе нет защиты перехода эмиттер-база закрытого транзистора от пробоя обратным напряжением. Включение параллельно его переходу эмиттер-база защитного устройства приводит к значительному снижению длительности формируемого импульса из-за уменьшения постоянной времени цепи разряда времязадающего конденсатора. Цель изобретения защита перехода эмиттер-база закрытого транзистора от пробоя обратным напряжением и увеличение длительности формируемого импульса. Поставленная цель достигается тем, что в одновибраторе на кремниевых п-р-п транзисторах, содержащем конденсатор в цепи связи коллектора нормально закрытого транзистора с базой нормально открытого транзистора, между базами транзисто3. ров введен стабилитрон, напряжение стабилизации которого меньше допустимого обратного напряжения перехода эмиттер-база нормально открытого транзистора, подключенный катодом к базе нормально закрытого транзистора. На чертеже приведена принципиаль ная электрическая схема одновибрато ра. Одновибратор содержит два кремниевых п-р-п транзистора 1 и 2, стабилитрон 3, включенный между базами транзисторов, резисторы 4-6 в кол лекторных и базовых цепях транзисто ров, конденсатор 7, включенный между коллектором транзистора 1 и базо транзистора 2, и диод 8 в базовой цепи транзистора 1. Одновибратор работает следующим образом. В исходном состоянии транзистор 1 закрыт, транзистор 2 открыт, а ко денсатор 7 заряжен практически до напряжения источника питания + Е. При подаче через диод 8 положительного запускающего импульса тран зистор 1 открывается, напряжение -на его коллекторе падает, а напряжение на базе транзистора 2 за счет заряда, накопленного конденсатором 7, становится отрицательным. Напряжение на коллекторе транзистора 2 повышается и через делитель., состоя щий из резисторов 5 и 6, поддерживает транзистор 1 в открытом состоя нии. Когда отрицательное напряжение на базе транзистора 2 достигает уровня пробоя стабилитрона 3, последний начинает пропускать ток, уменьшающий ток базы транзистора 1, что приводит к повышению напряжения на его коллекторе, Устанавливается динамическое равновесие, при котором отрицательное напряжение на базе транзистора 2 определяется разностью напряжений на конденсаторе 7 и коллекторе транзистора 1 и практически не превьш1ает уровня срабатывания стабилитрона 3. По мер разряда конденсатора 7 ток базы транзистора 1 возрастает, напряжение на его коллекторе уменьшается, а напряжение на базе.транзистора 2 остается постоянным. При дальнейшем разряде конденсатора 7 стабилитрон 3 выключается и отрицательное напряжение на базе транзистора 2 уменьшается по экспоненциальному закону в соответствии с напряжением на конденсаторе 7 до возвращения схемы в исходное состояние. Таким образом, предложенный одновибратор дает возможность формирования импульсов о амплитудой, практик чески равной допустимому коллекторному напряжению кремниевого транзистора, при полностью исключенной возможности пробоя перехода эмиттер-база нормально открытого транзистора. Кроме того, Одновибратор позволяет повысить длительность формируемого импульса. Формула изобретения Одновибратор на кремниевых п-р-п транзисторах, содержащий конденсатор в цепи связи коллектора нормально закрытого транзистора с базой нормально открытого транзистора, отличающийся тем, что, с целью защиты перехода эмиттер-база закрытого транзистора от пробоя обратньм напряжением и увеличения длительности формируемого импульса, между базами транзисторов введен стабилитрон, напряжение стабилизации которого меньше допустимого обратного напряжения перехода эмиттербаза нормально открытого транзистора, подключенный катодом к базе нормально закрытого транзистора. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Вудинский Я.Транзисторные переключающие схемы. М., Связь, 1965, с. 376, рис. 280. 2.Патент ФРГ № 1275111 , кл. 21 а 36/02 (прототип).

(Г

-II