СПОСОБ ИСПРАВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ ФОТОШАБЛОНОВ Советский патент 1995 года по МПК G03C5/00 

Изобретение относится к способам исправления дефектов фотошаблонов и может быть использовано в производстве полупроводников при изготовлении эмульсионных фотошаблонов.

При контактном копировании эталонного фотошаблона размеры элементов рисунка топологии на рабочем фотошаблоне часто выходят за пределы допустимых вследствие дифракции света в микрозазоре между эталонным и изготавливаемым фотошаблоном, которая и снижает резкость края элементов топологии.

Известен способ исправления дефектов фотошаблонов при помощи анализа скрытого изображения рисунка топологии, по которому вначале экспонированием образуют видимое изображение рисунка, затем визуально определяют места расположения ошибок в рисунке, производят исправление ошибки в рисунке доэкспонированием и проявляют исправленное скрытое изображение.

Способ сложен и не пригоден для исправления размерных дефектов фотошаблонов, предназначенных для изготовления интегральных схем, т.к. при малых размерах элементов топологии визуальный контроль изображения невозможен.

Известен также другой способ устранения дефектов фотошаблонов, по которому галогеносеребряную эмульсию фотошаблона частично проявляют и рассматривают под микроскопом при красном свете, после чего недоэкспонированные участки селективно экспонируют и заканчивают проявление эмульсии.

Этот способ наиболее близок к заявленному по технической сущности и достигаемому результату.

Известный способ характеризуется большой трудоемкостью, обусловленной необходимостью селективного экспонирования множества отдельных участков фотошаблона, на которых были выявлены искажения размеров элементов топологии, и предполагает использование сложного оборудования, в частности, при селективном экспонировании дефектных участков фотошаблона.

Целью изобретения является упрощение аппаратурной реализации и снижение трудоемкости.

Поставленная цель достигается тем, что исправление дефектов производят путем размачивания эмульсионного слоя в проточной деионизованной воде с засветкой в ванне с деионизованной водой и последующим проявлением.

При осуществлении способа последовательно выполняют следующие операции.

Полученный методом обращения эмульсионный фотошаблон после проявления и сушки подвергают контролю под микроскопом, обеспечивающим 600-кратное увеличение. Шаблоны, у которых обнаружены нечеткие края рисунков, дающие отклонения размеров элементов топологии в пределах 0,2-0,3 мкм, подвергаются дополнительной обработке с целью исправления выявленных дефектов. С этой целью шаблоны помещают в ванну с деионизованной водой при t20±2^оС и выдерживают в ней в течение 30-40 мин. Затем проводят засветку шаблонов непосредственно в ванне с деионизованной водой в течение 4-5 мин лампами дневного света, после чего осуществляют дополнительное проявление шаблонов в том же проявителе, который использовался для первого проявления шаблона. Длительность проявления зависит от величины размерных дефектов, выявленных при контроле, и составляет в среднем 3-5 мин. После дополнительного проявления шаблоны промывают в деионизованной воде и сушат.

Способ позволяет исправить размерные дефекты фотошаблонов, находящиеся в пределах 0,2-0,3 мкм. Его реализация не требует применения сложного оборудования для селективного экспонирования.

Исправление дефектов производится групповым способом, что значительно сокращает трудозатраты на исправление дефектов в расчете на один фотошаблон.

СПОСОБ ИСПРАВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ ФОТОШАБЛОНОВ, полученных методом обращения, включающий операцию контроля размеров элементов топологии, проводимую после проявления и сушки фотошаблона, и собственно исправление размерных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения аппаратурной реализации и снижения трудоемкости, исправление размерных дефектов производят путем размачивания эмульсионного слоя в проточной деионизованной воде с засветкой в ванне с деионизованной водой и последующим проявлением.