Способ получения фотографических снимков различного рода объектов Советский патент 1982 года по МПК G03B41/00 G01N27/00 

(Ц). СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОГРАФИЧЕСКИХ СНИМКОВ РАЗЛИЧНОГО РОДА ОБЪЕКТОВ

I

Изобретение относится к фототехнике и может быть использовано при-неразрушающем контроле глубинной структуры диэлектрических материалов.

Известен-способ получения фотографических снимков различного рода объектов, заключающийся в том, что подлежащий съемке объект помещают в электрическое поле высокой частоты, а фотоматериал располагают между электродом высокочастотной цепи, образующим обкладку конденсатора, и подлежащей съемке поверхностью объекта. При определенной величине напряжения на обкладках, величине разрядного промежутка и выдержке в фотоматериале формируется скрытое изображение, поверхности , а также глубинной структуры объекта. При соответствующей химической обработке фотоматериала -изображение становится видимым 1.

Недостатком известного способа является невозможность проведения

объемного контроля объектов с открытой пористой структурой, например пенопласта и других материалов, получаемых вспениванием, так как разряд,проходя от одной обкладки через поры объекта к другой, производят засветку фотоматериала и при этом.не несет информации о внутреннем строении объекта.

10

Цель изобретения - обеспечение возможности проведения.неразрушающего объемного контроля объектов с открытой пористой структурой.

IS

Поставленная цель достигается тем, что подлежащий съемке объект помещают в электрическое поле высокой частоты, фотоматериал располагают между электродом высокочастотной це30пи, образующим обкладку конденсатора, и подлежащей съемке поверхностью объекта,.а на поверхности объекта помещают диэлектрическую пленку. 391 На чертеже представлена принципиальная схема устройства для осуществ ления предлагаемого способа. Устройство содержит обкладки 1 и 2 конденсатора, к которым подключен генератор 3 токов высокой частоты, фотоматериал. . На чертеже показан подлежащий съемке объект 5 с открытой пористой структурой и диэлектрическая пленка 6, плотно контактирующая с поверхностью объекта. Между диэлектрической пленкой и фотоматериалом имеется разрядный промежуток. Способ осуществляется следующим образом. Для проведения снимка структуры пористого объекта 5 его помещают в ; электрическое поле, высокой частоты между обкладками конденсатора. Фотоматериал располагают между обкладкой 2 конденсатора и поверхностью объекта, при этом вплотную на поверхности объекта 5 располагают диэлектрическу пленку 6, например полихлорвиниловую толщиной 0,1 мм. Диэлектрическая пленка, становясь неотъемлемой частью исследуемого объекта, исключает сквозной, пробой между электродами через поры объекта На фотоматериале же формируется скры тое изображение глубинной структуры объекта с открытой пористой структурой, которое известным способом получить невозможно. Изобретение позволяет производить фотографирование внутренней структуры пористых объектов, имеющих несплошность по всей толщине. Формула изобретения Способ получения фотрграфических снимков различного рода объектов, заключающийся в том, что подлежащий съемке объект помещают в электрическое поле высокой частоты, а фотоматериал располагают между электродом высокочастотной цепи, образующим обкладку конденсатора, и подлежащей съемке поверхностью объекта, отличающийся тем, что, с целью неразрушающего объемного контроля объектов с открытой пористой структурой, на поверхности объекта помещают диэлектрическую пленку. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР N 106401, кл. G 03 В 41/00, 1949.