Запоминающее устройство Советский патент 1982 года по МПК G11C11/14 

(5) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

I

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано при построении устройств хра нения дискретной информации на цилиндрических магнитных домнах (ЦМД).

Извёстно запоминающее устройство (ЗУ), содержащее магнитоодноосную пленку, на которой расположены управляющие аппликации и Токовые шины, разделенные слоемдиэлектрика, и постоянные магниты для создания поля смещения 1

Недостатками такой конструкции ЗУ являются ее сложность, наличие многочисленных деталей из разнородных материалов, которые необходимо точно расположить между собой и зафиксировать, значительные габариты и масса. В совокупности все это приводит к снижению надежности работы устройства и обуславливает низкую технологичность его изготовления.

Наиболее близким к изобретению является ЗУ, которое содержит Mai-

нитоодноосную пленку с нанесенными на нее первым слоем диэлектрика, управляющими токовыми шинами, вторым слоем диэлектрика, доменопродвигающими аппликациями и пленочный постоянный магнит 23.

Недостатком этЬго устройства является невозможность получения больших полей смещения. Кроме того, при непосредственном контакте пленочно10го постоянного магнита с магнитоодноосным слоем оказывается неоднородным по величине и направлению опорное магнитное поле в локальных областях всей площади, что является

15 дополнительным недостатком, препят.ствующим созданию ЗУ и ЦМД такого конструктивного исполнения.

Цель.изобретения - повышение надежности запоминающего устройства.

20

Поставленная цель достигается путем того, что запоминающее устройство содержит разделительный немагнитный слой , pacпoлoжeн ый между

доменопродвигающиыи аппликациями и пленочным постоянным магнитом.

Пленочный постоянный магнит вы полняется из материала состава SmQ(Co, Fe);j7 с магнитной энергией более 10 МГс.Э,

На чертеже изображена конструкция предлагаемого запоминающего yctpoйcтва.

Запоминающее устройство содержит магнитоодноосную пленку 1, на которую последовательно нанесены первый слой 2 диэлектрика, управляющие токовые шины 3, второй слой Ц диэлектрика, доменопродвигающие аппликации 5, немагнитный разделительный слой 6 и пленочный постоянный ма|-, нит 7Устройство работает следующим образом.

Пленочный постоянный магнит 7 состава SmQ(Co, Ре);|7 нанесенный на разделительный немагнитный слой 6, например, методом вакуумного испарения, намагничивается во внешнем поле до уровня, обеспечивающего при применяемой толщине слоя.6 величину опорного поля в магнитоодноосной пленке 1, соответствующего примерно середине области существования ЦМД. Этим создаются условия для функционирования устройства в режиме хранения информации: при налич ии вращающегося планёрного магнитного поля.путем подачи импульсов тока в управляющие шины 3 производится запись и выборка информации в виде ЦМД, перемещение и хранение которых обеспечивается с помощью доменопередвигающих аппликаций 5. При этом надежност работы устройства повышается вследствие создания опорного магнитного поля однороднбго по величине и направлёнию в пределах всей площади устрой1 . 4

ства. Одновременно реализуется более высокая степень технологичности устройства, т.е. применение на всех стадиях его изготовления микроэлектронных методов означает увеличение экономичности технологии производства.

Применение предлагаемого ЗУ на ЦМД позволяет получить полностью твердотельное устройство, изготовляемое микроэлектронными технологическими приемами. Получаемое в предлагаемом ЗУ повышение надежности работы и технологич+ ости достигается без существенного усложнения его изготоаления.

Формула изобретения

доменопродвигающими аппликациями и пленочный постоянный магнит, отличающееся тем,, что, с целью повышения надежности устройства, оно содержит разделительный немагнитный слой, расположенный между доменопродвигающими аппликациями и плено.чным постоянным магнитом.

: 2. Устройство по п. 1, о т л и ч а ющее с я тем, что пленочный Постоянный магнит выполнен из материала состава 5тл(Со, Fe)7 магнитной энергией более 10 МГс-Э. Источники информации, принятые во внимание,при экспертизе

-1. /Патент США № 4096581, кл. 3 0-17, опублик. 1978.

2. Jonr. Appl. Phys., 1971, V.42, № , p. 1360 (прототип). 7 х