Фотоэлектрический анализатор Советский патент 1982 года по МПК H01L31/08 

С5А) ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ АНАЛИЗАТОР

Изобретение относится к фотоэлектрическим устройствам, а именно к фотоэлектрическим анализаторам поляризованного излучения (ФАПИ), и може быть использовано в оптоэлектрически схемах. Известны фотоприемники, чувствительные к поляризации света, выполне ные из оптически анизотропных полупроводников т. Для этого используются кристаллы типа А В Cj. , например CdGePi , с энергическим барь ром, например Р-п-лереходом. Периодическая прляризационная зависимость фото ЭДС определяется зонной структурой полупроводника и правилами отборов оптических переходов. Недостатком таких фотоприемников является необходимость создания энергетического барьера, что является трудоемким процессом и затруд няет выпуск ФАПИ с одинаковыми рабочими параметрами. Кроме того, максимальная чувствительность этих фотоприемников находятся в красной области спектра, а в уль графиолетовой (УФ) области спектра чувствительность мала. Известны фотоэлектрические анализаторы поляризованного излучения на бинарных слоистых соединений с фотоприемной поверхностью. . Преимуществом слоистых полупроводников является предельная анизотропия кристаллохимических и фотоэлектрических свойств,-что обусловливает высокую эффективность ФАПИ. Кроме того, при создании ФАПИ на слоистых кристаллах нет необходимости создавать энергетический барьер. Однако такие анализаторы имеют низкую чувствительность в ультрафиолетовой области спектра. Цель изобретения - повышение чувствительности в ультрафиолетовой области спектра.