Транзисторный биполярный ключ Советский патент 1982 года по МПК H03K17/60 

(5) ТРАНЗИСТОРНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ KJB04

I

Изобретение относится к импульс ной технике и может .быть использовано в устройствах формирования биполярных импульсов, в частности, в генераторах парафазного биполярного кода с состояниями выходного сигнала - положительный импульс, отрицательный импульс, нулевой потенциал.

Известен транзисторный биполярный ключ, содержащий два транзистора одного типа проводимости, включенных встречно-параллельно через развязывающие диоды l 3Недостатком данного ключа является сложность схемы управления, обусловленная наличием раздельных цепей управления транзисторами.

Известен также транзисторный биполярный ключ, содержащий первый и второй транзисторы р-п-р-прсводимости, базы которых объединены 2.

Недостатком известного ключа является также сложность схемы управления, обусловленная наличием гальва-)

ническои развязки цепей управления транзисторами от коммутирующих цепей

Цель изобретения - упрощение схемы управления устройством.

Поставленная цель достигается тем, что в транзисторный биполярный ключ, содержащий первый и второй транзисторы р-п-р-проводимости, базы которых объединены, введены третий и четвертый транзисторы п-р п-проводимости, базы которых объединены, а между базой и коллектором каждого транзистора включен диод в направлении коллекторного перехода транзистора, при этом коллекторы первого и третьего транзисторов подключены к первой шине коммутации, коллекторы второго и четвертого транзисторов - ко второй шине коммутации, а эмиттеры всех транзисторов соединены с общей шиной.

На чертеже представлена.принципиальная электрическая схема устройства.

3

Устройство состоит из первого 1 и второго .2 транзисторов р-п-р-проводимости, третьего 3 и четвертого транзисторов п-р-п-проводимости, диодов , резисторов 9 и 10, шин коммутации 11, 12 и общей шины 13.Устройство работает следующим обра.зом.

При oтcytcтвии сигналов на шинах коммутации 11 и 12 транзисторы 1 и

2открыты-за счет протекания токов баз через резистор 10,. транзисторы

3и открыты за счет протекания токов баз через резистор 10. В этом случае транзисторы обеспечивают соединение шин коммутации 11. и 12 с общей шиной 13.

При появлении на шинах коммутаци 1.1 и 12 однофазных паразитных сигналов положительной полярности эtи сигналы закорачиваются на общую шину 13 через транзисторы 3 и , не изменяя их состояния. Паразитные однофазные сигналы отрицательной полярности закорачиваются на общую шину 13 через транзисторы 1 и 2, также не меняя их состояния.

При появлении на шинах коммутаци противофазных рабочих сигналов, например, положительного на шине коммутации 11 и отрицательного на шине .коммутации 12, происходит включение диода 6 и запирание транзистора 3 за счет наличия отрицательного потенциала на его базе. Одновременно происходит включение диода 7 и запирание транзистора 2. Транзистор k в этом случае оказывается включенным инверсно, но за счет незначительного падения напряжения на диоде 6 оказывается закрытым. Аналогично за счет наличия диода 7 во включенном состоянии оказывается закрытым инверсно включенный транзистор 1. Таким образом, все транзисторы устройства закрываются и шины коммутации 11 и 12 отключаются от общей шины 13.

3504

При наличии сигналов обратной полярности нд шинах коммутации 11 и 12 транзисторы 1 и k работают в прямом включении, а транзисторы 2 5 и 3 в инверсном.

При отсутствии сигналов на шинах коммутации 11 и 12 все транзисторы оказываются в открытом состоянии.

Транзисторный биполярный ключ 10 имеет более простую схему управления, так как работает без специаль- ного управляющего сигнала, что позволяет упростить процесс реализации его в интегральном исполнении. ts . . , . .

. Формула изобретения

Транзисторный биполярный ключ, 0 содержащий первый и второй транзисторы р-п-р-проводимости, базы которых объединены, отли чающийс я тем, что, с целью упрощениясхемы управления, в него введены третий 5 . и четверть1й транзисторы п-р-п-проводимости, базы которых объединены, а между базой и коллектором каждого, транзистора включен диод в направ/1ении коллекторного перехода транзистора, при этом коллекторы пер- ; вого и третьего транзисторов подключены к первой шине коммутации, коллекторы второго и четвертого тран-. зисторов - к второй шине коммутации, а эмиттеры всех транзисторов соединены с общей шиной.

Источники информации,, принятые во внимание при экспертизе

0:

1. Коссов О,А. Усилители мощное-, ти на транзисторах в режиме переключений. Изд. 2-е. М. , Энергия, 1971 , с. 72, рис. 2-10,ai 5 2. Аналоговые и цифровые интегральные схемы. Под ред, С.В.Якубовского. М., Советское радио, 1979, с. 274, рис. k.5$- .