Измеритель характеристик диодной структуры Советский патент 1982 года по МПК G01R17/10 

Описание патента на изобретение SU938170A1

(5) ИЗМЕРИТЕЛЬ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДНОЙ СТРУКТУРЫ

Похожие патенты SU938170A1

название год авторы номер документа
Квазиуравновешенный мост для раздельного измерения одного из параметров нерезонансных трехэлементных двухполюсников 1981
  • Плотников Вячеслав Георгиевич
  • Штамбергер Генрих Абрамович
SU978054A1
Мостовой измеритель параметров многоэлементных пассивных двухполюсников 1983
  • Передельский Геннадий Иванович
SU1157467A1
Мостовой измеритель параметров четырехэлементных пассивных двухполюсников 1983
  • Передельский Геннадий Иванович
SU1147985A1
МОСТОВОЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО 1994
  • Передельский Г.И.
  • Романченко А.С.
RU2105316C1
Мостовой измеритель параметров пассивных двухполюсников 1983
  • Передельский Геннадий Иванович
  • Касьянов Анатолий Урбахаевич
SU1150555A1
Мостовой измеритель параметров @ -элементных пассивных двухполюсников 1983
  • Передельский Геннадий Иванович
SU1150556A1
Мостовой измеритель параметров многоэлементных пассивных двухполюсников 1983
  • Передельский Геннадий Иванович
  • Касьянов Анатолий Урбахаевич
SU1150557A1
МОСТОВОЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ПАРАМЕТРОВ ТРЕХЭЛЕМЕНТНЫХ ПАССИВНЫХ ДВУХПОЛЮСНИКОВ 1993
  • Передельский Г.И.
  • Романченко А.С.
RU2105315C1
УСТРОЙСТВО для ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ р—п-ПЕРЕХОДА 1969
SU244511A1
МОСТОВОЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ПАРАМЕТРОВ ДВУХПОЛЮСНИКОВ 2005
  • Передельский Геннадий Иванович
  • Диденко Юрий Владимирович
  • Романченко Александр Семенович
RU2284530C1

Иллюстрации к изобретению SU 938 170 A1

Реферат патента 1982 года Измеритель характеристик диодной структуры

Формула изобретения SU 938 170 A1

1

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для измерения электрических характеристик полупроводниковых структур, содержащих потенциальный барьер.

Известен измеритель характеристик диодной структуры, выполненный в виде симметричного моста, в диагональ питания которого включен источник импульсного напряжения сложной формы. Она представляет собой три импульса, два из которых сдвинуты относительно друг друга и наложены на третий прямоугольный импульс .

Недостатком указанного устройства является то, что при его помощи нельзя определить зависимости параметров эквивалентной схемы исследуемой структуры от частоты переменного напряжения.

Наиболее близким техническим решением является измерительный мост, содержащий клеммы в плече измерения

ДЛЯ подключения испытуемого объекта, два переменных резистора и переменный конденсатор, включенных в плечо сравнения по трехэлементной эквивалентной схеме полупроводникового диода, два резистора в плечах отношения, осциллограф с дифференциальным входом в диагонали индикации и источник импульсов напряжения сложной формы в диагонали питания. Электричес10кий сигнал на выходе этого источника имеет форму двух прямоугольных импульсов, которые наложены друг на друга. Вершина верхнего импульса при этом модулирована синусоидой 2J.

15 Характеристики, которые можно измерить при помощи данного моста, содержат сравнительно мало информации о глубоких примесных центрах в полупроводнике, из которого изготов20лена исследуемая структура. Из них, . например, нельзя получить данных о вероятности заполнения этих уровней, о коэффициентах захвата ими носителей заряда,, а при наличии дву типов центров (донорных и акцептор ных) также и об их энергии актива ции. Такую инфс рмацию в принципе можно получить, исследуя изменение во времени барьерной емкости струк туры при темновой перезарядке глубоких примесных центров, происходя щей при переключении структуры от прямого до обратного напряжения. Од нако, для осуществления этого способа измерения известное устройств может быть применено только в том случае, когда время релаксации бар ерной емкости при переключении нам ного больше времени, необходимого для уравновешивания моста. Цель изобретения - расширение диапазона измерения. Эта цель достигается тем, что и меритель , выполненный в виде симметричного моста и содержащий клем мы для подключения испытуемой стру туры в плечо измерения, два переменных резистора и перемен ный конденсатор, включенных в плечо сравнения по трехэлементной эквивалентной схеме полупроводниково го диода, два резистора в плечах отношения, осциллограф с дифференциальным входом в диагонали цндикации и источник импульсов напряжения сложной формы, состоящий из двух генераторов прямоугольных импульсов напряжения смещения и уравновешивания, источника переменного напряжения уравновешивания, двух сумматоров, ограничителя и блока сдвинутых импульсов запуска, снабжен источником напряжения возбуждения , вторым блоком сдвинутых импульсов запуска, двухканальным коммутатором с блоком коммутирующего напряжения, выход которого подключен к диагонали питания моста, а к его различным входам подключены источники напряжения сложной формы и напряжения возбуждения, вход запуска последнего соединен с одним из выходов второго блока сдвинутых импульсов запуска, к второму выходу которого подключен блок коммутирующего напряжения и первый блик сдвинутых импульсов запуска. На чертеже представлена блоксхема измерителя характеристик диод ной структуры. Измеритель содержит переменные резисторы 1 и 2, переменный конден сатор 3, резисторы 4 и 5, измеряемую, диодную структуру 6,генераторы 7 и 8 импульсов напряжения смещения и уравновешивания.соответственно, источник 9 переменного напряжения уравновешивания , сумматоры 10 и 11, ограничитель 12, блоки 13 и 1А сдвинутых импульсов запуска, источник 15 напряжения возбуждения, двухканальный коммутатор 16, блок 17 коммутирующего напряжения, двухлучевой осциллограф 18 с дифференциальным входом. Резисторы 1 и 2 и конденсатор 3 в плече сравнения моста включены по трехэлементной эквивалентной схеме исследуемой структуры 6, включенной в плечо измерения. Резисторы и 5 включены в различные плечи отношения моста. Генератор 8 и источник 9 через различные каналы сумматора 10 и ограничитель 12 соединены с одним из входов сумматора 11, к другому входу которого подключен генератор 7- Входы запуска генераторов 7 и 8 соединены с различными выходами блока 13 сдвинутых импульсов запуска. В диагональ питания моста включен коммутатор 16 с блоком 17 коммутирующего напряжения. К различным входам коммутатора 1б подключены сумматор 11 и источник 15 напряжения возбуждения. Вход запуска последнего соединен с одним из выходов блока 1 сдвинутых импульсов. К другому выходу этого блока подключены блоки 13 и 17 сдвинутых импульсов и коммутирующего напряжения соответствен|но. Один из каналов вертикального отклонения луча осциллографа 18 включен в диагональ индикации моста, а другой подключен к выходу коммутатора 16. При помощи генератора 8, источника 9. сумматора 10 и ограничителя 12 формируется напряжение уравновешивания, представляющее собой прямоугольный импульс напряжения с вершиной, модулированной переменным сигналом. Это напряжение при помощи сумматора 11 суммируется с импульсом напряжения смещейия, поступающим от генеоатооа 7. Задеожкп между импульсами запуска на выходе блока 13 и тем самым моменты запуска генераторов 7 и 8 подбираются таким образом, что на выходе сумматора 1 1 «импульс уравновешивания, наложенный на импульсе смещения, был бы сдвинут по отношению начала последнего на интервал времени не меньше продолжительности переходных процессов уравновешенного моста. Длительности уравновешивания и смещения при этом подбираются такими, что первая из них была бы не меньше продолжительности указанных переходных процессов, а вторая - не меньше суммы длительности импульса уравновешивания и его задержки.

В исходном состоянии коммутатор 1б пропускает на диагональ питания моста сигнал, поступающий от источника напряжения возбуждения 15, который запускается основным импульсом напряжения, генерируемого блоком И. Задержанным импульсом с второго выхода этого блока запускается блок 13 сдвинутых импульсов и одновременно блок коммутирующего напряжения 17 который переключает каналы коммутатора 16. В результате прекращается воздействие на исследуемую структуру возбуждающего напряжения и на диагональ питания моста поступает им-, пульс.напряжения, состоящий из напряжений смещения и уравновешивания. После уменьшения напряжения на выходе блока 1 до нуля коммутатор 1б возвращается в исходное состояние и описанный процесс повторяется сначала. Таким образом, на диагональ питания моста попеременно поступают импульс напряжения возбуждения структуры и импульс напряжения сложной формы, включающий в себе напряжения смещения исследуемого объекта и уравновешивания моста.

Цель изобретения достигается за счет подачи на диагональ питания моста возбуждающего и измерительного напряжений, что обеспечивает в период одного процесса уравновешивания моста многократное возбуждение исследуемой структуры и тем самым периодическое восстановление его моментного исследуемого состояния в течение всей продолжительности процесса измерения барьерной емкости и остальных двух активных составляющих эквивалентной схемы исследуемой структуры.

Уравновешивание моста производят следующим образом.

Регулированием резистора1 на экране осциллографа 18 вершину импульса уравновешивания совмещают с вершиной импульса смещения. Регулированием резистора 2 и конденсатора 3 сводят синусоиду на экране осцил-лографа к прямой линии. Эти операции в указанном порядке повторяют до полного баланса моста (практически 2-3 раза).Значения составляющих эквивалентной схемы исследуемой структуры отсчитывают по значениям элементов плеча сравнения,умноженным на коэффициент отношения. Величину аргумента (время) при исследован ии релаксации параметров эквивалентной схемы диодной структуры определяют по длительности задержки между импульсами возбуждения и уравновешивания.

Предлагаемый измеритель обеспечивает возможность провести более широкий, по сравнению с известным, круг исследований, а именно дополнительно измерять релаксацию барьерной емкости после воздействия напряжения возбуждения в пропускном направлении, что дает возможность получить больше информации о глубоких примесных центрах в области приконтактного объемного заряда. Из совокупности измеренных характеристик можно определить такие параметры глубоких центров, как их концентрация, энергия активации, вероятность заполнения, соотношение коэффициентов захвата дырок и электронов, сечение захвата носителей заряда.

Предлагаемое устройство обеспечивает возможность провести вышеуказанные исследования при продолжительности процесса перезарядки глубоких центров порядка секунд и доли секунд, т.е. при практически на З- порядка меньшей продолжительности, чем известный измеритель, что позволяет провести исследования при .более высоких температурах, например комнатных. Это в свою очередь дает возможность избегать усложнений эксперимента, которые связаны при низких температурах с заполнением примесных центров, ионизированных в нормальных условиях.

Кроме того, предлагаемое устройство дает возможность более точно и надежно измерять стационарные вольтфарадные характеристики после воздействия ионизирующего поля. Это достигается тем, что при различных напряжениях смещения поддерживается одинаковая степень возбуждения глубоких уровней, которая в свою очередь достигается благодаря вышеупомянутому попеременному поступлению импульса напряжения возбуждения постоянной амплитуды и напряжения питания моста. Формула изобретения Измеритель характеристик диодной структуры в виде симметричного моста содержащий клеммы для подключения испытуемой структуры в плечо измерения, два переменных резистора и переменный конденсатор, включенных а плечо сравнения по трехэлементной эквивалентной схеме полупроводниково го диода, два резистора в плечах отношения, осциллограф с дифференциаль ным входом в диагонали индикации И источник импульсов напряжения сложной формы, состоящий из двух генераторов прямоугольных импульсов напряжения смещения и уравновешивания, источника переменного напряжения ура новешивания, двух сумматоров, ограничителя и блока сдвинутых импульсов запуска, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измерения, в него введены источник напряжения возбуждения, второй блок сдвинутых импульсов запуска и двухканальный коммутатор с блоком коммутирукяцего напряжения, выход которого подключен к диагонали питания моста, а к его различным входам подключены источники напряжения сложной формы и напряжения возбуждения, вход запуска последнего соединен с одним из выходов второго блока сдвинутых импульсов запуска, к второму выходу которого подключен блок коммутирующего напряжения и первУй блок сдвинутых импульсов запуска. Источники информации, принятые во внимание-при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № , кл, G 01 R 27/02, 1970. 2.Авторское свидетельство СССР № , кл. ,G 01 R 17/10, (прототип).

SU 938 170 A1

Авторы

Чеснис Антанас Антанович

Даты

1982-06-23Публикация

1980-12-17Подача