Высоковольтный малоиндуктивный мощный резистор Советский патент 1982 года по МПК H01C3/00 

Изобретение относится к электротехнике, в частности,к высоковольтным МО1ДНЫМ резисторё1М, применяемым в различных цепях высоковольтных электротехнических устройств.

Известны высоковольтные резисторы, содержащие корпус, резистивный элемент к принудительно-проточную систему охлаждения, в которых охлаждающая жидкость непосредственно соприкасается с резистивным элементом Г1 .

Недостатком этих резисторов является сложность их изготовления на высокие напряжения и ограниченная, хотя и высокая мощность рассеяния. .

Наиболее близким по технической сущности является высоковольный резистор для разряда сверхвысоких напряжений, содержащий диэлектрический корпус, расположенный в нем реэистивный элемент, выпотшенный в виде гофрированной ленты с размещенной между гофрами изолирующей среды, выполненной в виде электроизоляционных пластин, выступающих по бокам t2.

Недостатком этого резистора является невысокая электрическая прочность , так как между гофрами ленты

установлены электроизоляционные пластины, у которых диэлектрическая постоянная существенно отличается относительно охлаждающей жидкости, например трансформаторного масле или дистиллированной воды. Следствие этого является то, что в местах, где остался воздух, возникают скачки градиента потенциала, что ведет к пробою

10 изоляции.

Другим недостатком резистора является невысокая степень охлаждения резистивного элемента, так как охлаждаемая площадь каждого гофра гофри15рованной ленты перекрыта электроизоляционными пластинами. И третьим недостатком прототипа является нетехнологичность конструкции, так как клеевые швы и опрессовка способствуют

20 ухудшению электрической прочности изоляции, и неремонтопригодной конструкции .

Цель изобретения - повышение надежности работы путем увеличения

25 электрической прочности.

Поставленная цель достигается тем, что высоковольтный малоиндуктивный мощный резистор, содержащий диэлектрический корпус с расположен30ным в нем резистивным элементом, выполненным в виде гофрированной ленты с размещенной между гофрами изолирующей средой, снабжен Диэлектрическими ограничительными щеками и разделяющими стороны гофров диэлектрическими элементами, расположенными на диэлектрических рейках, разновысотно установленных с обоих гофрированных торцов резистивного элемента, причем диэлектрические ограничительные щеки устаноблены на диэлектрических рейках со стороны перегибов гофров резистивного элемента, причем он также снабжен принудительно-проточной системой прокачки жидкой изолирующей срды вдоль гофров резистивного элемента, а диэлектрический корпус выполнен ребристым.

На фиг. 1 показан высоковольтный малоиндуктивный мощный резистор, общий вид; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. Ij на фиг. 3 - закрепление резистивного элемента на диэлектрических подвижных подвесках.

Высоковольтный малоиндуктивный мощный резистор содержит реэистивный элемент 1, диэлектрический ребристый корпус 2, фланцы 3, диэлектрические элементы 4, диэлектрические рейки 5, выводы б резистора, диэлектрический трубопровод 7, гофры 8 резистивного элемента 1, отверстия Э, входной штyцер 10, выходной штуцер 11, ограничительные щеки 12, скобы 13, крепежную гайку 14, штыри 15, болт 16.

Диэлектрические элементы 4 установ лены на диэлектрических рейках 5, котбрые слева (фиг. 2) закреплены болтами 16 к скобе 13, а справа также болтами 16, причем отверстие в диэлектрических рейках 5 (не показано) выполнено овальным с расширением вдоль нее.

- Скоба 13 (левая)(фиг. 1) прикреплена к фланцу 3 гайками 14, а правая скоба 13 свободно проходит своигли отверстиями (не показаны) сквозь штыри 15., .

Для компенсации тепловых деформаций конструктивно предусмотрена возможность перемещения резистивного элемента по трем направлениям.

Первое направление т это перемещение всего резистивного элемента 1 совместно с диэлектрическими рейками 5 за счет подвижного крепления их правых концов и штырей 15, на которыенанизана правая скоба 13.

Второе направление - возможность перемещения каждого гофрарезистивного элемента 1 относительно диэлектрических элементов, например круглой формы.

Третье направление - расположение диэлектрических реек 5 относительно резистивного элемента 1 с некоторым зазором..

Резистор функционирует следующим ,образом.

До начала протекания тока через резистор пропускается поток жидкой изолирующей среды, например, дистиллированной воды 17 ГОСТ 6709-72 j)

1мОм.см : входной штуцер 10, диэлектрический трубопровод 7, отверстия 9 гофры 8 резистивного элемента 1, выходной штуцер 11. Путь дистиллированной воды 17 указан на фиг. 1 и

2стрелками.

Ограничительные щеки 12 способствуют более направленному току жидкости через резистивный элемент 1, устраняя завихрения и застойные явления в потоке, которые могут привести к выделению воздуха и возникновению пробоя.

При протекании через резистор тока большой величины, выделяется большое количество тепловой энергии, которая в основном удаляется потоком дистиллированной воды 17.

Тем не менее могут возникнуть значительные механические перемещения, т.е. деформации конструктивных элементов резистора и, в конечном счете, выход его из строя. Для устранения этого предусмотрена возможность перемещения резистивного элемента совместно с диэлектрическими рейками 5 по трем направлениям, о чем говорилось в описании конструкции..

Экономический эффект от применеНИН данного изобретения состоит в увеличении ресурса работы высоковольтного малоиндуктивного резистора, т.е. в снижении запасных резисторов.

Формула изобретения

1.Высоковольтный малоиндуктивный мощный резистор, содержащий диэлектрический корпус с расположенным в нем резистивным элементом, выполненным в. виде гофрированной ленты с размещенной между гофрами изолирующей средой, отличающийся

тем, что, с целью повышения надежности работы путем увеличения электрической прочности, он снабжен диэлектрическими ограничительными щеками и разделяющими стороны гофров диэлектрическими элементами, расположенными на диэлектрических рейках, разновысотно установленных с обоих гофрированных торцов резистивного элемента; причем диэлектрические о Т аничительные щеки установлены на диэлектрических рейках со стороны перегибов гофр резистивного элемента.

2.Резистор ПОП.1, отличающий .с я тем, что он снабжен принудительно-проточной системой прокачки жидкой изолирующей среды вдоль гофров резистивного элемента.

3. Резистор по пп. 1 и 2, о т л ичающийся тем, что диэлектрический корпус выполнен ребристым.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1; Гальперин Б.С. Непроволочные

Энергия, 1968,

резисторы. Л., с. 212-215.

2. Патент Франции 2050756, кл. Н 01 С 3/00, опублик. 1971 (прототип) .

947918

±А.

ffi.

/

Л/