Способ рентгеновской топографии пьезоэлектрических кристаллов Советский патент 1982 года по МПК G01N23/20 

Изобретение относится к рентгеновским исследованиям структурного совершенства монокристаллов, а более конкретно - пьезоэлектрических кристаллов.

Известен эффект памяти в монокристаллах кварца, заключающийся в том, что при облучении монокристалла кварца рентгеновским излучением в условиях приложения к нему электриче-. ского поля интенсивность дифракционной линии возрастает. Этот эффект ранее не использовался при исследованиях структурного совершенства пьезоэлектрических кристаллов ij .

Известны способ рентгеновской топографии кристаллов, заключающиеся в. облучении под брегговским углом исследуемого кристалла узким пучком рентгеновского излучения и регистрации в геометрии На просвет дифрагированного различньоми участками .; кристалла излучения 2 .

Чувствительность этого метода зависит в значительной мере от контраста получаемой картины, который в некоторых случаях бывает недостаточен.

Наиболее близким техническим решением является способ рентгеновской топографии пьезоэлектрических кристаллов, заключающийся в облучении под брегговским углом исследуемого кристалла узким пучком рентгеновского излучения и регистрации в геометрии на просвет дифрагированного различными участками кристалла излучения в условиях воздействия на кристалл постоянного электричес10кого поля 3i .

Известный способ не обеспечивает все возможности повышения контраста получаемых топограмм.и, следовательно, повышения чувствительности иссле15дования. Цель изобретения - повышение чувствительности .

Поставленная цель достигается тем, что в способе рентгеновской то20пографии пьезоэлектрических кристаллов, заключающемся в облучении под брегговским углом исследуемого кристалла узким пучком рентгеновского излучения и регистрации в геометрии

25 на просвет дифрагированного различными участками кристалла из.лучения в условиях воздействия на крисТгшл постоянного электрического поля, исследуемый кристалл предварительно

30 облучают по всей исследуемой поверхности рентгеновским излучением в условиях воздействия на кристалл постоянного электрического поля. Сущность изобретения заключается в следугоще. При облучении кристаллов кварца рентгеновским излучением в условиях воздействия постоянного электрического поля и последующей съемке рентгеновской топограммы было обнаружено, что в реальных кристаллах интенсивность изображения дефектов увеличивается намного больше, чем общий фон рефлекса (общая интенсивность рефлекса), т.е. увеличивается контраст изображения дефектов. Способ реализуют, следующим образом. К исследуемому пьезоэлектрическому кристаллу, например кристаллу кварца, прикладывают постоянное эле трическое поле и облучают расходящи мся пучком.рентгеновского излучения в течение некоторого периода времен Затем производят получение рентгено вской топограммы одним из известных методов, например методом Ланга, в условиях приложения к кристаллу постоянного электрического поля. Полученныеданным способом топограммы обладают существенно большим контрастом, нежели; полученные тради ционными методами , что, позволяет по высить чувствительность с точки зре ния выявления Дефектов кристаллической структуры пьезоэлектрических кристаллов. Формула изобретения Способ рентгеновской топографии пьезоэлектрических кристаллов, заключающийся в облучении под брегговским углом исследуемого кристалла узким пучком рентгеновского излучения и регистрации в геометрии на просвет дифрагированного различными участками кристалла излучения в условиях воздействия на кристалл постоянного электрического поля, отличающийся Тем, что, с целью повышения чувствительности, кристалл предварительно облучают по всей исследуемой области рентгеновским излуче,нием в условиях воздействия на кристалл постоянного электрического поля. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Лапин Е.Г. и др. Эффект пьезоквазимозаичности при дифракции рентгеновского излучения. АН СССР, ЛИЯФ-им. Б.П.Константинова, Л., № 250, июль 1976, с. 23-25. 2.Концевой Ю.А., Кудин В.Д. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. М., Энергия, .1973, с. 113-119. 3.Авторское свидетельство СССР по заявке 2989163/18-25, кл. G 01 N 23/20, 1980 (прототип).