Устройство для визуального контроля характеристик полупроводниковых диодов Советский патент 1982 года по МПК G01R31/26 

Описание патента на изобретение SU951200A1

Целью изобретения является расширение функциональных возможностей устройства за счет обеспечения разбраковки исследуемых диодов по одному из параметров ВАК. Поставленная цель достигается тем, что в устройство для визуальног контроля характеристик полупроводниковых диодов, содержащее осциллограф источник напряжения, соединенный со входом горизонтального отклонения осциллографа и с клеммой для подключения анода испытуемого диода, клемма для подключения катода которого подсоединена к входу вертикального отклонения осциллографа и первому выводу токосъемного резистора, соединенного вторым выводом с общей шиной , введены два амплитудных дискриминатора, элемент совпадения и два одновибратора, а осциллограф снабжен модулятором яркости луча, причем вход первого амплитудного дискриминатора подключен ко входу горизонтального отклонения осциллографа, а его выход - к одному из входов элемента совпадения, второй вход которого соединен со входом вер тикального отклонения осциллографа через последовательно включенные другой амплитудный дискриминатор и первый одновибратор, а его выход через второй одновибратор со входом модулятора яркости осциллографа. На фиг.1 представлена функциональная схема предложенного устройства; на фиг.2 - временнаядиаграмма напряжений узлов устройства; на фиг.З -- осциллограмма обратной ветви ВАХ исследуемого диода. Устройство содержит источник 1 напряжения, соединенный с входом усилителя X осциллографа 2 непосредственно, а с входом усилителя У и токосъемным резистором 3 - через исследуе1Уый диод 4. Вход первого амплитудного дискриминатора 5 соединен с входом усилителя X .осцкшгогра фа 2, а вход второго амплитудного дискриминатора 6 - с входом усилителя У. Выход амплитудного дискриминатора 6 через первый одновибратор 7подключен к первому входу элемента 8совпадения, второй вход которого соединен с выходом амплитудного диск риминатора 5, Выход элемента совпадения 8. через второй одновибратор 9 подключен к модулятору яркости луча осциллографа 2. Работа устройства иллюстрируется временными диаграммами напряжений, приведенными на фиг.2: а напряжение -на входе усилителя X осциллографа 2; б - напряжение на входе усилителя У осциллографа 2; в - напряжение на выходе амплитуд ного дискриминатора 5f г - напряжение на выходе одновибратора 7; д - напряжение на выходе элемента 8 совпадения; и...и.,л- пороги срабатывания амплитудо5 о и ных дискриминаторов соответственно 5 и 6. Сплошной линией изображены диаграммы, соответствующие годному диоду, У которого напряжение лавинного пробоя при заданном уровне обратного тока, задаваемого с помощью дискриминатора б, больше нормы, задаваемой с помощью дискриминатора 5. Бракованному диоду соответствуют диаграммы (фиг.26,г), изображенные пунктирной линией. Обратная ветвь ВАХ исследуемого диода 4, наблюдаемая на экране осциллографа 2, представлена на фиг.З. Кривая 10 соответствует диоду, годному по напряжению лавинного пробоя при заданном уровне обратного тока За Свидетельствует об этом яркостная метка на ВАХ диода, соответствующая току 3. Кривая 11 соответствует бракованному диоду (метка отсутствует). На пряжение является порогом разбраковки. Устройство работает следующим образом. Источник 1 напряжения вырабатывает однополупериодное синусоидальное напряжение отрицательной полярности, которое поступает на вход усилителя X осциллографа 2, вход амплитудного дискриминатора 5 и анод исследуемого диода 4. Напряжение с резистора 3, соответствующее току, протекающему через исследуемый диод 4, поступает на вход усилителя У-осциллографа 2 и вход амплитудного- дискриминатора 6. На экране осциллогафа 2 наблюдается обратная ветвь ВАХ исследуемого диода 4. Когда величина напряжения на входе амплитудного дискриминатора 5 достигнет его порога срабатывания Ugg, соответствующего напряжению и на ВАХ диода, амплитудный дискриминатор 5 срабатывает, и на его выходе появляется прямоугольный импульс. Длительность импульса определяется временем, в течение которого напряжение на входе амплитудного дискриминатора 5 превышает его порог срабатывания. Аналогично работает и амплитудный дискриминатор б, порог срабатывания которого Uj соответствует току Зз на ВАХ исследуемого диода 4. По переднему фронту выходного импульса амплитудного дискриминатора б срабатывает одновибратор 7. На его выходе появляется короткий прямоугольный импульс, длительность которого определяет погрешность измерения (так как за время его действия напряжение на исследуемом диоде 4 успевает возрасти), и ориентировочно определяется по формулегде tr - длительность импульса одновибратора 7; сЛ - погрешность измерения напря жения лавинного пробоя,%; Т - длительность импульса источ ника напряжения. Импульсы с выходов амплитудного дискриминатора 5 и одновибратора 7 поступают на входы элемента 8 совпа дения, который вырабатывает импульс длительностью, равной времени совпадения входных импульсов. Последнее происходит в том случае, если сначала работает амплитудный дискриминатор 5, а затем амплитудный дискриминатор 6, т.е. напряжение Лавинного пробоя диода достигает значения Ug при уровне обратного тока меньшем, чем Зд (); И наоборот, совпадение не происходит, если сначала сработает амплитудный дискриминатор б, т.е. напряжение лавинного пробоя диода достигает значения UQ при уровне тока большем чемЗз Выходной импульс элемента 8 совпадения запускает одновибратор 9, импульс которого управляет модулятором яркости луча осциллогра фа 2. Длительность импульса одновиб ратора 9 определяет величину яркост ной метки на ВАХ диода. При смене полярности источника 1 напряжения и порогов срабатывания амплитудных дискриминаторов 5 и 6 наряду с наблюдением прямой ветви ВАХ исследуемого диода 4 можно вести разбраковку по прямому напряжени диода при заданном уровне прямого тока. Для разбраковки по значению тока при заданном уровне напряжения необ ходимо выход амплитудного дискриминатора 6 соединить с входом элемента 8 совпадения непосредственно, а выход амплитудного дискриминатора 5 через одновибратор 7. Таким образом, с помощью данного устройства, наряду с ВАХ исследуемо го диода можно визуально определять принадлежность диода к тому или ино му классу по проверяемому параметру бл годаря наличию яркостной метки,местоположение которой соответствует выбранному уровню другого параметра БАХ. Использование данного устройства упрощает процесс измерений повышает его производительность, поскольку отпадает необходимость в дополнительных измерениях параметров диодов. Формула изобретения Устройство для визуального контроля характеристик полупроводниковых диодов, содержащее осциллограф, источник напряжения, соединенный с входом горизонтального отклонения осциллографа и с клеммой для подключения анода испытуемого диода, клемма для подключения катода которого подсоединена к входу вертикального отклонения осциллографа и первому выводу токосъемного резистора, соединенному вторым выводом с общей шиной, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в него введены два амплитуд- . ных дискриминатора, элемент совпадения и два одновибратора, а осциллограф снабжен модулятором яркости луча, причем вход первого амплитудного дискриминатора подключен к входу горизонтального отклонения осциллографа, а его выход - к одному из входов элемента совпадения, второй вход которого соединен с входом вертикального отклонения осциллографа через последовательно включенные другой амплитудный дискриминатор и первый одновибратор, а его выход через второй одновибратор с входом модулятора яркости осцил- лографа. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Аронов В.П. и др. Испытание и исследование полупроводниковых приборов. М., Высшая школа, 1975, с.58-60. 2.Патент США 3.264.563, кл.324-158:, 1972. 3.Fraceur de courbes caracterlstiques. - Raaio plans, 1979, № 378, p.45-50 (прототип).

Hl.f

Похожие патенты SU951200A1

название год авторы номер документа
Устройство для исследования вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов 1982
  • Лякас Михаил Аронович
  • Привитень Александр Николаевич
SU1095114A1
Устройство для измерения пробивного напряжения лавинного фотодиода 1982
  • Барков Виктор Борисович
  • Крутоголов Юрий Кузьмич
  • Лебедева Людмила Васильевна
SU1033992A1
Способ определения предельной величины блокирующего напряжения силовых транзисторов 2018
  • Бардин Вадим Михайлович
  • Брагин Анатолий Валерьевич
  • Пьянзин Денис Васильевич
RU2694169C1
Устройство для измерения характеристик лавинного фотодиода 1982
  • Афанасьев Валентин Александрович
  • Иевский Александр Викторович
  • Кретулис Владимир Станиславович
  • Свечников Сергей Васильевич
  • Шапарь Владимир Николаевич
SU1051470A2
СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКИЙ СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЯДЕРНЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ И РЕАЛИЗУЮЩАЯ ЕГО СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКАЯ СИСТЕМА 2002
RU2269798C2
Фазометр радиоимпульсных сигналов 1983
  • Минайкин Юрий Иванович
  • Бибинова Вера Петровна
  • Бочарников Виктор Васильевич
SU1161893A1
Осциллографический измерительАМплиТудНыХ ХАРАКТЕРиСТиК элЕКТРи-чЕСКиХ СигНАлОВ 1979
  • Моргаевский Николай Евгеньевич
SU815641A2
Устройство для контроля параметровиНТЕгРАльНыХ CXEM 1972
  • Фесечко Владимир Афанасьевич
  • Петренко Анатолий Иванович
  • Романов Валерий Владимирович
  • Сидоренко Василий Петрович
SU802965A1
Электромагнитный дефектоскоп 1978
  • Анисимов Юрий Леонидович
  • Павленко Юрий Петрович
  • Срокин Виктор Иванович
SU862057A1
Устройство для контроля качества лавинных фотодиодов 1982
  • Свечников Сергей Васильевич
  • Шапарь Владимир Николаевич
  • Иевский Александр Викторович
  • Афанасьев Валентин Александрович
SU1083137A1

Иллюстрации к изобретению SU 951 200 A1

Реферат патента 1982 года Устройство для визуального контроля характеристик полупроводниковых диодов

Формула изобретения SU 951 200 A1

ffl

ff

SU 951 200 A1

Авторы

Астахов Александр Викторович

Шадрин Александр Михайлович

Даты

1982-08-15Публикация

1980-12-29Подача