Запоминающее устройство Советский патент 1982 года по МПК G11C11/14 

(54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

1

Изобретение относится к вычислитель ной технике и автоматике и может быть использивано в запоминающих устройствах (ЗУ), в которых носителями информации являются цилиндрические магнитные домены (НМД).

Известно ЗУ, содержащее магнитоосную пленку, на которой расположены два канала продвижения 11МД, образованные шевронными аппликациями из ферромагнитного материала, и miraa управления, выполненная из того же материала в одном уровне с каналами продвижения ЦМД, которая соединяет вершины шевронов одноименных позиций расположения НМД в 1обоих каналах. Управляющая шина осуществи ляет две функции: растяжение 1ЛМД в по-, лосовой домен вдоль шины и реплнкашпо полосового домена 1 - . Недостаток данного, устройства - малая область устойчивой работы..

Наиболее близким является ЗУ, которое содержит магнитоодноосную пленку, на

Которой расположены регистры хранения информации и каналы продвижения 11МД из С- и Т-образных ферромагнитных аппликаций, и токопроводяшую шину, выполненную в одном слое с ферромагнитными аппликациями и гальванически связанную с Т-образНыми аппликациями регистров хранения информации L 2 .

Недостатком известного устройства

10 является малая oблactь устойчивой рабо ты в момент переключения 11МД из входного канала в выходной канал продвижения НМД. Переключение НМД возможно только при низких полях смешения Н.

5 При высоких полях переключения иМД требуется подавать импульс тока в управляющую шину высокой амплитуды, так как наводимый внешним полем прйтя гиваюший домен полюс на С-образной

20 аппликации нед сю таточен, чтобы захватить иМД и растянуть его с Т-образной аппликации. В результате этого даже при выборе оптимального расстояния между Си Т-образными аппликахшями, при повышенном поле Hgj и соответственно повышенной амплитуде тока иМД не переключается, а коллапсирует в зоне переключения. Этот недостаток является существенным при работе устройства совместно с генератором и датчиком НМД, так как общая область устойчивой работы резко снижается (почти на 5О%). Подаваемые в управляющую шину импульсы тока высокой амплитуды, чтобы создать требуе- мое магнитное поле для переключения, Растяжения и реплищфования НМД, ограничивают реальные размеры управляющей шины и являются энергетически невыгодными. Цель изобретения - повьпиение надежности ЗУ. Поставленная цель достигается тем, что запоминающее устройство содержит на магнитоодноосной пленке Y -образные ферромагнитнью аппликации, расположенны между Т-образными ферромагнитными аппликациями смежных регистров хранения информации и гальванически связанные с токопроводящей шиной. На фиг. 1 изображена принципиальная схема предлагаемого ЗУ; на фиг. 2 и 3 расположение доменов в регистрах хранения информации и каналах продвижения иМД во время работы устройства; на фиг. 4 - эпюры управляющих токов. Запоминающее устройство содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены регистры 2 хранения информации из Т- и С-образных ферромагнитны аппликаций 3 и 4, Y-образные ферромагнитные аппликации 5, расположенные меж ду Т-образными аппликациями 3 смежных регистров 2, каналы 6 продвижения НМД и токопроводящую шину 7- Вектор 8 управляющего поля вращается по часовой стрелке. ЗУ работает следующим образом. А. Режим переключения НМД из регист ров 2 в каналы 6 продвижения НМД. На фиг. 2 показано расположение доменов в регистре 2 и канале продвижения НМД 6. При положении вектора управляющего поля Ну р, показанном на фиг. 2, в шину 7 подается импульс тока длителькостью, равной половине периода вращения вектора управляющего поля (фиг. 4) и полярностью, при которой домен растягивается по верхней границе шины. При поЛОЖ01ППТ вектора Н.,., показаннсэм на фиг, 2 , домен не переходит с предыдущей пазидиии на правую сторону Т-об-. разной аппликации 3, а захватывается притягивающими полюсами Т- и С-образной аппликацией каналов .6 продвижения . При дальнейшем вращении вектора (фиг. 2) домен полностью переходит на Т- и С-образные аппликации, так как по нижней границе шины 7 создается от импульса тока магнитное поле, препятствующее прохождению домена к притягивающему полюсу Т-образных аппликадий, т. е. поле коллапса. Б. Режим переключения и реплииирования НМД. На фиг. 3 показано расположение доменов в регистре 2 и канале 6 продвижения НМД. При положении вектора показанном на фиг. 3 , в управляющую шину подается короткий (0,3 - О,5 мкс) импульс тока высокой амплитуды (120 13О мА) и полярностью, при которой до;мен растягивается вдоль верхней границы шИны 7 и захватывается притягивающими полюсами Т- и С-образными аппликациями каналов продвижения НМД. При дальнейшем повороте вектора Н.р, показанном на фиг.. 35 , в шину 7 подается короткий (0,5 мкс) импульс тока амплитудой 120 - 13О мА и обратной полярности, при которой растянутый домен между притягивающими полюсами С- . и Т-Образных аппликаций реплицируется, в результате образуется два домена, один из которых идет в канал 6, а другой - в регистр 2 хранения (фиг. 31-). На фиг. 4(3 и J показаны импульсы подаваемые в шину 7 при различjj jx режимах работы устройства, Введе1ай& Ч -образных ферромагнитных аппликаций расширяет область устойчивой работы устройства, уменьшает амплитуды управляющих токов и повышает надежность устройства в целом. Формула изобретения Запоминающее устройство содержащее магнитоодноосную пленку,-на которой расположены регистры хранения информа- , каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов из С и Т -образных ферромагнитных аппликагщй и токопрово.дящую шину, выполненную в одном слое с ферромагнитными аппликациями и гальванически связанную с Т -образными аппликациями регистров хранения информации, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, оно содержит на магнитоодноосной пленке V -образгные ферромагн-итные аппликации, расположенные между Т -образными ферромагнитНЬ1МИ аппликациями смежных регистров хранения информации и гальванически

связанные с токбпроводяшей шиной.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

l.Ptii€ipe Tecb.Rev., v 36,16, 1976.,. p. 149.

фигЛ

а

Доме« I

Р

I i

Hyirp

е

Hi/np

Л

1- I

ffpMM

Л

С

н

Htfnp

(ри&Ц