Травитель для пленки нитрида тантала Советский патент 1982 года по МПК C09K13/00 H01L21/465 

Лэобретение относится к электронной технике, а именно к технологии производства полупроводниковых приборов, и:.может быть использовано для формирования резистивных слоев кристалла полупроводникового прибора.

Известен травитель для нитрида тантала, .содержащий 30% КОН или

1. NaOH и 30-35%

2

Однако этот травитель взаимодействует с фоторезистом, поэтому в дополнение к фоторезистам необходимо применять металлопленочные маскирующие покрытия, например золото.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому является водный раствор травителя для пленки тантала 21, содержащий плавиковую азотную и ледяную уксусную кислоты при следующем соотношении компонентов, об.ч.:

40% HF 1 .

65% HNO 3

CHjCOOH 3

Однако известный травитель с высокой скоростью травит нитрид тантала, разрушает фоторезист и травит подслои молибдена. Таким образом, получить резисторы хорошего качества не удается.

Цель изобретения - улучшение качества травления при сохранении под- слоя молибдена.

Поставленная цель достигается тем, что травитель для пленки нитрида тантала, включающий воду, плавиковую И ледяную уксусную кислоты, дополнительно содержит бихромат натрия при следующем соотношении компонентов,

10 вес.%:

Плавиковая кислота 9-17

Ледяная уксусная

кислота32-44

Бихромат натрия 2-4

15

Вода Остальное

Травитель содержит плавиковую кислоту в виде 48%-ного водного раствора, и бихромат натрия в виде 510%-ного водного раствора.

20

Состав готовят обычным смешиванием компонентов.

Пример. На окисленную кремниевую пластину напыляют пленку молибдена толщиной 0,12 мкм. Проводят ти повой процесс фотолитографии на пленке Мо, используя в качестве маски фоторезист ФП-РН-7.

Напыляют пленку нитрида тантала толщиной 0,15 мкм. Проводят процесс 30 фотолитографии, предусматривающий

формирование резисторов, а. затем травят пленку нитрида тантала травите л ем.

В.таблице представлены варианты предлагаемого травителя и реэультаты определения качества травления пленки нитрида тантала по изобретению и по прототипу.

Результаты, приведенные в таблице .свидетельствуют о том, что применени травителя для пленки нитрида тантала при формировании резйстивного слоя кристалла полупроводникового прибора обеспечивает следуюадие преиг1ущества:

в результате травления получается незначительный (0,3-0,5 мкм) уход размеров элементов, предусмотренных топологией прибора, что характеризует высокое качество травления/

сохраняется целостность подслоя молибдена, используемого в качестве одного из основных элементов при формировании металлизационной системы кристсшла,

травитель не действует на фоторезист, поэтому не требуется применение дополнительного маскирующего покрытия, например золота, что приводит к снижению трудоемкости технологического процесса и исключению расхода драгметалла.

о

d

I

о n

о

1Л

о

Г

п о

ID СП

ю

VD

ГfS

IT)

I

о

СП

d

VO

о -а-т

- ff

о о о

f

Н ч.

о: о

to

ю

оо

г-..

J- ts

оX

.о

оо

dК о

тоX Н

2о X

ч

о

CN СО

I

VD Ш

1Л I

VO СГ1

со

-я(П

X

X

о о

§

U

о

о г«

г. t« О

X М

X U

X

и X

.

irt

rt

JT

-а-а г

Iо с4

X X

о о о «о

о 7 9 Формула изобретения 1. Травитель для пленки нитрида тавтгша, включащий воду, плавиковую и ледяную уксусную кислоты, о т л ич а щ и и с я тем, что, с целью улучшеннякачества травления при сохранении подслоя молибдена, он дополиитёльно содержит бихромат натрия при следУ1Э«ем соотношении компонентОв, вес,%: Плавиковая кислота 9-17 Ледяная уксусная кислота 32-44 50. 8 вихромат натрия 2-4 ВодаОстальное 2. травитель по п, 1, о т л ичающийся тем, что плавиковую кислоту содерисит в виде 48%-ного водного раствора, а бихромат натрия в виде 5-10%-ного водного раствора. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе i. технология тонких планок. Справочник под ред. Л.Майссала, Р.Глэнга. т. 1, 1978, с. 611. 2. Патент Великобритании № 1504264, кл. В 6 3,.1978.