Датчик температуры Советский патент 1982 года по МПК G01K7/01 

Описание патента на изобретение SU970131A1

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть; использовано в системе контроля и устройствах автоматического измерения температуры.

Известен датчик температуры с критической температурюй фазового- перехода металл-полупроводник ( ФПМП ) марки СТ8 и СТ9 на основе окислов ванадия, которые резко меняют свое сопротивление при этой температуре. Отрицательный температурный коэффициент сопротивления (ТКС) для СТ9 превосходит более чем в 30 раз ТКС обычных.терморезисторов. Это повышает чувствительность датчика особенно в области ФПМП. Наличие особой ; точки на кривой температурной зависйм«1сти сопротивления позволяет использовать такой датчик в систаме измерения и регулирования.т пературы, что повышает его функциона.пьные возможности пи сравнению с обычнкх и терморезистораг.1и .

Однако изменятврабочую точку измеряемой или регулируемой температуры у известного датчика трудно без предварительной греющей перестройки с испо.пьзованием дополнительного источника питания в цепи

датчика. Греющая перестройка создает тепловой фон, который ухудшает точность измерения и оказывает разрушающее действие на исследуемые или контролируемые объекты.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является датчик температуры на основе окислов ванадия и теллура, представляющий

10 собой стеклообразный материал, со-, держащий ТеО и VaOj в качестве активных компонентов при атомном содержащий Te:V (75:25) - (45:55 снабженный двумя омическими электро15дами, которые наносятся на лицевую и тыловую поверхность указанного материала. Толщина стеклообразного материала между омическими электродами составляет порядка 50мкм.

20 Датчик прост и дает возможность проводить ко1-/ро.пь температуры на разных площадях и в разных объемах Г2 .

Однако этот датчик температуры не позволяет непрегялвно измерять

25 температуру в заданном диапазоне и осуществлять негреющую оптическую перестройку, а также вести контроль за изменением температуры.

Цель изобретения - повышение точ30ности измерения температуры малогабаритных объектов путем исключения х перегрева.

Указанная цель достигается тем, то в датчике температуры, выполненном в виде пленки из полупроводникового материала с температурным фазовым переходе с двумя электроами, размещенной на диэлектрической одложке, между пленкой из полупроводниковрго материала с температурным фазовым переходом и одним из электродов расположен слой из фотопроводящего материала, причем подложка и прилегакиций к слою из фотопроводящего материала электрод выполнены оптически прозрачными.

На фиг. 1 приведен датчик температуры, общий вид; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - кривые температурных зависимостей фотоЭДС, снятые при освещении светом с разными длинами.волн.

Датчик температуры состоит из диэлектрической пластины 1, прозрачной в видимой области спектра и не меняющей своих свойств под действием температуры. На диэлектрическую пластину нанесены тонкий слой 2 прозрачного в видимой области мат риала , обеспечивающий омический контакт с фотопроводником , а затем слой 3 фотопроводника, не меняющий своих оптических свойств в интервале температур, где происходит ФПМП. На слой 3 нанесен слой 4, испытывающий температурный фазовый переход металлполупроводник , и последним - внешний омический контактный слой 5, который может быть выполнен, нaпpи /Iep, в виде сетки.

Датчик работает следующим образом,

При освещении датчика негрекнцим светом (энергия светового излучения не должна оказывать существенного влияния на тепловой режим и быть 10 Вт) с длиной волны, лежащей в интервале 500-900 нм, излучение проникает вглубь датчика и попащает на контакт фотопроводник-материал с температурные ФПМП. Свет генерирует электронно-дырочные пары, разделяющиеся на контакте. Возникает фото-ЭДС, которая уменьшается с ростом температуры. При определенной; температуре происходит ФПМП, подтверждением могут служить изменение характера Гемпературной зависимости сопротивления датчика и визуальное изменение цвета термохромного слоя. При ФПМП происходит смена знака фото-ЭДС, которая может быть объяснена изменением характера контакта фотопроводник-материал с температурным ФПМП с запорного на антизапорный.

С помощью датчика можно определить любую температуру, лежащую в интервале от 20 до . Перестройку диапазона измерения осуществляют негреющим оптическим способом, что увеличивает точность измерения за счет исключения помех, создаваемых греющей перестройкой.

Технико-экономические преимущества предлагаемого датчика температуры по сравнению с известным состоят в обеспечении возможности непрерывного измерения температуры малогабаритных объектов в пределах выбранного диапазона, негреющей оптической перестройки диапазона измеряемых температур, увеличивающей срок эксплуатации исследуемых ;сред, а также боле точного измерения температуры.

Формула изобретения

1.Датчик температуры, выполненный в виде пленки из полупроводникового материала с температурным фазовым переходом с двумя электродами, размещенной на диэлектрической подложке, отличающ,ий ся тем, что, с целью повышения точности измерения температуры малогабаритных объектов путем исключения их перегрева, между пленкой из полупроводникового материала с температурным фазовым переходом и одним из электродов .расположен слой из фотопроводящего материала.

2.Датчик по п. 1, отличающий с я тем, что подложка и прилегающий к. слою из фотопроводящего материала электрод выполнены оптически прозрачными.

Источники инфорелации, принятые во внимание при экспертизе

1.Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Л., Наука, 1979, с. 160.

2.Заявка Японии 48-40394, кл. Н 01 С 7/00, опублик. 1973

( прототип ).

Т

x.

155S5555 5 5 5« KJ5 J5555 5f«SS S«S« 55 SS 5 i5;SJ i5;Si

t if f I f t if

Похожие патенты SU970131A1

название год авторы номер документа
Устройство для регистрации оптической информации 1978
  • Паньшин Игорь Анатольевич
  • Подпалый Евгений Анатольевич
  • Кули Заде Тофик Салман-Оглы
  • Малкин Виталий Борисович
  • Фадин Валерий Григорьевич
SU746958A1
ОПТИЧЕСКИ-УПРАВЛЯЕМЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА СО ВСТРОЕННЫМ ИСТОЧНИКОМ СВЕТА, ОСНОВАННЫЙ НА ЛИНИИ ПЕРЕДАЧИ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКОЙ 2019
  • Шепелева Елена Александровна
  • Макурин Михаил Николаевич
  • Ли Чонгмин
RU2721303C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ЭФФЕКТОМ ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ 2015
  • Тимошенков Сергей Петрович
  • Шерченков Алексей Анатольевич
  • Коробова Наталья Егоровна
  • Лазаренко Петр Иванович
  • Калугин Виктор Владимирович
  • Бабич Алексей Вальтерович
RU2609764C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ЭФФЕКТОМ ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ 2016
  • Тимошенков Сергей Петрович
  • Шерченков Алексей Анатольевич
  • Коробова Наталья Егоровна
  • Лазаренко Петр Иванович
  • Бабич Алексей Вальтерович
RU2631071C2
Устройство для записи изображений 1983
  • Андриеш Андрей Михайлович
  • Бивол Валерий Виссарионович
  • Иову Михаил Селевестрович
SU1164650A1
Способ изготовления фотопроводящих антенн 2018
  • Ячменев Александр Эдуардович
  • Бугаев Александр Сергеевич
  • Мальцев Петр Павлович
  • Лаврухин Денис Владимирович
  • Глинский Игорь Андреевич
  • Пономарев Дмитрий Сергеевич
RU2731166C2
Преобразователь положения светового луча в электрический сигнал 1983
  • Бушмин Анатолий Павлович
  • Хайрюзов Виктор Васильевич
SU1129631A1
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ НЕОХЛАЖДАЕМЫЙ МИКРОБОЛОМЕТРИЧЕСКИЙ ПРИЕМНИК 2003
  • Хребтов И.А.
  • Маляров В.Г.
  • Куликов Ю.В.
  • Зеров В.Ю.
RU2260875C2
ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, ОПТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО И ТЕРАГЕРЦЕВОЕ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО С РАЗРЕШЕНИЕМ ПО ВРЕМЕНИ, ВКЛЮЧАЮЩЕЕ В СЕБЯ ЭТО УСТРОЙСТВО 2011
  • Оути Тосихико
RU2462790C1
МАЛОГАБАРИТНЫЙ ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ СВЧ-ДИАПАЗОНА 2012
  • Гуляев Юрий Васильевич
  • Бугаев Александр Степанович
  • Митягин Александр Юрьевич
  • Чучева Галина Викторовна
  • Афанасьев Михаил Сергеевич
RU2510551C1

Иллюстрации к изобретению SU 970 131 A1

Реферат патента 1982 года Датчик температуры

Формула изобретения SU 970 131 A1

SU 970 131 A1

Авторы

Роках Александр Григорьевич

Кузнецов Владимир Александрович

Кирьяшкина Зинаида Ивановна

Старчаева Елена Егоровна

Даты

1982-10-30Публикация

1981-04-06Подача