Сегнетоэлектрическая оптическая дифракционная решетка Советский патент 1982 года по МПК G02B5/18 

; Изобретение относится к оптическому приборостроению и может быть .использовано в оптических модуляторах и дефлекторах.

Известна магнитоуправляемая дифракционная решетка, содержащая прозрачный магнитный материал, имеющий донную структуру, а набор плоско параллельных пластин 1 .

Недостатком такой решетки является сложность технологии ее изготовления, отсутствие монолитности, а такЖе необходимость подачи на решетку большой управляющей мощности.

Наиболее близкой к предлагаемой по своей технической сущности является сегнетоэлектрическая оптическая диффракционная решетка, вьто.лненная в виде -плоско параллельной пластины из сегнетоэлектрического кристалла с доменной структурой и снабженная электродами/ связанными с источником питания. Эта решетка выполнена на основе сегнетожесткого кристалла ниобата лития или ниобата бария-натрия, имеющего одну сегнётоэлектрическую ось, причем электроды ориентированы перпендикулярно этой .

Недостатком указанной решетки яв . ляется отсутствие возможности управления ее периодом, что обусловле- но сегнетожесткостью применяемого кристалла.. .

Цель изобретения - управление периодом решетки.

Поставленная цель достигается тем, что в -сегнетоэлектрической оптичес10кой дифракционной решетке, выполненной в виде плоскопараллельной пластины из сегнетоэлектрического кристалла с доменной структурой и снабженной электродами, связанными с источником

15 питания, указанная пластина выполнена -из кристалла с двумя сегнетоэлектрическими осями, а электроды ориентированы перпендикулярно к биссектрисе угла между этими осями.

20

Предлагаемая решетка выполнена в виде плоскопараллельной пластины из сегнетоэлектрического сегнетоэластичного, т..е. имеющего две сегнетоэлектрические оси, кристалла, 25 например из NaH(SeC. Этот кристалл в. се нетофазе имеет- слоистую доменную структуру. Электроды, связанные с источником питания, ориентированы перпендикулярно к биссектрисе угла между сегнетоэлектрическимй осями кристалла или, что одно и то же, перпеидикулярно кристаллографической оси У (или X).

Сегнетоэлектрическая дифракционная решетка работает следующим образом .

При охлаждении используемого кристалла ниже температуры Кюри,составляющей для TC. 79°С, он переходит из парафазы в сегнетофазу.. оВ результате этого в кристалле возникает слоистая доменная струтура У-типа (или т-типа), представляющая собой дифракционную решетку, период которой для указанного . кристалла равен 40 мкм. Оптические индикатриссы соседних доменов разориентированы при этом на-1° Воздействие электрического поля с напряженностью 0,7-1,5 кВ/см, приложеного к электродам и направленного вдоль кристаллографической оси У (или X), приводит к удвоению числа слоистых доменрв, т.е.к уменьшению периода решетки до 20 мкм.

Таким образом, предлагаемая дифракционная решетка имеет изменяющийся управляемый период.

Формула изобретения

Сегнетоэлектрическая оптическая дифракционная решетка, выполненная В ..виде плоскопараллельной, пластины из сегнетоэлектрического кристалла с доменной структурой и снабженная электродами, связанньтми с источником питания, отличающаяся тем, что, с целью управления периодом решетки, указанная пластина выполнена из кристалла с двумя сегнетоэлектрическими осями, а электроды ориентированы перпендикулярно к биссектрисе угла между тими осями.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР

№ 491915, кл. G 02 F 1/00, 01.03.74

2.Авторское свидетельство СССР № 510685, кл. G 02 F 1/26, 05.02.75 (прототип).